砷化鎵行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及未來(lái)發(fā)展預(yù)測(cè)分析，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)寡頭壟斷格局

一、砷化鎵行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)

預(yù)計(jì)2023年全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到157億美元，5年CAGR為10%。根據(jù)數(shù)據(jù)，2018年全球砷化鎵元件市場(chǎng)總產(chǎn)值達(dá)到89億美元，較2017年增長(zhǎng)0.45%，2012-2018年CAGR為7%。預(yù)計(jì)到2023年，全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到143億美元，2019-2024年CAGR為10%，增速加快。數(shù)據(jù)來(lái)源:公共資料整理數(shù)據(jù)來(lái)源:公共資料整理

預(yù)計(jì)2023年國(guó)內(nèi)砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到90億美元，5年CAGR為44%。2018年國(guó)內(nèi)砷化鎵元件市場(chǎng)總產(chǎn)值約14億美元，未來(lái)5G手機(jī)更新?lián)Q代，預(yù)計(jì)拉動(dòng)大量PA用量，國(guó)內(nèi)砷化鎵元件需求量將繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)，2023年砷化鎵元件規(guī)模有望達(dá)90億美元，5年CARG為44%。數(shù)據(jù)來(lái)源:公共資料整理數(shù)據(jù)來(lái)源:公共資料整理

二、砷化鎵襯底材料市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)

預(yù)計(jì)2023年全球砷化鎵襯底規(guī)模約10.5億美元，中國(guó)為3.5億美元。2018年全球/國(guó)內(nèi)為4.1/0.6億美元，預(yù)計(jì)2023年全球/國(guó)內(nèi)上升至10.5/3.5億美元，全球和國(guó)內(nèi)的5年CAGR分別為21%和45%。全球砷化鎵襯底市場(chǎng)結(jié)構(gòu)變化不大，國(guó)內(nèi)方面射頻芯片用襯底占比大幅上升。數(shù)據(jù)來(lái)源:公共資料整理數(shù)據(jù)來(lái)源:公共資料整理

三、砷化鎵行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

砷化鎵上游襯底到下游元件價(jià)值量逐級(jí)放大。數(shù)據(jù)顯示，2018年，全球砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上襯底、外延片、晶圓代工、元件的市場(chǎng)規(guī)模分別為4.6億美元、11.0億美元、56.7億美元、88.7億美元。2018年數(shù)據(jù)顯示，砷化鎵上游襯底到下游元件，市場(chǎng)規(guī)模放大約18倍。數(shù)據(jù)來(lái)源:公共資料整理

砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均處于寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上，各環(huán)節(jié)的CR2都大于50%，單晶襯底、外延片和晶圓代工環(huán)節(jié)的CR3甚至接近90%，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)明顯的寡頭壟斷格局。數(shù)據(jù)來(lái)源:公共資料整理

與國(guó)外相比，我國(guó)砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)格局仍處于弱勢(shì)?，F(xiàn)階段的現(xiàn)狀為：原材料開(kāi)采環(huán)節(jié)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)；單晶制造環(huán)節(jié)競(jìng)爭(zhēng)力一般；外延片中的射頻器件競(jìng)爭(zhēng)力較弱、光電器件有一定競(jìng)爭(zhēng)力