ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T12964—2018

代替

GB/T12964—2003

硅單晶拋光片

Monocrystallinesiliconpolishedwafers

2018-09-17發(fā)布2019-06-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T12964—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅單晶拋光片與相比除編輯性修改外主

GB/T12964—2003《》,GB/T12964—2003,

要技術(shù)變化如下

:

修訂了適用范圍將本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉硅單晶研磨片經(jīng)腐蝕減薄進(jìn)行單面拋光制備的硅拋光

———,“

片改為本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉法懸浮區(qū)熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直徑不大

”“、()

于的硅單晶拋光片產(chǎn)品主要用于制作集成電路分立元件功率器件等或作為硅

200mm。、、,

外延片的襯底見(jiàn)第章年版的第章

”(1,20031)。

修訂了規(guī)范性引用文件刪除了

———,GB/T1552、GB/T1554、GB/T1555、GB/T1558、

增加了

GB/T13387、GB/T13388、GB/T14140、GB/T14143,GB/T12965、GB/T19921、

見(jiàn)第章

GB/T24578、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28、YS/T679(2,2003

年版的第章

2)。

刪除了原標(biāo)準(zhǔn)中的具體術(shù)語(yǔ)內(nèi)容改為界定的術(shù)語(yǔ)及定義適用于本文件見(jiàn)

———,“GB/T14264”(

第章年版的第章

3,20033)。

修訂了硅拋光片的分類刪除了按硅單晶生長(zhǎng)方法分為直拉和懸浮區(qū)熔增加了

———?！?CZ)(FZ)”,

按表面取向分為常用的三種見(jiàn)年版的

“{100}、{110}、{111}”(4.2.2,20034.1)。

增加了硅拋光片的直徑表面取向及其偏離度參考面長(zhǎng)度主參考面直徑切口尺寸參考

———“、、()、、

面位置和切口位置應(yīng)符合的規(guī)定如有需要由供方提供各項(xiàng)檢驗(yàn)結(jié)果

GB/T12965。,”

見(jiàn)

(5.1)。

刪除了表中主副參考面長(zhǎng)度切口主參考面直徑的要求修訂了直徑允許偏差厚度總厚

———1、、、,、、

度變化翹曲度總平整度的要求增加了彎曲度的要求增加了直徑不小于硅拋光片

、、,,125mm

的局部平整度的要求見(jiàn)表年版的表

(1,20031)。

將晶體完整性的要求列在由供方提供檢驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)年版的

———5.1,(5.1,20035.3)。

修訂了氧化誘生缺陷的要求改為硅拋光片的氧化誘生缺陷應(yīng)不大于個(gè)2或由供需

———,“100/cm,

雙方協(xié)商確定見(jiàn)年版的

”(5.4,20035.3.2)。

刪除了原標(biāo)準(zhǔn)的表面取向基準(zhǔn)標(biāo)記的內(nèi)容見(jiàn)年版的

———、(20035.4、5.5)。

增加了直徑硅拋光片的表面金屬和體金屬鐵含量的要求見(jiàn)

———150mm、200mm()(5.5、5.6)。

修訂了邊緣輪廓的要求由硅拋光片須經(jīng)邊緣倒角倒角后的邊緣輪廓應(yīng)符合的規(guī)

———,“,YS/T26

定特殊要求可由供需雙方協(xié)商確定改為硅拋光片的邊緣輪廓形狀尺寸應(yīng)符合

,”“、

的規(guī)定且硅拋光片邊緣輪廓的任何部位不允許有銳利點(diǎn)或凸起物特殊要求可

GB/T12965,,

由供需雙方協(xié)商確定見(jiàn)年版的

”(5.7,20035.7)。

將表面質(zhì)量要求中的亮點(diǎn)改為局部光散射體顆粒并修訂了局部光散射體顆粒的要

———“”“()”,()

求見(jiàn)表年版的表

(2,20034)。

修訂了檢驗(yàn)項(xiàng)目改為每批產(chǎn)品應(yīng)對(duì)電阻率厚度總厚度變化彎曲度翹曲度總平整度表

———,“、、、、、、

面質(zhì)量除局部光散射體外進(jìn)行檢驗(yàn)導(dǎo)電類型徑向電阻率變化局部平整度氧化誘生缺

()。、、、

陷表面金屬體金屬鐵邊緣輪廓局部光散射體顆粒是否檢驗(yàn)由供需雙方協(xié)商確定見(jiàn)

、、()、、()”(

7.3.1、7.3.2)。

增加了氧化誘生缺陷表面金屬體金屬鐵邊緣輪廓局部光散射體顆粒霧背表面處

———“、、()、、()、、

理的檢驗(yàn)結(jié)果判定由供需雙方協(xié)商確定見(jiàn)

”(7.5.2)。

Ⅰ

GB/T12964—2018

增加了訂貨單或合同內(nèi)容見(jiàn)第章

———()(9)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料有限公司上海合晶硅材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限

:、、

公司浙江海納半導(dǎo)體有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院天津市環(huán)歐半

、、、、

導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕盧立延徐新華張海英樓春蘭楊素心潘金平張雪囡

:、、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T12964—1996、GB/T12964—2003。

Ⅱ

GB/T12964—2018

硅單晶拋光片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶拋光片簡(jiǎn)稱硅拋光片的牌號(hào)及分類要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝

()、、、、、、

運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書(shū)和訂貨單或合同內(nèi)容

、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于直拉法懸浮區(qū)熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直徑不大于的

、()200mm

硅單晶拋光片產(chǎn)品主要用于制作集成電路分立元件功率器件等或作為硅外延片的襯底

。、、,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

GB/T4058

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測(cè)試方法

GB/T6621