ICS7104040

CCSG.04.

中華人民共和國國家標準

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

表面化學分析

全反射X射線熒光光譜法TXRF

()

測定硅片表面元素污染

Surfacechemicalanalysis—Determinationofsurface

elementalcontaminationonsiliconwafersbytotal-reflection

X-rafluorescenceTXRFsectrosco

y()ppy

(ISO14706:2014,IDT)

2021-05-21發(fā)布2021-12-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

縮略語

4……………………2

原理

5………………………2

儀器設備

6…………………2

試樣制備及其測量環(huán)境

7…………………2

校準參考物質

8……………3

安全性

9……………………3

測量程序

10…………………3

結果表達

11…………………4

精密度

12……………………5

測試報告

13…………………5

附錄資料性參考物質

A()………………6

附錄資料性相對靈敏度因子

B()………………………7

附錄資料性參考物質制備

C()…………10

附錄資料性法

D()VPD-TXRF………………………13

附錄資料性掠射角設置

E()……………14

附錄資料性國際實驗室間試驗結果

F()………………17

參考文獻

……………………20

Ⅰ

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用表面化學分析全反射射線熒光光譜法測定硅片表

ISO14706:2014《X(TXRF)

面元素污染

》。

與本文件中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件如下

:

潔凈室及相關受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級

———GB/T25915.1—20101:(ISO14644-1:

1999,IDT)

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位中國計量科學研究院華南理工大學

:、。

本文件主要起草人王海張艾蕊王梅玲任丹華徐昕榮范燕

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

引言

本文件是為了測量硅片表面元素污染的需要而制定的它是在和基礎半

,ASTMF1526、SEMIM33

導體技術發(fā)展研究所發(fā)布的一個

(InstituteofBasicSemiconductorTechnologyDevelopment)UCS

超潔凈學會標準化文件的基礎上制定而成的

(Ultra-CleanSociety,)。

需要利用參考物質來做定量分析原子表面密度低于102的有證參考物質難

TXRF。10atoms/cm

以獲得即使能夠獲得從環(huán)境引入的污染也可能會縮短這些參考物質的有效期

。,。

出于校準目的相關分析實驗室都將需要制備和分析參考物質因此需要分別制定

,TXRF。,

測量程序和參考物質制備兩個標準化文件本文件為前者即關于測量程序的標準化

TXRF。,TXRF

文件

。

Ⅳ

GB/T40110—2021/ISO147062014

:

表面化學分析

全反射X射線熒光光譜法TXRF

()

測定硅片表面元素污染

1范圍

本文件描述了測量經化學機械拋光或外延生長的硅片上表面元素污染的原子表面密度的

TXRF

方法

。

本文件適用于以下情形

:

原子序數從到的元素

———16(S)92(U);

原子表面密度介于102142之間的污染元素

———1×10atoms/cm~1×10atoms/cm;

采用氣相分解樣品制備方法得到的原子表面密度介于8212

———VPD()5×10atoms/cm~5×10at-

2之間的污染元素見

oms/cm(3.4)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

潔凈室及相關控制環(huán)境第部分空氣潔凈度等級

ISO14644-11:(Cleanroomsandassociated

controlledenvironments—Part1:Classificationofaircleanliness)

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

全反射totalreflection

掠入射射線輻照到一種具有較大射線光密度的介質時在兩種介質邊界處發(fā)生的完全反射

XX,。

注硅片對于射線的折射率小于以小的掠射角入射到硅片表面的射線會在硅片表面發(fā)生全反射此時反