ICS17.240.F80中華人民共和國國家標準CB/T7167-1996錯》射線探測器測試方法Testproceduresforgermaniumgamma-raydetectors1996-11-06發(fā)布1997-08-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

CB/T7167-1996主題內(nèi)容與適用范圍2術語和符號3錯探測器分類瀏試的一般要求45能譜性能測量深測效率61定定時性能…入射窗厚度測量…19儲探測器的溫度循環(huán)能力·

中華人民共和國國家標準GB/T7167-1996錯丫射線探測器測試方法代替GB7167-87Testproceduresforgermaniumgamma-raydetectors本標準等效采用IEC973《錯？射線探測器測試方法》1989年版)。主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了錯？射線探測器分類、性能測試方法和溫度循環(huán)能力等.本標準適用于高純錯和錯(鋰)？射線探測器的性能測試，也適用于高純錯低能光子探測器的主要性能測試。2術語和符號2.1術語2.1.1高純high-puritygermanium在室溫下,它的電活性雜質是穩(wěn)定的,雜質含最小于3×10"/cm'。由其單品制成的探測器在適當?shù)钠珘合驴蛇_到全耗盡（或全靈敏）2.1.2平面型半導體探測器planarsemiconductordetector其靈敏體積為平板型的半導體探測器。2.1.3同軸型半導體探測器coaxialsemiconductordetector其其靈敏體積與中心軸同心的半導體探測器。中心電極的一端是封閉的稱為單開端同軸探測器，中心電極的兩端都是開放的稱為雙開端同軸探測器。2.1.4普通電極錯同軸探測器conventional-electrodegermaniumcoaxialdetector用P型高純錯為材料,外電極為N+接觸,內(nèi)電極為P接觸，正偏壓加在外電極上的同軸半導體探測器。2.1.5反電極錯同軸探測器reverse-electrodegermaniumcoaxialdetector用N型高純錯為材料,外電極為P+接觸，內(nèi)電極為N接觸，正偏壓加在內(nèi)電極上的同軸半導體探測器，2.1.6井型同軸探測器well-typecoaxialdetector在探測器靈敏體積中有個與電極同軸的井形中心孔，待測樣品放入井內(nèi)·測量的立體角近似于4元。2.1.7（半導體探測器的）偏壓bias(ofasemiconductordetector）半導體探測器兩電極間所施加的反向工作電壓。此電壓在探測器靈敏體內(nèi)形成一定的電場強度，使射線所產(chǎn)生的電荷被收集到兩電極處形成電信號。2.1.8（半導體探測器的)耗盡區(qū)depletionregion(ofasemiconductordetector）半導體探測器靈敏體積中的一個層,粒子在該層內(nèi)損失的能量的絕大部分都貢獻給了形成的信號。2.1.9（半導體探測器的）電荷收集時間chargecollectiontime（ofasemiconductordetector）電離粒子通過半導體探測器后，由電荷收集而形成積分電流