犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１４１３９—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４１３９—１９９３

硅外延片

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１４１３９—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ１４１３９—１９９３《硅外延片》。

本標準與原標準相比，主要有如下變動：

———刪除了引用標準ＹＳ／Ｔ２３《硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法》和ＹＳ／Ｔ２８《硅片包裝》；

———增加了引用標準ＧＢ／Ｔ１４１４１《硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針

法》和ＧＢ／Ｔ１４８４７《重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法》；

———修改了產(chǎn)品規(guī)格規(guī)范，去除原標準中５０．８ｍｍ、８０ｍｍ、９０ｍｍ三個規(guī)格，增加了直徑尺寸

１２５ｍｍ和１５０ｍｍ；

———在產(chǎn)品牌號中增加襯底摻雜內(nèi)容；

———襯底摻雜元素中增加襯底摻雜元素磷（Ｐ）；

———對外延層中心電阻率、徑向電阻率和外延層厚度進行了修訂，對其允許偏差進行加嚴；

———修改了外延層厚度測量方法，對外延片表面缺陷檢測方法進行加嚴；

———修改了合格質(zhì)量水平（ＡＱＬ）規(guī)定，增加了表面質(zhì)量、位錯等檢驗項目合格質(zhì)量水平規(guī)定。

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出。

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標準起草單位：寧波立立電子股份有限公司。

本標準主要起草人：許峰、劉培東、李慎重、諶攀。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１４１３９—１９９３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１４１３９—２００９

硅外延片

１范圍

本標準規(guī)定了硅外延片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法和檢驗規(guī)則及標志、包裝運輸、貯存等。

本標準適用于在Ｎ型硅拋光片襯底上生長的ｎ型外延層（Ｎ／Ｎ＋）和在ｐ型硅拋光片襯底上生長的

Ｐ型外延層（Ｐ／Ｐ＋）的同質(zhì)硅外延片。產(chǎn)品主要用于制作硅半導(dǎo)體器件。其他類型的硅外延片可參照

使用。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ６６１７硅片電阻率測定擴展電阻探針法

ＧＢ／Ｔ６６２４硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１２９６２硅單晶

ＧＢ／Ｔ１２９６４硅單晶拋光片

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜濃度換算規(guī)程

ＧＢ／Ｔ１４１４１硅外延層、擴展層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

ＧＢ／Ｔ１４１４２硅外延層晶體完整性檢驗方法腐蝕法

ＧＢ／Ｔ１４１４５硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法

ＧＢ／Ｔ１４１４６硅外延層載流子濃度測定汞探針電容電壓法

ＧＢ／Ｔ１４２４６半導(dǎo)體材料術(shù)語

ＧＢ／Ｔ１４８４７重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

ＹＳ／Ｔ２４外延釘缺陷的檢驗方法

３技術(shù)要求

３．１產(chǎn)品分類

３．１．１導(dǎo)電類型

產(chǎn)品按導(dǎo)電類型分為