ICS31030

L90-

中華人民共和國國家標(biāo)準

GB/T114461—2013

代替.

GB/T11446.1—1997

電子級水

Electronicgradewater

2013-12-31發(fā)布2014-08-15實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準化管理委員會

GB/T114461—2013

.

前言

預(yù)計結(jié)構(gòu)如下

GB/T11446:

電子級水

———GB/T11446.1;

待定

———GB/T11446.2();

電子級水測試方法通則

———GB/T11446.3;

電子級水電阻率的測試方法

———GB/T11446.4;

電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法

———GB/T11446.5;

電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法

———GB/T11446.6;

電子級水中痕量陰離子的離子色譜測試方法

———GB/T11446.7;

電子級水中總有機碳的測試方法

———GB/T11446.8;

電子級水中微粒的儀器測試方法

———GB/T11446.9;

電子級水中細菌總數(shù)的濾膜培養(yǎng)測試方法

———GB/T11446.10。

本部分為的第部分

GB/T114461。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替電子級水

GB/T11446.1—1997《》。

本部分與相比主要有下列變化

GB/T11446.1—1997,:

術(shù)語和定義中增加了離子交換樹脂無菌和的定義見第章

———“3”“”、“”“pH”(3);

修改了要求中和級水的電阻率指標(biāo)見第章

———“5”“EW-Ⅱ”、“EW-Ⅲ”“EW-Ⅳ”(5);

修訂了要求中和級水的微粒數(shù)指標(biāo)見第章

———“5”“EW-Ⅰ”、“EW-Ⅱ”、“EW-Ⅲ”“EW-Ⅳ”(5);

要求中增加了鐵和鉛金屬離子及氟亞硝酸根和溴陰離子的要求和指標(biāo)見

———“5”“”“”“”、“”“”(

第章

5);

試驗方法中增加了鐵鉛氟離子亞硝酸根離子和溴離子的檢測方法見

———“6”“”、“”、“”、“”“”(

第章

6)。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由中國電子技術(shù)標(biāo)準化研究院歸口

。

本部分起草單位信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所中國電子技

:、、

術(shù)標(biāo)準化研究院中國電子科技集團公司第四十六研究所

、。

本部分主要起草人褚連青王奕何秀坤段曙光提劉旺劉筠

:、、、、、。

本部分所代替標(biāo)準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T11446.1—1989、GB/T11446.1—1997。

Ⅰ

GB/T114461—2013

.

電子級水

1范圍

的本部分規(guī)定了電子級水的級別技術(shù)指標(biāo)要求試驗方法和檢驗規(guī)則

GB/T11446、、。

本部分適用于電子和半導(dǎo)體工業(yè)用高純清洗用水

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電子級水測試方法通則

GB/T11446.3—2013

電子級水電阻率的測試方法

GB/T11446.4—2013

電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法

GB/T11446.5—2013

電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法

GB/T11446.6—2013

電子級水中痕量陰離子的離子色譜測試方法

GB/T11446.7—2013

電子級水中總有機碳的測試方法

GB/T11446.8—2013

電子級水中微粒的儀器測試方法

GB/T11446.9—2013

電子級水細菌總數(shù)的濾膜培養(yǎng)測試方法

GB/T11446.10—2013

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

電子級水electronicgradewater

電子和半導(dǎo)體工藝過程中所用的高純水

。

32

.

電阻率resistivity

在規(guī)定溫度下3正立方體水溶液兩相對面之間測得的電阻值通常用符號ρ表示單位為

,1cm()。