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文檔簡介
第七章配合物反應(yīng)動力學(xué)研究范圍:取代、氧化還原、異構(gòu)化、加成與消除、配體上進行的反應(yīng)定義:配離子中一個配體被另一個自由配體取代的反應(yīng)。例:L5M-X+YL5M-Y+X一、取代的反應(yīng)機理1、離解機理(SN1機理)慢L5M-X=L5M+Y(配位數(shù)下降65)L5M+Y=L5M-Y速率方程:d[L5M-Y]/dt=k[L5M-X]速率與Y濃度無關(guān),是對[L5M-X]的一級反應(yīng)。2、締合機理(SN2機理)
慢a、L5M-X+Y=L5MXY(配位數(shù)升高67)第一節(jié):取代反應(yīng)動力學(xué)
b、L5MXY=L5M-Y+Xd[L5M-Y]/dt=k[L5M-X][Y]
屬于二級反應(yīng)。*SN1和SN2是兩種極限情況。二、活性與惰性配合物及理論解釋
1、活性與惰性配合物
1)定義:配體可被快速取代的配合物,稱為活性配合物;配體取代緩慢的配合物,稱為惰性配合物
2)與熱力學(xué)穩(wěn)定常數(shù)的關(guān)系
活性與惰性是動力學(xué)上的概念,不可與穩(wěn)定性混為一談。
2、理論解釋1)價鍵理論A、外軌型配合物是活性的(如sp3d2雜化配合物);B、內(nèi)軌型配合物,如(n-1)d軌道中有空軌道,則是活性的,否則是惰性的。d2sp3內(nèi)軌型的配合物:sp3d2外軌型配合物:解釋:若按SN2機理反應(yīng),容易理解。外軌型配合物:空nd
軌道與sp3d2軌道能量接近。內(nèi)軌型配合物:
(1)若(n-1)d有空軌道;(2)若無(n-1)d空軌道:價鍵理論之不足之處:
a.只能作定性劃分;
b.認為d8組態(tài)Ni2+八面體配合物(外軌型)為活性,實驗表明為惰性;
c.無法解釋Cr3+(d3)和Co3+(d6)八面體配合物比Mn3+
(d4)和Fe3+(d5)更為惰性的實驗事實。2)晶體場理論
反應(yīng)物
過渡態(tài)
SN1八面體-----四方錐(CN=5)
SN2八面體-----五角雙錐(CN=7)
晶體場活化能:CFAE=CFSE(過渡態(tài))—CFSE(反應(yīng)物)
若CFAE≤0,活性;
CFAE>0,惰性。
由于CFAE與過渡態(tài)構(gòu)型有關(guān),因此可用來判定SN1還是SN2機理(數(shù)據(jù)見下頁表格)。晶體場活化能(CFAE)(Dq)
A、d0、d1、d2、d10及弱場下的d5、d6、d7八面體配合物的CFAE≤0,是活性配合物。B、d8構(gòu)型八面體配合物的CFAE>0,應(yīng)為惰性配合物。C、強場下,CFAE的順序為:d6>d3>d4>d5,實際情況符合這一順序。應(yīng)指出,CFAE只是活化能中的一小部分。三、八面體配合物的取代反應(yīng)。1、酸性水解pH<3時:[Co(NH3)5X]2++H2O=[Co(NH3)5(H2O)]3++X-d[Co(NH3)5(H2O)]/dt=kA[Co(NH3)5X]*[H2O]=55.5M(1)發(fā)現(xiàn)[Co(NH3)5X]2+(X=Cl-、Br-、NO3-)的酸性水解反應(yīng)過渡焓保持恒定。
(2)發(fā)現(xiàn)下列反應(yīng)[Co(LL)2Cl2]++H2O=[Co(LL)2(H2O)Cl]2++Cl-
*LL=H2N-(CH2)n-NH2,(乙二胺、丙二胺、丁二胺)的速率隨(LL)體積增大而增大,這支持SN1機理。結(jié)論:八面體配合物的酸性水解大多為SN1機理,但SN2不能排除。
2、堿性水解
[Co(NH3)5Cl]2++OH-=[Co(NH3)5OH]2++Cl-d[Co(NH3)5(OH)]/dt=kB[Co(NH3)5Cl][OH]
由此可推測為SN2機理。
但發(fā)現(xiàn),[Co(py)4Cl2]+堿性水解速率很小,且與OH-濃度無關(guān)。這與SN2機理矛盾。于是提出下列SN1CB(conjugatebase)機理:
k1[Co(NH3)5Cl]2++OH-[Co(NH3)4(NH2)Cl]++H2O(快)
k-1
k2[Co(NH3)4(NH2)Cl]+[Co(NH3)4(NH2)]2++Cl-(慢)[Co(NH3)4(NH2)]2++H2O[Co(NH3)5OH]2+(快)采用穩(wěn)態(tài)近似:d[Co(NH3)4(NH2)Cl]/dt=k1[Co(NH3)5Cl][OH]-k-1[Co(NH3)4(NH2)Cl][H2O]-k2[Co(NH3)4(NH2)Cl]=0[Co(NH3)4(NH2)Cl]=k1[Co(NH3)5Cl][OH]/(k-1[H2O]+k2)
