犐犆犛７７．１２０．９９

犎６８

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

方阻測(cè)定

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２００８０３３１發(fā)布２００８０９０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

方阻測(cè)定

ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街１６號(hào)

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開本８８０×１２３０１／１６印張０．５字?jǐn)?shù)９千字

２００８年６月第一版２００８年６月第一次印刷

書號(hào)：１５５０６６·１３１５２２

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書

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法》（所有部分）的整合修

訂，分為７個(gè)部分：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法附著力測(cè)試；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．５—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法粘度測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法分辨率測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法可焊性、耐焊性測(cè)定。

本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定》。

本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下變動(dòng)：

———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定；

———增加低溫固化型漿料方阻的測(cè)定方法；

———原標(biāo)準(zhǔn)的原理中，“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片，經(jīng)過(guò)燒結(jié)后，膜層在一定溫度及其厚度、寬

度不變的情況下……”修改為：“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片或有機(jī)樹脂基片上，經(jīng)過(guò)燒結(jié)或

固化后，膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下”；

———測(cè)厚儀修改為：光切顯微測(cè)厚儀用于燒結(jié)型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。

千分尺用于固化型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。

本部分的附錄Ａ為規(guī)范性附錄。

本部分由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本部分由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。

本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負(fù)責(zé)起草。

本部分主要起草人：金勿毀、劉繼松、李文琳、陳伏生、朱武勛、李晉。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１７４７３．３—２００８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

方阻測(cè)定

１范圍

本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料方阻的測(cè)試方法。

本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料方阻的測(cè)定。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本