犐犆犛７７．１５０．９９

犎６６

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１０１１８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８

高純鎵

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

高純鎵

ＧＢ／Ｔ１０１１８—２００９

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

網(wǎng)址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經(jīng)銷

開本８８０×１２３０１／１６印張０．５字?jǐn)?shù)７千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３９７１１

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書

犌犅／犜１０１１８—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８《高純鎵》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８相比，主要有如下變動：

———增加了檢出雜質(zhì)元素的種類；

———降低了原標(biāo)準(zhǔn)中檢出雜質(zhì)元素的含量；

———引入了ＭＢＥ級牌號高純鎵；

———對原標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)方法進(jìn)行了修改，增加了輝光質(zhì)譜法等。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄Ａ為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位：國瑞電子材料有限責(zé)任公司。

本標(biāo)準(zhǔn)參加起草單位：南京金美鎵業(yè)有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：于洪國、邢志國。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１０１１８—２００９

高純鎵

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了高純鎵的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存及訂貨單（或合同）內(nèi)

容等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以純度不小于９９．９９％的工業(yè)鎵為原料，經(jīng)電解精煉、拉制單晶或其他提純工藝制得

的純度不小于９９．９９９９％的鎵。產(chǎn)品供制備化合物半導(dǎo)體材料和高純合金。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＹＳ／Ｔ４７４ＩＣＰＭＳ分析法測定高純鎵中的痕量元素

３要求

３．１產(chǎn)品分類

產(chǎn)品按純度分為Ｇａ０６、Ｇａ０７、ＭＢＥ級三個牌號：

Ｇａ０６：表示鎵含量不小于９９．９９９９％的高純鎵；

Ｇａ０７：表示鎵含量不小于９９．９９９９９％的高純鎵；

ＭＢＥ級：表示鎵含量大于９９．９９９９９９％的高純鎵。

３．２化學(xué)成分

產(chǎn)品的化學(xué)成分應(yīng)符合下列各表的規(guī)定：

表１高純鎵犌犪０６化學(xué)成分

化學(xué)成分（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）／％

－６

牌號Ｇａ雜質(zhì)含量／（×１０），不大于

不小于ＦｅＳｉＰｂＺｎＳｎＭｇＣｕＭｎＣｒＮｉ總和

Ｇａ０６９９．９９９９３５３３３３２３３３１