標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 11093-1989 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片》是中國一項關(guān)于液封直拉法制備砷化鎵單晶及其切割片的標(biāo)準(zhǔn)。此標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了砷化鎵單晶的制備方法、技術(shù)要求、檢驗規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存條件,旨在確保砷化鎵材料的質(zhì)量可控性和一致性,適用于使用液封直拉技術(shù)生長的砷化鎵單晶及其切割片。
標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容要點包括:
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范圍:明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用的產(chǎn)品范圍,即通過液封直拉法制得的砷化鎵單晶及其切割片,為相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)和檢驗提供了依據(jù)。
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術(shù)語和定義:對標(biāo)準(zhǔn)中涉及的專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了解釋和界定,幫助讀者理解標(biāo)準(zhǔn)的具體內(nèi)容。
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分類與標(biāo)記:規(guī)定了砷化鎵單晶及切割片的分類方法和產(chǎn)品標(biāo)記規(guī)則,便于識別和區(qū)分不同規(guī)格、級別的產(chǎn)品。
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技術(shù)要求:
- 材料要求:對用于生長砷化鎵單晶的原料純度、雜質(zhì)含量等有具體規(guī)定。
- 生長工藝:描述了液封直拉法制備過程中關(guān)鍵參數(shù)如溫度、拉速、氣氛控制等的技術(shù)要求。
- 物理性能:規(guī)定了砷化鎵單晶的尺寸、形狀、晶體質(zhì)量(如位錯密度)、電學(xué)性質(zhì)(如電阻率)等指標(biāo)。
- 切割片質(zhì)量:包括切割片的平整度、厚度公差、表面潔凈度等要求。
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試驗方法:詳細(xì)說明了如何通過各種檢測手段來驗證砷化鎵單晶及其切割片是否滿足上述技術(shù)要求,如X射線衍射分析晶體結(jié)構(gòu)、四探針法測量電阻率等。
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檢驗規(guī)則:規(guī)定了產(chǎn)品出廠前應(yīng)進(jìn)行的檢驗類型(如全檢、抽檢)、抽樣方案及不合格品的處理方式。
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標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲存:要求產(chǎn)品在包裝上需清晰標(biāo)注相關(guān)信息,并對包裝材料、方式、運(yùn)輸條件及儲存環(huán)境做出具體規(guī)定,以防止產(chǎn)品在流轉(zhuǎn)過程中受損。
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- 1989-03-31 頒布
- 1990-03-01 實施
文檔簡介
UDC661.868.146-415H81中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB11093-89液封直拉法砷化掠單晶及切割片Liquidencapsulatedczochralski-growngalliumarsenidesinglecrystalsandAs-cutslices1989-03-31發(fā)布1990-03-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)液封直拉法砷化家單晶及切割片GB11093-89Liauidencapaulatcdczochralsiki-rownealltumarcnidesinglecrystalsandAs-cutsliccs主題內(nèi)客與適用范圖本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了波封直拉法砷化鏢單品及切割片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法和檢驗規(guī)則等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于液封直拉法制備的砷化家單品及其切割片。產(chǎn)品供制作光電器件、微波器件和傳感元件等元器件用。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB4326非非本征半導(dǎo)體單品蛋爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法GB8759化化合物半導(dǎo)體單品晶向×射線衍射測量方法GB8760神化家單品位錯密度測量方法產(chǎn)品分類3.1導(dǎo)電類型產(chǎn)品按導(dǎo)電類型分為N型和P型,按電阻率分為低阻導(dǎo)電型和高阻半絕緣型。以摻雜劑、教流子濃度和遷移率分類,按位錯密度分級。3.2牌號單晶及切割片的牌號分別表示為LECMGAAS阿拉伯?dāng)?shù)字與羅馬數(shù)字組合表示產(chǎn)品的等級與等次北化學(xué)元素符號表示摻雜劑。有兩種摻雜劑時,元素符號之間用“十”連接表表示液封直拉法砷化鏢單品中國
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