標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法》與《GB/T 5252-1985 鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法》相比,在內(nèi)容上進(jìn)行了更新和完善,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:
首先,新標(biāo)準(zhǔn)對(duì)術(shù)語(yǔ)和定義部分進(jìn)行了更加明確的描述。例如,對(duì)于“位錯(cuò)腐蝕坑”、“腐蝕液”等關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)給出了更為精確的定義,這有助于減少因理解差異導(dǎo)致的操作誤差。
其次,《GB/T 5252-2006》版本中增加了實(shí)驗(yàn)條件控制的具體要求。比如,在溫度控制、時(shí)間設(shè)定以及樣品處理等方面都給出了更加詳細(xì)的規(guī)定,旨在提高測(cè)量結(jié)果的一致性和準(zhǔn)確性。
再次,新版標(biāo)準(zhǔn)還改進(jìn)了樣品制備流程。包括但不限于樣品切割尺寸、拋光質(zhì)量要求等方面的調(diào)整,這些變化都是基于最新研究成果而做出的優(yōu)化,以期獲得更高質(zhì)量的數(shù)據(jù)。
此外,《GB/T 5252-2006》還特別強(qiáng)調(diào)了安全操作規(guī)程的重要性,并在附錄中提供了相關(guān)指導(dǎo)信息,提醒實(shí)驗(yàn)人員注意個(gè)人防護(hù)及實(shí)驗(yàn)室安全管理。
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- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 5252-2020
- 2006-07-18 頒布
- 2006-11-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
ICS77.040.01H17中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T5252—2006代替GB/T5252—1985錯(cuò)單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法Germaniummonocrystal-Inspectionofdislocationetchpitdensity2006-07-18發(fā)布2006-11-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局愛(ài)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T5252-2006前本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T5252—1985《錯(cuò)單品位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法》的修訂本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比.主要變動(dòng)如下:-將原標(biāo)準(zhǔn)中的適用范圍改為0cm-~100000cm2;-取消了原標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)磨砂牌號(hào)的規(guī)定;-更正原標(biāo)準(zhǔn)中位錯(cuò)密度單位。本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起代替GB/T5252—1985。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:北京有色金屬研究總院。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:余懷之.劉建平。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:-GB/T5252-1985。
GB/T5252—2006錯(cuò)單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法T范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于位錯(cuò)密度0cm一~100000m一的n型和p型錯(cuò)單品棒或片的位錯(cuò)密度或其他缺陷的測(cè)量。觀察面為(111)、(100)和(113)面。2術(shù)語(yǔ)和定義以下術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)21位錯(cuò)dislocation單晶中.部分原子受應(yīng)力的作用產(chǎn)生滑移。已滑移部分與未滑移部分的分界線為位錯(cuò)線,簡(jiǎn)稱(chēng)2.2位錯(cuò)密度dislocationdensity單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度稱(chēng)為位錯(cuò)密度(cm/cm')。本標(biāo)準(zhǔn)指單位表面上位錯(cuò)腐蝕坑的數(shù)目(個(gè)/cm).23位錯(cuò)堆pile-upofdislocation某區(qū)域的位錯(cuò)密度高于該斷面其他區(qū)域的平均位錯(cuò)密度5倍以上,且其面積大于視場(chǎng)面積5倍以上·則稱(chēng)此區(qū)域?yàn)槲诲e(cuò)堆(圖1)。24平底坑flatbasepit單品經(jīng)化學(xué)腐蝕后,除位錯(cuò)腐蝕坑外,還有一些淺坑,這里稱(chēng)平底坑。它可能是由于空位或晶體的夾雜(如SiO、)等因素所致(圖2)。2.5小角度晶界Lsmall-angleboundary單品中取向差很小的小品粒的交界面稱(chēng)為小角度品界。要求1mm長(zhǎng)度內(nèi)位錯(cuò)腐蝕坑在15個(gè)以上,且長(zhǎng)度在1.5mm以上。(111)面上的位錯(cuò)腐蝕坑呈現(xiàn)一系列以角頂著底邊的排列形式(圖3)。2.6滑移線(位錯(cuò)排)slipline由于沿著滑移面滑移,在品體表面形成的線稱(chēng)滑移線或位錯(cuò)排。要求1mm長(zhǎng)度內(nèi)位錯(cuò)腐蝕坑在15個(gè)以上.且長(zhǎng)度在1.5mm以上。(111)面上的滑移線.位錯(cuò)腐蝕坑按二110>方向排列成行,每一腐蝕坑的底邊都在同一條直線上(圖4)。27星形結(jié)構(gòu)starstru
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