ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T12963—2014

代替

GB/T12963—2009

電子級多晶硅

Electronic-gradepolycrystallinesilicon

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

電子級多晶硅

GB/T12963—2014

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20151

*

書號

:155066·1-50708

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T12963—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅多晶本標準與相比主要有如下變動

GB/T12963—2009《》。GB/T12963—2009,:

增加引用國家標準見第

———GB/T1551、GB/T1557、GB/T24574、GB/T24581、GB/T24582(2

章

);

增加了多晶硅的技術(shù)參數(shù)包括施主雜質(zhì)濃度受主雜質(zhì)濃度氧濃度基體金屬雜質(zhì)濃度表

———,、、、、

面金屬雜質(zhì)濃度的要求見表

(1);

不同等級多晶硅的碳濃度由16316316

———<1.5×10atoms/cm、<2×10atoms/cm、<2×10

3修訂為153163163

atoms/cm<4.0×10atoms/cm、<1.0×10atoms/cm、<1.5×10atoms/cm

見表

(1)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會和全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位峨嵋半導體材料研究所四川新光硅業(yè)科技有限責任公司有研半導體材料股份

:、、

有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新特能源股份有限公司洛陽中硅高科技有限公司

、、、。

本標準起草人詹科楊旭種娜黎亞文梁洪孫燕劉曉霞銀波甘新業(yè)嚴大洲

:、、、、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T12963—1991、GB/T12963—1996、GB/T12963—2009。

Ⅰ

GB/T12963—2014

電子級多晶硅

1范圍

本標準規(guī)定了多晶硅的要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標志包裝運輸儲存質(zhì)量證明書和訂貨單

、、、、、、

或合同內(nèi)容

()。

本標準適用于以氯硅烷硅烷制得的多晶硅

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

GB/T4059

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

GB/T4060

硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法

GB/T4061

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T13389

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

GB/T24582-

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41產(chǎn)品牌號及類別

.

411電子級多晶硅的牌號表示為

..:

PSi—□—□

阿拉伯數(shù)字表示多晶硅等級

多晶硅形狀為棒狀為塊狀

,I,N

多晶硅