ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32997—2016/ISO115052012

:

表面化學(xué)分析輝光放電發(fā)射光譜定量

成分深度剖析的通用規(guī)程

Surfacechemicalanalysis—Generalproceduresforquantitativecompositional

depthprofilingbyglowdischargeopticalemissionspectrometry

(ISO11505:2012,IDT)

2016-10-13發(fā)布2017-09-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32997—2016/ISO115052012

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

原理

3………………………1

儀器

4………………………1

調(diào)整輝光放電發(fā)射光譜儀系統(tǒng)的設(shè)置

5…………………3

樣品處理

6…………………7

建立工作曲線

7……………7

測(cè)試樣品的分析

8…………………………11

分析結(jié)果的表示

9…………………………11

精密度

10…………………12

實(shí)驗(yàn)報(bào)告

11………………13

附錄規(guī)范性附錄深度剖析中工作曲線常數(shù)的計(jì)算和定量評(píng)價(jià)

A()…………………14

附錄資料性附錄測(cè)定元素的建議譜線

B()……………23

參考文獻(xiàn)

……………………25

Ⅰ

GB/T32997—2016/ISO115052012

:

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析輝光放電發(fā)射光譜定量成分深度剖

ISO11505:2012《

析的通用規(guī)程

》。

與本標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國文件如下

:

表面化學(xué)分析輝光放電發(fā)射光譜方法通則

———GB/T19502—2004(ISO14707:2000,IDT);

鋼和鐵化學(xué)成分測(cè)定用試樣的取樣與制樣方法

———GB/T20066—2006(ISO14284:1996,

IDT)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位寶山鋼鐵股份有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)起草人張毅繆樂德何曉蕾鄔君飛陳英穎

:、、、、。

Ⅲ

GB/T32997—2016/ISO115052012

:

表面化學(xué)分析輝光放電發(fā)射光譜定量

成分深度剖析的通用規(guī)程

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了輝光放電發(fā)射光譜法測(cè)定材料表層薄膜的厚度質(zhì)量單位面積和化學(xué)成分的方法

、()。

本標(biāo)準(zhǔn)僅限于輝光放電發(fā)射光譜法深度剖析定量化通用規(guī)程的描述并不能直接應(yīng)用于具有不同

,

厚度和元素的待測(cè)個(gè)體材料的定量化

。

注任何一個(gè)針對(duì)測(cè)試材料表面分析的標(biāo)準(zhǔn)均需要明確表層厚度和分析元素并提供實(shí)驗(yàn)室間共同實(shí)驗(yàn)結(jié)果以確

:,

認(rèn)方法的有效性

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學(xué)分析輝光放電發(fā)射光譜方法通則

ISO14707[Surfacechemicalanalysis—Glowdis-

chargeopticalemissionspectrometry(GD-OES)—Introductiontouse)]

鋼和鐵化學(xué)成分測(cè)定用試樣的取樣與制樣方法

ISO14284(Steelandiron—Samplingand

preparationofsamplesforthedeterminationofchemicalcomposition)

3原理

輝光放電發(fā)射光譜法的分析包括如下的過程

:

在直流或射頻輝光源裝置中使樣品表層產(chǎn)生陰極濺射

a),。

輝光放電源的等離子體中被測(cè)物原子和離子的激發(fā)

b),。

被測(cè)物原子和離子特征譜線發(fā)射強(qiáng)度隨時(shí)間變化的光譜測(cè)量定性深度剖析

c)()。

通過工作曲線將定性深度剖析中強(qiáng)度隨時(shí)間的關(guān)系轉(zhuǎn)化為質(zhì)量分?jǐn)?shù)隨濺射深度的關(guān)系定量

d),(

化通過測(cè)量已知化學(xué)成分和濺射率的樣品建立系統(tǒng)工作曲線

)。。

4儀器

41輝光放電發(fā)射光譜儀

.

411概述

..

所需儀器如中所述應(yīng)包括型或類似的輝光放電源直流或射頻和一個(gè)多道式