標準解讀

《GB/T 12963-1996 硅多晶》與前一版《GB 12963-1991》相比，主要在以下幾個方面進行了調整和更新：

  1. 標準性質變化：從標準編號上的差異可以看出，《GB/T 12963-1996》變更為推薦性國家標準（"T"表示推薦），而《GB 12963-1991》為強制性國家標準。這意味著1996版的標準為企業(yè)提供了更多的靈活性，遵循與否不再是強制要求。

  2. 技術指標更新：新標準對硅多晶的純度、雜質含量、晶體結構及物理性能等方面提出了更詳細或更嚴格的要求，以適應技術進步和市場需求的變化。這些技術指標的調整有助于提升產品質量和應用性能。

  3. 檢測方法優(yōu)化：隨著檢測技術的發(fā)展，1996版標準引入了新的檢測手段或改進了原有方法，提高了檢測精度和效率。例如，可能包括對元素分析、晶體缺陷檢測等方面的改進指導。

  4. 術語和定義明確：新標準對硅多晶及其相關特性、測試方法的術語和定義進行了修訂或補充，以增強標準的準確性和適用性，便于行業(yè)內統(tǒng)一理解和執(zhí)行。

  5. 質量控制要求加強：可能對生產過程中的質量控制環(huán)節(jié)提出了更具體的操作規(guī)范或要求，旨在確保最終產品的穩(wěn)定性和一致性。

  6. 環(huán)保與安全考量：隨著時代發(fā)展，新標準可能加入了環(huán)境保護和生產安全的相關條款，強調在硅多晶生產過程中需遵守的環(huán)保標準和操作安全規(guī)定。


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  • 被代替
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  • 1996-11-04 頒布
  • 1997-04-01 實施
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文檔簡介

5.39.045百中華人民共和國國家標準CB/T12963-1996硅晶Polycrystallinesilicon1996-11-04發(fā)布1997-04-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

GB/T12963-1996本標準中的直拉法用硅多品是等效采用半導體設備和材料國際組織(SEMI)標準SEMIM16-89《硅多晶規(guī)范》結合我國的硅多品材料的生產和使用情況,對GB12963—91進行修訂而成的;懸浮區(qū)熔法用硅多晶是在原標準GB12963—91的基礎上，結合我國的實際情況對其進行修訂而成的。本標準的內容包括直拉法和懸浮區(qū)熔法用硅多品。對于制備更高電阻率的區(qū)熔硅單晶，應對硅多品進行真空區(qū)域提純或使用純度更高的硅多晶。本標準與原標準GB12963—91比較，重要技術內容改變的有：刪去硅多晶特級品及其溫度夾層要求·刪去硅烷熱分解制取硅多品的內容，增加了塊狀硅多晶尺寸分和范圍，硅多品的各級“等級品”的技術指標都有不同程皮的提高。本標準從1997年4月1日起實施。本標準從生效之日起,代替GB12963—91。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所歸口本標準起草單位;峨眉半導體材料廠和中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所。本標準主要起草人：王鴻高、尹建華、劉文魁、吳福立。本標準首次發(fā)布日期：1991年6月。

中華人民共和國國家標準GB/T12963-1996Polycrystallinesilicon代梅GB12963-911范圈本標準規(guī)定了硅多品的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸、存。本標準適用于以三氯氫硅或四氯化硅用氫還原法制得的半導體級硅多晶。產品主要用于制備硅單2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本標準出版時,所示版本均為有效，所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。GB/T1550硅單晶導電類型測定方法GB/T1553硅單品壽命直流光電導衰退測量方法GB/T1554一1995硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法GB1558—83測定硅晶體中代位碳含量紅外吸收方法GB4059-83硅多品氣家區(qū)熔磷檢驗方法GB4060—83硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法GB4061—83硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法3產品分類3.1分類產品按外形分為塊狀硅多品和棒狀硅多品，根據純度的差別分為3級。3.2牌號硅多晶的牌號表示為：PSi-口-阿拉伯數字表示硅多晶等級英文大寫字母表示硅多晶形狀,I表示棒狀,N表示塊狀表示硅多

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