ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29055—2012

太陽(yáng)電池用多晶硅片

Multi-crystallinesiliconwaferforsolarcell

2012-12-31發(fā)布2013-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

太陽(yáng)電池用多晶硅片

GB/T29055—2012

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線(xiàn)

/p>

年月第一版

20134

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-46637

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T29055—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江西賽維太陽(yáng)能高科技有限公司寧波晶元太陽(yáng)能有限公司無(wú)錫尚德太

:LDK、、

陽(yáng)能電力有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人萬(wàn)躍鵬唐駿孫世龍游達(dá)朱華英劉林艷段育紅

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29055—2012

太陽(yáng)電池用多晶硅片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)電池用多晶硅片的術(shù)語(yǔ)定義符號(hào)及縮略語(yǔ)產(chǎn)品分類(lèi)技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢

、、、、、

測(cè)規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存等

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于鑄錠多晶切片垂直于長(zhǎng)晶方向生產(chǎn)的太陽(yáng)電池用多晶硅片

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊

GB/T29054

用微波反射非接觸光電導(dǎo)衰減方法測(cè)試硅晶片載流子復(fù)合壽命的方法

SEMIMF1535

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

密集線(xiàn)痕densesawmark

硅塊切割時(shí)在硅片表面留下的密集型劃痕

,。

4外形尺寸分類(lèi)

太陽(yáng)電池用多晶硅片的規(guī)格系列見(jiàn)表在表中未列出的尺寸規(guī)格要求由供需雙方協(xié)商

1,1。

表1太陽(yáng)電池用多晶硅片規(guī)格系列

外形尺寸

/mm125×125156×156

160

硅片厚度180

/μm