犐犆犛１９．０４０

犓０４

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜２０６４３．２—２００８

特殊環(huán)境條件環(huán)境試驗(yàn)方法

第２部分：人工模擬試驗(yàn)方法及導(dǎo)則

電工電子產(chǎn)品（含通信產(chǎn)品）

犛狆犲犮犻犳犻犮犲狀狏犻狉狅狀犿犲狀狋犮狅狀犱犻狋犻狅狀—犈狀狏犻狉狅狀犿犲狀狋犪犾狋犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊—

犘犪狉狋２：犃狉狋犻犳犻犮犻犪犾犲狀狏犻狉狅狀犿犲狀狋狋犲狊狋犿犲狋犺狅犱犪狀犱犵狌犻犱犪狀犮犲—犈犾犲犮狋狉犻犮犪狀犱犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮

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２００８０４２４發(fā)布２００８１２０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜２０６４３．２—２００８

目次

前言!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Ⅲ

１范圍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

２規(guī)范性引用文件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３使用環(huán)境條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

４人工模擬環(huán)境試驗(yàn)項(xiàng)目!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

５試驗(yàn)設(shè)備!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!６

附錄Ａ（資料性附錄）特殊環(huán)境條件對(duì)電工電子產(chǎn)品包括通信產(chǎn)品性能的主要影響!!!!!!７

Ⅰ

書

犌犅／犜２０６４３．２—２００８

前言

ＧＢ／Ｔ２０６４３特殊環(huán)境條件環(huán)境試驗(yàn)方法系列標(biāo)準(zhǔn)由若干部分組成：

———ＧＢ／Ｔ２０６４３．１特殊環(huán)境條件環(huán)境試驗(yàn)方法第１部分：總則

———ＧＢ／Ｔ２０６４３．２特殊環(huán)境條件環(huán)境試驗(yàn)方法第２部分：人工模擬試驗(yàn)方法及導(dǎo)則電工

電子產(chǎn)品（含通信產(chǎn)品）

———ＧＢ／Ｔ２０６４３．３特殊環(huán)境條件環(huán)境試驗(yàn)方法第３部分：人工模擬試驗(yàn)方法及導(dǎo)則高分

子材料

……。

本部分為ＧＢ／Ｔ２０６４３的第２部分。

本部分應(yīng)與第１部分總則一起使用。

本部分內(nèi)容等效引用了一般環(huán)境系列基礎(chǔ)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境條件、試驗(yàn)方法、嚴(yán)酷等級(jí)，突出了西部

高原、干熱、干熱沙漠地區(qū)的特殊環(huán)境條件，重點(diǎn)在低氣壓、低溫、高輻射、干熱、風(fēng)沙、靜電等方面對(duì)電工

電子通信產(chǎn)品提出試驗(yàn)項(xiàng)目和嚴(yán)酷等級(jí)，此外在附錄中還指出了西部環(huán)境對(duì)產(chǎn)品的主要影響，供有關(guān)人

員參考。

本部分的附錄Ａ是資料性附錄。

本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出并負(fù)責(zé)歸口。

本部分由廣州電器科學(xué)研究院、機(jī)械工業(yè)北京電工技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究所負(fù)責(zé)起草。

本部分主要起草人：陸頌梅、劉奎方、方曉燕。

本部分委托廣州電器科學(xué)研究院負(fù)責(zé)解釋。

Ⅲ

犌犅／犜２０６４３．２—２００８

特殊環(huán)境條件環(huán)境試驗(yàn)方法

第２部分：人工模擬試驗(yàn)方法及導(dǎo)則

電工電子產(chǎn)品（含通信產(chǎn)品）

１范圍

本部分規(guī)定了高原、干熱、干熱沙漠環(huán)境條件下電工電子產(chǎn)品（含通信產(chǎn)品）人工模擬試驗(yàn)方法及

導(dǎo)則。

本部分適用于考核在海拔５０００ｍ及以下高原、干熱、干熱沙漠環(huán)境條件下使用的電工電子類產(chǎn)

品，包含通信類產(chǎn)品的環(huán)境適應(yīng)能力。

本部分中的“特殊環(huán)境條件”指我國(guó)西部高原、干熱、干熱沙漠地區(qū)的環(huán)境條件。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過ＧＢ／Ｔ２０６４３．２的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用

文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)

成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本

部分。

ＧＢ／Ｔ２４２３．１電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ａ：低溫（ＧＢ／Ｔ２４２３．１—

２００１，ｉｄｔＩＥＣ６００６８２１：１９９０）

ＧＢ／Ｔ２４２３．２電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ｂ：高溫（ＧＢ／Ｔ２４２３．２—

２００１，ｉｄｔＩＥＣ６００６８２２：１９７４）

ＧＢ／Ｔ２４２３．４電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ｄｂ：交變濕熱試驗(yàn)方法（ＧＢ／Ｔ２４２３．４—

１９９３，ＩＥＣ６８２３０：１９８０第二版及８５年修正件，ＭＯＤ）

ＧＢ／Ｔ２４２３．１０電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ｆｃ和導(dǎo)則：振動(dòng)（正弦）

（ＧＢ／Ｔ２４２３．１０—１９９５，ｉｄｔＩＥＣ６８２６：１９８２）

ＧＢ／Ｔ２４２３．１７電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ｋａ：鹽霧試驗(yàn)方法（ＧＢ／Ｔ２４２３．１７—

１９９３，ＩＥＣ６８２１１：１９８１第三版，ＭＯＤ）

ＧＢ／Ｔ２４２３．２１電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Ｍ：低氣壓試驗(yàn)方法（ＧＢ／Ｔ２４２３．２１—

１９９１，ｎｅｑＩＥＣ６８２１３：１９８３）

ＧＢ／Ｔ２４２３．２２電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第２部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ｎ：溫度變化試驗(yàn)方法

（ＧＢ／Ｔ２４２３．２２—２００