ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32282—2015

氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量

陰極熒光顯微鏡法

TestmethodfordislocationdensityofGaNsinglecrystal—

Cathodoluminescencespectroscopy

2015-12-10發(fā)布2016-11-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32282—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人曾雄輝張燚董曉鳴牛牧童劉爭(zhēng)暉邱永鑫王建峰徐科

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32282—2015

氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量

陰極熒光顯微鏡法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用陰極熒光顯微鏡法測(cè)試氮化鎵單晶位錯(cuò)密度的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于位錯(cuò)密度在3個(gè)28個(gè)2之間的氮化鎵單晶中位錯(cuò)密度的測(cè)試

1×10/cm~5×10/cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所用的修改單適用于本文件

。,()。

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

微束分析掃描電鏡圖像放大倍率校準(zhǔn)導(dǎo)則

GB/T27788

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

陰極熒光cathodoluminescence

材料在陰極射線電子束激發(fā)下產(chǎn)生發(fā)光的一種物理現(xiàn)象

()。

32

.

輻射復(fù)合radiativerecombination

電子從高能態(tài)到低能態(tài)的躍遷過程中電子和空穴復(fù)合時(shí)會(huì)釋放一定的能量能量以光子的形式

,,

釋放

。

33

.

非輻射復(fù)合nonradiativerecombination

電子從高能態(tài)到低能態(tài)的躍遷過程中電子和空穴復(fù)合時(shí)會(huì)釋放一定的能量能量以除光子輻射之

,,

外的其他形式釋放

。

4方法提要

通常待測(cè)發(fā)光材料樣品在電子束的作用下會(huì)被激發(fā)出各種信號(hào)如二次電子信號(hào)背散射電子信

,,,、

號(hào)射線信號(hào)陰極熒光信號(hào)等采用特定的探測(cè)器對(duì)上述信號(hào)進(jìn)行分別接收便可得到反映樣品相

、X、。,

應(yīng)特征的圖像對(duì)陰極熒光信號(hào)主要采用光電倍增管來探測(cè)將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電流最后以圖像輸出

。,,。

陰極熒光圖像上的襯度反映了樣品不同區(qū)域發(fā)光的強(qiáng)弱

。

位錯(cuò)通常是氮化鎵單晶中的非輻射復(fù)合中心因此會(huì)在陰極熒光圖像上表現(xiàn)為暗點(diǎn)陰極熒光顯微

,,

鏡的空間分辨率可達(dá)到幾十納米