標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 16880-1997 光掩模缺陷分類和尺寸定義的準(zhǔn)則》作為中國國家標(biāo)準(zhǔn)，為光掩模制造與檢驗(yàn)提供了統(tǒng)一的缺陷分類體系及尺寸界定方法。不過，您提到的對比標(biāo)準(zhǔn)未明確給出，因此無法直接提供兩者之間的具體變更點(diǎn)。但可以一般性地說明，當(dāng)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)被更新或替代時(shí)，通常會(huì)涉及到以下幾個(gè)方面的變化：

  1. 缺陷分類細(xì)化或調(diào)整：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)根據(jù)技術(shù)進(jìn)步和實(shí)際生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)的問題，對缺陷類型進(jìn)行更細(xì)致的劃分，或者調(diào)整某些缺陷的定義以更準(zhǔn)確反映其對半導(dǎo)體器件性能的影響。

  2. 尺寸定義的精確化：隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，對光掩模缺陷尺寸的控制要求更加嚴(yán)格。新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)引入更嚴(yán)格的尺寸限定，或者采用更精密的測量技術(shù)來定義缺陷尺寸。

  3. 檢驗(yàn)方法與標(biāo)準(zhǔn)的更新：隨技術(shù)發(fā)展，新的檢測設(shè)備和分析技術(shù)不斷涌現(xiàn)，標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)納入這些新技術(shù)，更新缺陷檢測的方法和標(biāo)準(zhǔn)，以提高檢測的準(zhǔn)確性和效率。

  4. 質(zhì)量控制指標(biāo)的提升：為了適應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)對產(chǎn)品質(zhì)量的更高要求，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)設(shè)定更為嚴(yán)格的缺陷容許度，包括缺陷數(shù)量、分布密度以及對關(guān)鍵區(qū)域的特別要求。

  5. 術(shù)語與定義的統(tǒng)一：隨著國際交流增加，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)參照國際標(biāo)準(zhǔn)或行業(yè)共識，對專業(yè)術(shù)語進(jìn)行修訂或統(tǒng)一，以促進(jìn)國際間的合作與互認(rèn)。

  6. 可追溯性和文檔化要求：為了增強(qiáng)產(chǎn)品質(zhì)量管理和問題追溯能力，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)加強(qiáng)對缺陷記錄、數(shù)據(jù)分析及報(bào)告格式的要求。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1997-06-20 頒布
  • 1998-03-01 實(shí)施
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ICS31.020L97中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T16880--1997光掩模缺陷分類和尺寸定義的準(zhǔn)則Guidelinesforphotomaskdefectclassificationandsizedefinition1997-06-20發(fā)布1998-03-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T16880-1997目次前言1范圍引用標(biāo)準(zhǔn)……掩模缺陷的類別4光掩模缺陷大小的定義

GB/T16880—1997前本標(biāo)準(zhǔn)等同采用1994年SEMI標(biāo)準(zhǔn)版本“微型構(gòu)圖"部分中的SEMIP22-93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的則》(Guidelinesforphotomaskdefectelassificationandsizedefinition）。SEMI標(biāo)準(zhǔn)是國際上公認(rèn)的一套半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際標(biāo)準(zhǔn)。SEMIP22—93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準(zhǔn)則》是其中的一項(xiàng),它將與已經(jīng)轉(zhuǎn)化的SEMIP1一92硬面光拖?；濉稴EMIP2-86《硬面光掩模用鉻薄膜》、SEMIP3-90《硬面感光板中光致抗蝕劑和電子抗蝕劑》SEMIP4-92《圓形石英玻璃光掩?；濉?、SEMIP6-88《光掩模定位標(biāo)記規(guī)范》及SEMIP19-92《用于集成電路制造技術(shù)的檢測圖形單元規(guī)范》和SEMIP21-92《掩模瞬光系統(tǒng)精密度和準(zhǔn)確度表示準(zhǔn)則》兩項(xiàng)SEMI標(biāo)準(zhǔn)形成-個(gè)微型構(gòu)圖標(biāo)準(zhǔn)系列,并為今后還要繼續(xù)轉(zhuǎn)化SEMIP23—93《掩模缺陷檢測系統(tǒng)靈敏度分析所用的特制缺陷測試掩模及靈敏度評估方法準(zhǔn)則》標(biāo)準(zhǔn)提供規(guī)范依據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)P22-93《光掩模缺陷分類和尺寸定義的準(zhǔn)則》制定的，在技術(shù)內(nèi)容上等同地采用了該國際標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)的格式和結(jié)構(gòu)按國標(biāo)GB/T1.1—1993第一單元第一部分的規(guī)定編制。本標(biāo)準(zhǔn)從1998年3月1日實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)由中國科學(xué)院提出。本標(biāo)準(zhǔn)由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國科學(xué)院微電子中心本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：陳寶欽、陳森錦、廖溫初。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)光掩模缺陷分類和尺寸定義的準(zhǔn)則GB/T16880-1997Guidelinesforphotomaskdefectclassificationandsizedefinition花圍本準(zhǔn)則的范圍是制定有關(guān)光拖模缺陷分類用的標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語，并規(guī)定缺陷大小的表達(dá)方法.確定光拖模缺陷時(shí)應(yīng)遵循這個(gè)準(zhǔn)則。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性.SJ/T10584—94微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語掩模缺陷的類別3.1掩模圖形缺陷maskpatterndefect3.1.1形狀缺陷shapedefect3.1.1.1不透明缺陷opaguedefecta）小點(diǎn)dot(近義詞:小島islandopaguespot)b）橋連bridge:）凸起protrusion(在不透明圖形上);d）外擴(kuò)”extension(不透明圖形邊線);e）過大oversize(不透明圖形)；（）缺口intrusion(在透明圖形上)g）內(nèi)縮truncation(透明圖形邊線)；h）過小undersize(透明圖形)。3.1.1.2透明缺陷cleardetecta）針孔hole（pinhole)；b）空白space:）缺口intrusion(在不透明圖形上)d）內(nèi)縮truncation(不透明圖形邊線）；e)過小、undersize(不透明圖形)f）凸起：protrusion(在透明圖形上)：g）外擴(kuò)°extension(透明圖形邊線）；h）過大oversize(透明圖形)。3.1.2錯(cuò)位誤差misplac

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