中華人民共和國國家計量檢定規(guī)程

JJG48—2004

硅單晶電阻率標準樣片

StandardSliceofSingleCrystalSiliconResistivity

2004-09-21發(fā)布2005-03-21實施

國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

JJG48—2004

硅單晶電阻率標準樣片

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檢定規(guī)程?JJG48—2004?

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代替JJG48—1990?

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VerificationRegulationofStandard

SliceofSingleCrystalSiliconResistivity

本規(guī)程經(jīng)國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局于年月日批準并自

20040921

年月日施行

20050321。

歸口單位:全國無線電計量技術(shù)委員會

主要起草單位:中國計量科學研究院

參加起草單位:廣州半導體材料研究所

本規(guī)程委托全國無線電計量技術(shù)委員會負責解釋

JJG48—2004

本規(guī)程主要起草人:

魯效明中國計量科學研究院

()

參加起草人:

謝鴻波廣州半導體材料研究所

()

JJG48—2004

目錄

范圍……………………

1(1)

概述……………………

2(1)

計量性能要求…………

3(1)

標準樣片的電阻率的測量范圍……………………

3.1(1)

標準樣片的標稱值…………………

3.2(1)

標準樣片應具備的參數(shù)及性能要求………………

3.3(1)

通用技術(shù)要求…………

4(2)

計量器具控制…………

5(3)

檢定條件……………

5.1(3)

檢定項目及檢定方法………………

5.2(5)

檢定結(jié)果的處理……………………

5.3(7)

檢定周期……………

5.4(8)

附錄硅單晶電阻率標準樣片溫度修正系數(shù)表……

A(9)

附錄硅單晶電阻率標準樣片的清洗方法…………

B(10)

附錄硅單晶電阻率標準樣片檢定原始記錄………

C(11)

附錄硅單晶電阻率標準樣片檢定證書及檢定結(jié)果通知書內(nèi)頁格式……………

D(12)

附錄硅單晶電阻率標準樣片檢定結(jié)果的計算與處理……………

E(13)

附錄計算硅單晶電阻率標準樣片的各種修正系數(shù)表……………

F(15)

附錄不同直徑的硅單晶電阻率標準樣片距邊緣處的修正系數(shù)表F…

G6mm(eg)(16)

JJG48—2004

硅單晶電阻率標準樣片檢定規(guī)程

1范圍

本規(guī)程適用于硅單晶電阻率標準樣片的首次檢定后續(xù)檢定和使用中的檢驗

、。

2概述

硅單晶電阻率標準樣片以下簡稱標準樣片是用高純多晶硅經(jīng)過單晶制備再

(),,

經(jīng)中子嬗變摻雜等多種工藝制造的具有一定幾何尺寸的實物標準由不確定度已知的

,。

標準裝置對該實物標準的電阻率及其它指標給予標定使用時以標準樣片為準對相

,,,

關參數(shù)進行量值傳遞

。

3計量性能要求

標準樣片的電阻率的測量范圍

3.1

電阻率的測量范圍

0.005Ω·cm~5000Ω·cm。

標準樣片的標稱值

3.2

標準樣片的標稱值應符合下述個規(guī)格中的一個見表

19,1:

表1標準樣片的標稱值

Ω·cm

電阻率標稱值

0.0050.010.020.050.10.20.5125

102575180250500100020005000

標準樣片應具備的參數(shù)及性能要求

3.3

標準樣片除具有電阻率標稱值和實際值外還應有下列參數(shù)或數(shù)據(jù)導電類

3.3.1,,:

型摻雜元素直徑值厚度值和使用要求

、、、。

對不同級別的標準樣片各項指標的要求見表

3.3.2,2。

表2標準樣片的各項指標

樣片級別

合格指標