ICS77.040.01H17中華人民共和國國家標準GB/T19922—2005硅片局部平整度非接觸式標準測試方法Standardtestmethodsformeasuringsitefiatnessonsiliconwafersbynoncontactscanning2005-09-19發(fā)布2006-04-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

GB/T19922一2005本標準修改采用ASTMF1530—94自動無接觸掃描測試硅片厚度、平整度及厚度變化的標準檢測方法》。本標準與ASTMF1530-—94相比.僅提供了其有關(guān)局部平整度測量的內(nèi)容.并在硅片尺寸及厚度上與其有所差異。相關(guān)術(shù)語及測試方法的精密度采用國家標準的規(guī)定。本標準的附錄A為資料性附錄。本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會歸口本標準起草單位：洛陽單品硅有限責任公司、中國有色金屬工業(yè)標準計量質(zhì)量研究所。本標準試驗驗證單位：北京有色金屬研究總院。本標準主要起草人：史、蔣建國、陳興邦、賀東江、王文、鄧德翼。本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會負責解釋本標準為首次發(fā)布

GB/T19922-2005硅片的局部平整度是直接影響到集成電路光刻等工藝線寬的質(zhì)量、成品率和可靠性的重要參數(shù)之為滿足我國硅材料的生產(chǎn)使用的實際需求，同時考慮到與國際的接軌.我們在對相關(guān)國外標準的充分理解、吸收的基礎(chǔ)上.綜合我國硅材料的生產(chǎn)使用情況及國際上硅材料的生產(chǎn)和微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和現(xiàn)狀編制了本標準。本標準是進行硅片表面局部平整度測量的指導文件，目的是為硅片的供應方與使用方提供一種通用的方法來更確切地了解硅片是否滿足規(guī)定的幾何要求。但在雙方進行相關(guān)性測試比較之前不建議將此測試方法作為仲裁標準

GB/T19922-2005硅片局部平整度非接觸式標準測試方法范圍本標準規(guī)定了用電容位移傳感法測定硅片表面局部平整度的方法本標準適用于無接觸、非破壞性地測量干燥、潔凈的半導體硅片表面的局部平整度。適用于直徑100mm及以上、厚度250gm及以上的腐蝕、拋光及外延硅片規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而構(gòu)成為本標準的條款。凡是注年代的引用文件.其隨后所有的修訂單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準。然而.鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本適用于本標準GB/T14264半導體材料術(shù)語ASTMF1530—94自動無接觸掃描測試硅片厚度、平整度及厚度變化的標準檢測方法術(shù)語和定義由GB/T14264確立的及以下半導體術(shù)語和定義適用于本標準。局部平整度Siteflatncss當硅片的背面為理想平面時,在硅片表面的局部定域內(nèi)，相對于特定參照平面的最大偏差，通常報告硅片上所有局部定域的最大值。如圖1所示。根據(jù)所選參照平面的不同，可分別用SF3R、SFLR、SFQR、SBIR或SF3D、SFLD、SFQD.SBID來表述。各術(shù)語的具體解釋詳見表1.表1術(shù)語SF3RSFLRSFQRSBIRSF3DSFLDSFQDSBID測量方式局部局部局部局部局部局部局部局部(S)(S)（S)(S)(S)（S）（S){S)參照表面正面正面背面正面正面正面正面背面(F)(F)(F)(B)（F)(F)(F)(B)三點總最佳局部最佳理想總最佳（L）局部最佳三點理想?yún)⒄掌矫妫↙)（Q)(3）(B