標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 36474-2018 半導(dǎo)體集成電路 第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DDR3 SDRAM)測(cè)試方法》是中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之一,旨在為DDR3 SDRAM的性能和功能測(cè)試提供一套標(biāo)準(zhǔn)化的方法。該標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了從物理層到協(xié)議層等多個(gè)方面的測(cè)試要求,確保了不同制造商生產(chǎn)的DDR3 SDRAM產(chǎn)品之間具有良好的互操作性和一致性。
標(biāo)準(zhǔn)中詳細(xì)定義了多種測(cè)試項(xiàng)目及其對(duì)應(yīng)的測(cè)試條件,包括但不限于電氣特性、時(shí)序參數(shù)、溫度范圍等關(guān)鍵指標(biāo)。對(duì)于每一種測(cè)試項(xiàng)目,都給出了具體的測(cè)試環(huán)境設(shè)置指南,如電源電壓水平、信號(hào)擺幅、負(fù)載電容值等,以及推薦使用的測(cè)試設(shè)備類(lèi)型或配置建議。此外,還明確了測(cè)試過(guò)程中應(yīng)遵循的操作流程與步驟,比如初始化序列執(zhí)行、模式寄存器設(shè)置、讀寫(xiě)操作驗(yàn)證等環(huán)節(jié)的具體實(shí)施方式。
針對(duì)DDR3 SDRAM特有的技術(shù)特點(diǎn),如突發(fā)長(zhǎng)度、預(yù)充電延遲時(shí)間、激活至預(yù)充電最短周期等,本標(biāo)準(zhǔn)也特別制定了相應(yīng)的測(cè)試方案,以確保這些復(fù)雜功能能夠得到準(zhǔn)確無(wú)誤地評(píng)估。同時(shí),考慮到實(shí)際應(yīng)用中可能出現(xiàn)的各種異常情況,標(biāo)準(zhǔn)還提供了故障檢測(cè)與定位的相關(guān)指導(dǎo)原則,幫助測(cè)試人員快速識(shí)別并解決潛在問(wèn)題。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-06-07 頒布
- 2019-01-01 實(shí)施
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GB/T 36474-2018半導(dǎo)體集成電路第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DDR3 SDRAM)測(cè)試方法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
ICS31200
L56.
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T36474—2018
半導(dǎo)體集成電路
第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)
存儲(chǔ)器DDR3SDRAM測(cè)試方法
()
Semiconductorintegratedcircuit—
Measuringmethodsfordoubledatarate3synchronousdynamicrandomaccess
memorDDR3SDRAM
y()
2018-06-07發(fā)布2019-01-01實(shí)施
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T36474—2018
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語(yǔ)和定義
3………………1
一般要求
4…………………2
通則
4.1…………………2
功能驗(yàn)證的一般要求
4.2………………2
電參數(shù)測(cè)試的測(cè)試向量
4.3……………2
電參數(shù)測(cè)試的示波器
4.4………………2
測(cè)試環(huán)境
4.5……………2
詳細(xì)要求
5…………………3
功能驗(yàn)證
5.1……………3
時(shí)鐘
5.2…………………3
讀數(shù)據(jù)參數(shù)
5.3…………………………6
寫(xiě)數(shù)據(jù)參數(shù)
5.4…………………………8
電源電流I數(shù)據(jù)管腳的電源電流I
5.5(DD)/(DDQ)……………………11
Ⅰ
GB/T36474—2018
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專(zhuān)利的責(zé)任
。。
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC78)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司上海高性能集成電
:、、
路設(shè)計(jì)中心武漢芯動(dòng)科技有限公司成都華微電子科技有限公司
、、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孔憲偉殷夢(mèng)迪尹萍巨鵬錦高專(zhuān)劉建明
:、、、、、。
Ⅲ
GB/T36474—2018
半導(dǎo)體集成電路
第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)
存儲(chǔ)器DDR3SDRAM測(cè)試方法
()
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器功能驗(yàn)
(DDR3SDRAM)
證和電參數(shù)測(cè)試的方法
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域中第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
(DDR3SDRAM)
功能驗(yàn)證和電參數(shù)測(cè)試
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路
GB/T17574—19982:
3術(shù)語(yǔ)和定義
下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
。
31
.
被測(cè)器件deviceundertestDUT
;
測(cè)試過(guò)程中的被測(cè)對(duì)象
。
32
.
自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)automatictestequipmentATE
;
集成化的集成電路測(cè)試專(zhuān)用系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)配有多路電源數(shù)字測(cè)試通道及專(zhuān)用的測(cè)試軟件
。,
開(kāi)發(fā)環(huán)境
。
33
.
工程評(píng)估板e(cuò)valuationboardEVB
;
用于功能驗(yàn)證的測(cè)試用工程評(píng)估板工程評(píng)估板支持處理器基本功能和擴(kuò)展功能配備輸入輸出
。,
端口并留有必要的測(cè)試接口
,
溫馨提示
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