全球去膠設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及市場競爭格局分析一、去膠設(shè)備綜述去膠即為刻蝕或離子注入完成之后去除殘余光刻膠的過程。去膠工藝類似于刻蝕，只是去膠的操作對象是光刻膠，而刻蝕的操作對象是晶圓介質(zhì)材料。去膠工藝可分為濕法去膠和干法去膠，目前主流工藝是干法去膠。在光刻工藝中，晶圓表面被均勻覆蓋光刻膠薄層后在光刻機中進行曝光。在光刻機曝光下改變了化學(xué)性質(zhì)的光刻膠在顯影步驟中被清除，光刻圖形相應(yīng)完成至光刻膠層的轉(zhuǎn)移。光刻膠層上的圖形進一步通過刻蝕、離子注入等工藝被轉(zhuǎn)移到晶圓表面后，通過去膠工藝將晶圓表面剩余光刻膠進行完全清除，從而避免對后續(xù)集成電路芯片制造工藝效果的影響。干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術(shù)的延伸，主要通過等離子體和薄膜材料的化學(xué)反應(yīng)完成，是目前的主流工藝。二、去膠設(shè)備在晶圓制造中占比情況據(jù)統(tǒng)計，以2020年數(shù)據(jù)估算各類晶圓制造設(shè)備市場規(guī)模占比，可以發(fā)現(xiàn)光刻、刻蝕、薄膜生長是占比最高的前道設(shè)備，合計市場規(guī)模占比超過70%，這三類設(shè)備也是集成電路制造的主設(shè)備。從比例情況來看，工藝過程量測設(shè)備是質(zhì)量監(jiān)測的關(guān)鍵設(shè)備，份額占比可達(dá)約13%；其他設(shè)備占比相對較小，去膠設(shè)備占比0.9%。三、去膠設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀干法去膠是去膠設(shè)備最廣泛的應(yīng)用，半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展，集成電路帶動去膠行業(yè)發(fā)展。據(jù)統(tǒng)計，2020年全球去膠設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模為5.38億美元，同比增長19.56%，保持穩(wěn)定增長，預(yù)計將繼續(xù)以5.40%左右的年復(fù)合增長率擴張至2025年的6.99億美元。四、去膠設(shè)備行業(yè)競爭格局從全球去膠設(shè)備行業(yè)市場競爭格局來看，全球干法去膠設(shè)備領(lǐng)域的主要參與者包括屹唐半導(dǎo)體、比思科、日立高新、泛林半導(dǎo)體、泰仕半導(dǎo)體等，據(jù)統(tǒng)計，2020年，前五大廠商的市場份額合計超過90%，CR5為93.50%，行業(yè)集中度高。國內(nèi)企業(yè)屹唐半導(dǎo)體市場份額不斷提升，2020年已達(dá)到31.3%成為全球第一，確立了在干法去膠設(shè)備細(xì)分市場中國際領(lǐng)先的行業(yè)地位。據(jù)統(tǒng)計，2018年-2020年，屹唐半導(dǎo)體在干法去膠設(shè)備領(lǐng)域分別位于全球第三、全球第二和全球第一的市場地位，市場占有率逐年提升。屹唐半導(dǎo)體已全面覆蓋全球前十大芯片制造商和國內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先芯片制造商，在國內(nèi)部分企業(yè)中標(biāo)數(shù)量占比已基本達(dá)到90%，技術(shù)方面，屹唐半導(dǎo)體目前正研發(fā)應(yīng)用于3納米及更