ICS31140

L21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T223197—2015/IEC60444-72004

.:

石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量

第7部分石英晶體元件

:

活性跳變的測(cè)量

Measurementofquartzcrystalunitparameters—

Part7Measurementofactivitdisofuartzcrstalunits

:ypqy

(IEC60444-7:2004,Measurementofquartzcrystalunitparameters—

Part7:Measurementofactivityandfrequencydipsofquartzcrystalunits,IDT)

2015-06-02發(fā)布2016-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量

第7部分石英晶體元件

:

活性跳變的測(cè)量

GB/T22319.7—2015/IEC60444-7:2004

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20156

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-51203

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T223197—2015/IEC60444-72004

.:

前言

石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量分為如下幾部分

GB/T22319《》:

第部分用型網(wǎng)絡(luò)零相位法測(cè)量石英晶體元件諧振頻率和諧振電阻的基本方法

———1:π;

第部分測(cè)量石英晶體元件動(dòng)態(tài)電容的相位偏置法

———2:;

第部分頻率達(dá)石英晶體元件負(fù)載諧振頻率和負(fù)載諧振電阻R的測(cè)量方法及其

———4:30MHzL

他導(dǎo)出參數(shù)的計(jì)算

;

第部分采用自動(dòng)網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)和誤差校正確定等效電參數(shù)的方法

———5:;

第部分激勵(lì)電平相關(guān)性的測(cè)量

———6:(DLD);

第部分石英晶體元件活性跳變的測(cè)量

———7:;

第部分表面貼裝石英晶體元件用測(cè)量夾具

———8:;

第部分石英晶體元件寄生諧振的測(cè)量

———9:。

本部分為的第部分

GB/T223197。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量第部分石英晶體元

IEC60444-7:2004《7:

件活性跳變和頻率跳變的測(cè)量

》。

本部分作了下列編輯性修改

:

將表中腳注改為腳注

———1“*”“a”;

將中評(píng)估公式序號(hào)分別改為

———3.3(A)~(D)a)~d);

刪除評(píng)估公式前面的頻率跳變和公式前面的活性跳變

———a)“”c)“”。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國(guó)頻率控制和選擇用壓電器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC182)。

本部分起草單位中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)壓電晶體分會(huì)南京中電熊貓晶體科技有限公司唐山晶

:、、

源裕豐電子股份有限公司鄭州原創(chuàng)電子科技有限公司

、。

本部分主要起草人章怡梁生元胡志雄鄒飛

:、、、。

Ⅰ

GB/T223197—2015/IEC60444-72004

.:

石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量

第7部分石英晶體元件

:

活性跳變的測(cè)量

1范圍

的本部分規(guī)定了在溫度范圍內(nèi)石英晶體元件活性跳變的測(cè)量方法

GB/T22319。

2術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

21

.

活性跳變activitydip

石英晶體元件在規(guī)定負(fù)載電容及激勵(lì)電平下在窄溫度范圍內(nèi)由不同振動(dòng)模式的耦合而引起負(fù)載

,

諧振頻率和或者諧振電阻的不希望的變化見(jiàn)圖及圖

()(12)。

22

.

頻率跳變frequencydipbandbreak

()

石英晶體元件在窄的溫度范圍內(nèi)發(fā)生的不希望的擾動(dòng)或起伏即負(fù)載諧振頻率偏離了平滑而規(guī)則

,

的頻率溫度特性曲線用一個(gè)多達(dá)五階的多項(xiàng)式描述通常呈現(xiàn)相關(guān)電阻的變化見(jiàn)圖該效應(yīng)常與