標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 34210-2017 藍(lán)寶石單晶晶向測(cè)定方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),專門針對(duì)藍(lán)寶石單晶材料的晶向進(jìn)行測(cè)量的技術(shù)規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)定義了通過X射線衍射技術(shù)來確定藍(lán)寶石單晶樣品中特定晶面方向的方法,適用于各種形態(tài)(如棒狀、片狀等)的藍(lán)寶石單晶產(chǎn)品。
在實(shí)際應(yīng)用過程中,首先需要準(zhǔn)備待測(cè)樣品,并確保其表面清潔無污染,以便于獲得準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。接著,采用X射線衍射儀作為主要測(cè)試工具,根據(jù)儀器說明書設(shè)置好相應(yīng)的參數(shù),包括但不限于電壓、電流以及掃描范圍等。對(duì)于不同類型的藍(lán)寶石單晶,可能還需要調(diào)整特定的角度或位置以優(yōu)化信號(hào)接收。
標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)描述了從樣品制備到數(shù)據(jù)收集再到分析處理的整個(gè)流程。它強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)條件的重要性,比如溫度控制、環(huán)境穩(wěn)定性等因素對(duì)最終結(jié)果的影響。此外,還提供了一些輔助手段和技術(shù)建議,幫助提高測(cè)量精度和重復(fù)性。
本文件不僅適用于科研機(jī)構(gòu)和高等院校從事相關(guān)研究工作的人員參考使用,也為企業(yè)在生產(chǎn)過程中監(jiān)控產(chǎn)品質(zhì)量提供了科學(xué)依據(jù)。通過遵循此標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的程序執(zhí)行測(cè)試,可以有效地保證藍(lán)寶石單晶材料的質(zhì)量及其性能的一致性。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2017-09-07 頒布
- 2018-06-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS77040
H21.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T34210—2017
藍(lán)寶石單晶晶向測(cè)定方法
Testmethodfordeterminingtheorientationofsapphiresinglecrystal
2017-09-07發(fā)布2018-06-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
中華人民共和國
國家標(biāo)準(zhǔn)
藍(lán)寶石單晶晶向測(cè)定方法
GB/T34210—2017
*
中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行
北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號(hào)
2(100029)
北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)
16(100045)
網(wǎng)址
:
服務(wù)熱線
:400-168-0010
年月第一版
20179
*
書號(hào)
:155066·1-55963
版權(quán)專有侵權(quán)必究
GB/T34210—2017
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)
(SAC/TC203)
化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所丹東新東方晶體儀器有限公司深圳市中安測(cè)
:、、
標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)有限公司東莞市華源光電科技有限公司
、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人杭寅甄偉尹繼剛趙松彬洪佳琪張連翰張毅劉衛(wèi)衛(wèi)
:、、、、、、、。
Ⅰ
GB/T34210—2017
藍(lán)寶石單晶晶向測(cè)定方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用射線定向儀測(cè)定藍(lán)寶石單晶晶向的方法
X。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)定表面取向大致平行于低指數(shù)晶面的藍(lán)寶石單晶材料
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
GB/T1555
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264
射線晶體定向儀
JB/T5482X
3術(shù)語和定義
和界定的術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T1555、GB/T14264JB/T5482。
4方法原理
晶體晶向是基于射線衍射原理來測(cè)定的單晶是由三維周期性結(jié)構(gòu)排列的原子組成可以看作
X。,
是原子排列空間垂直距離為d的一系列平行晶面所形成當(dāng)一束平行的單色射線射入該晶面上且
,X,
射線照在相鄰晶面之間的光程差為其波長(zhǎng)的整數(shù)倍即n倍時(shí)就會(huì)產(chǎn)生衍射反射利用計(jì)數(shù)器探
X,()。
測(cè)衍射線根據(jù)其出現(xiàn)的位置即可確定單晶的晶向如圖所示
,,1。
圖1X射線照射到單晶晶面上幾何反射條件
當(dāng)入射光束與反射晶面之間夾角θ射線波長(zhǎng)λ晶面間距d及衍射級(jí)數(shù)n同時(shí)滿足下面布拉格
、X、
定律式時(shí)射線衍射光束強(qiáng)度將達(dá)到最大值
(1),X:
nλ=dθ
2sin
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