ICS29.045H82中華人民共和國國家標準GB/T12965—2005代替GB/T12965—1996硅單晶切割片和研磨片Monocrystallinesiliconascutslicesandlappedslices2005-09-19發(fā)布2006-04-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會

GB/T12965-2005本標準的指標參照了國外有關(guān)標準（見參考文獻）結(jié)合我國硅材料的實際生產(chǎn)和使用情況，并考慮國際上硅材料的生產(chǎn)及微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和現(xiàn)狀進行修訂而成的。本標準代替GB/T12965—1996。本標準與GB/T12965—1996相比，有如下變動：-增加了150mm、200mm的切割片和研磨片的相關(guān)內(nèi)容；根據(jù)近年來國內(nèi)硅單品的發(fā)展情況,并參照國際標準的相關(guān)內(nèi)容修改了<125mm切割片和研磨片的標準：增加了“術(shù)語”；刪除了原標準中的63.5mm的產(chǎn)品參數(shù)一項;在切割片和研磨片厚度中增加了注1.由供需雙方根據(jù)需要制定厚度要求：-對150mm的切割片和研磨片規(guī)定了兩種主副參考面的位置,即與主參考面成180"和135°兩種：-對200mm切割片和研磨片規(guī)定了兩種：由切口的和有參考面的(僅有主參考面而無副參考面）.表征參考面尺寸采用主參考面直徑：增加了對倒角后邊緣輪摩的要求。本標準應與GB/T12962、GB/T12964配套使用。本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會歸口，本標準由北京有色金屬研究總院、中國有色金屬工業(yè)標準計量質(zhì)量研究所負責起草本標準主要起草人：孫燕、王敬、盧立延、賀東江、翟富義，本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會負責解釋。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T12965-1991:-GB/T12965-1996。

GB/T12965-2005硅單晶切割片和研磨片T范圍本標準規(guī)定了硅單品切割片和研磨片(簡稱硅片)的產(chǎn)品分類、術(shù)語、技術(shù)要求、試驗方法、檢測規(guī)則以及標志、包裝、運輸、購存等。本標準適用于由直拉、懸浮區(qū)熔和中子嬉變摻雜硅單品經(jīng)切割、雙面研磨制備的圓形硅片。產(chǎn)品主要用于制作品體管、整流器件等半導體器件.或進一步加工成拋光片。規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注年代的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注年代的引用文件,其最新版本適用于本標準GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1552硅、錯單品電阻率測定直排四探針法GB/T1554硅品體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法GB/T1555半導體單品品向測定方法GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第一部分：按接收質(zhì)量限（AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T6616半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6620硅片翹曲度非接觸式測試方法GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T12962硅單晶GB/T12964桂單晶拋光片GB/T13387電子材料品片參考面長度測試方法GB/T13388硅片參考面結(jié)品學取向X射線測量方法硅片直徑測量方法（所有部分)GB/T14844半導體材料牌號表示方法YS/T26硅片邊緣輪廊檢驗方法3術(shù)語下列術(shù)語適用于本標準主參考面直徑DrimaryFlatdiameter從主參考面的中心沿著垂直主參考面的直徑,通過硅片達對面的邊緣周邊處的直線長度。參見GB/T12964元3.2桂片切口notchonasiliconwafer在硅片上加工的具有規(guī)定形狀和尺寸的凹槽。參見GB/T12964。切口由平行規(guī)定的低指數(shù)品向并通過切口中心的直徑來