ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30858—2014

藍(lán)寶石單晶襯底拋光片

Polishedmono-crystallinesapphiresubstrateproduct

2014-07-24發(fā)布2015-04-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30858—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及材料分技術(shù)委員會(huì)

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位協(xié)鑫光電科技控股有限公司中國科學(xué)院上海光機(jī)所浙江昀豐新能源科技

:、、

有限公司浙江上城科技有限公司江蘇吉星新材料有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人魏明德黃朝暉劉逸楓杭寅徐永亮袁忠純蔡金榮

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30858—2014

藍(lán)寶石單晶襯底拋光片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了藍(lán)寶石單晶襯底拋光片的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸儲(chǔ)存質(zhì)量證

、、、、、、、

明書與訂貨單或合同內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于單面拋光藍(lán)寶石襯底片以下簡(jiǎn)稱藍(lán)寶石襯底片

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值

GB/T1031(GPS)

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

GB/T13387

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

GB/T19921

藍(lán)寶石襯底片厚度及厚度變化測(cè)試方法

GB/T30857

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

藍(lán)寶石sapphire

可以用來外延生長(zhǎng)的有確定晶向的人工生長(zhǎng)單晶氧化鋁材料

、。

32

.

襯底substrate

用于生長(zhǎng)硅氮化鎵或其他材料的拋光藍(lán)寶石晶片

、。

33

.

局部厚度變化localthicknessvariation

當(dāng)藍(lán)寶石晶片的背面為理想平面時(shí)在晶片表面的局部區(qū)域內(nèi)相對(duì)于特定參考平面的最大偏差

,,,

通常報(bào)告晶片上所有局部定域的最大值

。

34

.

藍(lán)寶石晶棒sapphireingot

依特定軸向生長(zhǎng)的