反應(yīng)速率:d[Co(NH3)5(OH)]/dt=k2[Co(NH3)4(NH2)Cl]=k1k2[Co(NH3)5Cl][OH]/(k-1[H2O]+k2)=K[Co(NH3)5Cl][OH]K=k1k2/(k-1[H2O]+k2)速率控制步驟是原始配合物共軛堿的離解,因此稱為SN1CB機理。四、平面正方形配合物的取代反應(yīng)1、反應(yīng)動力學(xué)與機理一般認為按SN2機理進行取代反應(yīng)。PtL3X+Y=PtL3Y+X所觀測速率方程為
d[PtL3Y]/dt=kY[PtL3X][Y]+ks[PtL3X]反應(yīng)途徑:
配合物取代反應(yīng)速率(25℃)
t1/2(min)[PtCl4]2-+H2O=[PtCl3(H2O)]-+Cl-300cis-[Pt(NH3)2Cl2]+H2O=[Pt(NH3)2(H2O)Cl]++Cl-3002、反位效應(yīng)(transeffect)1)
定義:反位效應(yīng)是指離去基團反位上的配體對它的取代反應(yīng)速率的影響,屬于動力學(xué)范疇。對Pt2+配合物取代反應(yīng),反位效應(yīng)次序如下:CN—
~CO~C2H4>H-~[SC(NH2)]~PR3~SR2>CH3->C6H5-~NO2-~I-~SCN->Br->Cl->胺
~氨
>OH->H2O*尚未找到一個對一切金屬配合物通用的反位效應(yīng)次序。2)應(yīng)用(制備配合物)
內(nèi)容:討論兩個配合物之間的氧化還原反應(yīng)。1、外界反應(yīng)機理。1)生成前驅(qū)配合物。
Ox+Red=Ox||Red(前驅(qū)配合物)快反應(yīng)兩種反應(yīng)物相互接近達到一定平衡距離。2)前驅(qū)配合物的化學(xué)活化、電子轉(zhuǎn)移及后繼配合物的形成。
Ox||Red=-Ox||Red+
慢反應(yīng)化學(xué)活化:使兩種反應(yīng)物的內(nèi)部結(jié)構(gòu)(如M-L鍵長)及中心原子的電子自旋狀態(tài)相似,以便發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,生成后繼配合物。例:[Fe*(CN)6]3-~[Fe(CN)6]4-
體系(二者均為低自旋)
Fe3+—CN伸長;
Fe2+—CN縮短再如:[Co*(NH3)6]2+~[Co(NH3)6]3+
高自旋
低自旋
t2g5eg2t2g6t2g4eg2后繼配合物離解為產(chǎn)物-Ox||Red+=Ox-+Red+快反應(yīng)第二節(jié)配合物的氧化還原反應(yīng)機理
第二步比較慢,是速率決定步驟。**判據(jù):如果兩個取代反應(yīng)惰性的配合物,它們之間電子轉(zhuǎn)移速率很快的話,則屬外界機理。2、內(nèi)界反應(yīng)機理1)內(nèi)界反應(yīng)機理必備條件:A、兩種反應(yīng)物之一(通常是氧化劑)必須帶有橋連配體(具有兩對以上孤對電子);B、反應(yīng)物之一(通常是還原劑)是取代反應(yīng)活性的。2)基元步驟
(1)前身配合物的形成:
Ox-X+Red–Y=Ox-X---Red+Y(2)前身配合物的活化及電子轉(zhuǎn)移:
Ox-X---Red=-Ox---X-Red+電子轉(zhuǎn)移機理:A、化學(xué)機理:橋基配體得到電子成為自由基陰離子,隨后電子再進入氧化劑的金屬離子。B、隧道機理:量子力學(xué)隧道效應(yīng)。
(3)后身配合物解離為產(chǎn)物:---X-Red++Z=(Ox-Z)-+(Red-X)+*在反應(yīng)中,橋基配體的轉(zhuǎn)移經(jīng)常發(fā)生,但也有例外。如:[IrCl6]2-+[Cr(H2O)6]2+=[IrCl6]3-+[Cr(H2O)6]3+
3)內(nèi)界機理的實驗依據(jù)A、中間產(chǎn)物的分離:從[Fe(CN)6]3-—[Co(CN)5(H2O)]3-反應(yīng)體系中分離出Ba3[(CN)5Fe-CN-Co(CN)5]B、在含有36Cl-示蹤同位素的水溶液中進行如下反應(yīng):
H+
[Co(NH3)5Cl]2++[Cr(H2O)6]2+[Co(H2O)6]2++[Cr(H2O)5Cl]2++5NH4+因此提出如下機理[Co(NH3)5Cl]2++[Cr(H2O)6]2+[(NH3)5CoIII-Cl-CrII(H2O)5]4+
[(NH3)5CoII-Cl-CrIII(H2O)5]4+[Cr(H2O)5Cl]2++[Co(NH3)5(H2O)]2++5H3+O
[Co(H2O)6]2++5NH4+
**活性且有橋連配體,一般是內(nèi)界機理;惰性且無橋連配體,則是外界機理。3、雙電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)如:Pt(II)Pt
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