標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 39145-2020 硅片表面金屬元素含量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn),主要規(guī)定了使用電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)測定硅片表面金屬元素含量的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅、多晶硅及其它類型的硅材料表面微量至痕量級金屬污染元素的分析。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),首先需要對樣品進(jìn)行預(yù)處理,包括清洗以去除表面污染物,并可能采用化學(xué)方法或物理方法來進(jìn)一步處理樣品,確保后續(xù)分析過程中能夠準(zhǔn)確反映硅片表面的真實狀態(tài)。接下來是樣品溶解步驟,通常會將處理過的硅片放入適當(dāng)?shù)乃嵝匀芤褐屑訜崛芙?,形成適合ICP-MS檢測的液體樣品。
在完成樣品制備后,利用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀對樣品中的目標(biāo)金屬元素進(jìn)行定性和定量分析。ICP-MS技術(shù)通過產(chǎn)生高溫等離子體使樣品中的原子和分子電離成正負(fù)離子,然后通過質(zhì)量分離器按質(zhì)荷比分開這些離子,并由檢測器記錄下來,從而實現(xiàn)對不同元素及其同位素的精確測量。對于每種待測金屬元素,都需要選擇合適的內(nèi)標(biāo)物來校正基體效應(yīng)和其他干擾因素的影響,保證結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性。
此外,該標(biāo)準(zhǔn)還詳細(xì)描述了實驗條件的選擇、儀器參數(shù)設(shè)置、數(shù)據(jù)處理方法等內(nèi)容,并給出了具體的操作指南以及質(zhì)量控制措施,旨在提高測試結(jié)果的一致性和可比性。同時,也提供了關(guān)于如何評估方法性能指標(biāo)如檢出限、精密度等方面的信息,幫助實驗室建立和完善相應(yīng)的質(zhì)量管理體系。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2020-10-11 頒布
- 2021-09-01 實施
文檔簡介
ICS77040
H17.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T39145—2020
硅片表面金屬元素含量的測定
電感耦合等離子體質(zhì)譜法
Testmethodforthecontentofsurfacemetalelementsonsiliconwafers—
Inductivelycoupledplasmamassspectrometry
2020-10-11發(fā)布2021-09-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T39145—2020
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)
(SAC/TC203)
化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位南京國盛電子有限公司有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公
:、、
司上海合晶硅材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司龍騰半導(dǎo)體有
、、、、
限公司廈門科鑫電子有限公司
、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人駱紅潘文賓趙而敬孫燕張海英徐新華溫子瑛胡金枝李素青馬林寶
:、、、、、、、、、、
李俊需
。
Ⅰ
GB/T39145—2020
硅片表面金屬元素含量的測定
電感耦合等離子體質(zhì)譜法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜法測定硅片表面金屬元素含量的方法
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶拋光片和硅外延片表面痕量金屬鈉鎂鋁鉀鈣鉻錳鐵鈷鎳銅鋅元
、、、、、、、、、、、
素含量的測定測定范圍為8-213-2本標(biāo)準(zhǔn)同時也適用于硅退火片硅擴(kuò)散片等無圖形
,10cm~10cm。、
硅片表面痕量金屬元素含量的測定
。
注硅片表面的金屬元素含量以每平方厘米的原子數(shù)計
:。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法
GB/T6624
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264
冶金產(chǎn)品化學(xué)分析基礎(chǔ)術(shù)語
GB/T17433
硅拋光片表面顆粒測試方法
GB/T19921
潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級
GB/T25915.1—20101:
四級桿電感耦合等離子體質(zhì)譜方法通則
GB/T37837
四級桿電感耦合等離子體質(zhì)譜儀校準(zhǔn)規(guī)范
JJF1159
半導(dǎo)體加工用超純水指南
SEMIF63(Guideforultrapurewaterusedinsemiconductorprocess-
ing)
3術(shù)語和定義
和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T14264、GB/T17433、GB/T37837JJF1159。
31
.
掃描溶液scanningsolution
通過掃描方式收集的含有硅片表面痕量金屬元素的溶液
。
32
.
直接酸滴分解法directaciddropletdecompositionDADD
;
用含有氫氟酸的提取液分解硅片表面的氧化層形成疏水性表面使硅片表面的痕量金屬被收集到
,,
提取液中形成掃描溶液
。
33
.
氣相分解法vaporphasedecompositionVPD
;
用氫氟酸蒸汽分解
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