ICS7704099

H17..

中華人民共和國國家標準

GB/T26070—2010

化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面

損傷的反射差分譜測試方法

Characterizationofsubsurfacedamageinpolished

compoundsemiconductorwafersbyreflectance

differencespectroscopymethod

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T26070—2010

前言

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所負責起草

。

本標準主要起草人陳涌海趙有文提劉旺王元立

:、、、。

Ⅰ

GB/T26070—2010

化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面

損傷的反射差分譜測試方法

1范圍

11本標準規(guī)定了族化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測試方法

.Ⅲ-Ⅴ。

12本標準適用于可參照進行等化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的

.GaAs、InP(GaP、GaSb)

測量

。

2定義

21術(shù)語和定義

.

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

211

..

亞表面損傷subsurfacedamage

半導(dǎo)體晶體經(jīng)切磨拋等工藝加工后在距離拋光片表面亞微米左右范圍內(nèi)晶體的部分完整性會

、、,,

受到破壞存在一個很薄厚度通常為幾十到上百納米的損傷層其中存在大量的位錯晶格畸變等缺

,(),、

陷這個損傷層稱為亞表面損傷層

。。

212

..

彈光效應(yīng)photoelasticeffect

當介質(zhì)中存在彈性應(yīng)力或應(yīng)變時介質(zhì)的介電系數(shù)或折射率會發(fā)生改變介電系數(shù)或折射率的改

,。

變與施加的應(yīng)變和應(yīng)力密切相關(guān)各向異性的應(yīng)力或應(yīng)變會導(dǎo)致介電函數(shù)或折射率出現(xiàn)各向異性導(dǎo)

。,

致晶體材料出現(xiàn)光學(xué)各向異性雙折射二向色性

(,)。

213

..

光學(xué)各向異性opticalanisotropy

當材料的光學(xué)性質(zhì)隨光的傳播方向和偏振狀態(tài)而發(fā)生變化時就稱這種材料具有光學(xué)各向異性

,。

214

..

線偏振光linearlypolarizedlight

振動電矢量總是在一個固定平面內(nèi)的光稱為線偏振光

。

215

..

反射差分譜reflectancedifferencespectroscopyRDS

,

測量近垂直入射條件下兩束正交偏振入射光反射系數(shù)的相對差異隨波長的變化就是反射差

,,

分譜

。

22符號

.

下列符號適用于本文件

。

221

..

rr

Δ/

被測晶體材料在兩個各向異性光學(xué)主軸方向反射系數(shù)的相對差異即反射差分信號