Semiconductormaterials

Lecturer:AiminLiu&WeifengLiu劉愛民劉維峰

12Chemicalvs.chemical/physicaletchingPurelychemicaletching(usingonlyreactiveneutralspecies)IsotropicetchingChemical+physicaletching(usingreactiveneutralspeciesandionicspecies)Anisotropicetching3Effectoftheinhibitor

w/oinhibitor=>Isotropicw/inhibitor=>Anisotropic5PlasmaassistedetchingDrychemicaletching(Plasmaetching)RFenergyisappliedtoaseparateelectrodewiththesubstratesgrounded.Materialisremovedfromthesubstratebychemicalmeans.PurelychemicaletchingGlowdischargeisusedtoproducechemicallyreactivespecies(atoms,radicals,orions)Reactive-ionEtching(RIE)IfRFenergyisappliedtothesubstratesinalowpressurehalogen-richenvironment,materialcanberemovedbybothchemicalmeansandionbombardmentofthesubstratesurface.Greatercontroloverlinewidthsandedgeprofilesispossiblewithoxides,nitrides,polysiliconandaluminum.Acombinationofphysical/chemicaletchingAccomplishedbyreplacingtheneutralgasinar.f.sputteringsystembyoneormorechemicalspeciesGlowdischargeisusedtoproducechemicallyreactivespecies(atoms,radicals,orions)andchemicallyinertionsHighlyanisotropicetching6濺射離子刻蝕原理及斜面刻蝕分析

1.刻面效應(yīng)

2.再沉積效應(yīng)

3.陰影效應(yīng)

7910

表征方法1.霍爾效應(yīng)測(cè)試2.X射線衍射方法（XRD）3.光致發(fā)光譜（PL）4.X射線光電子能譜（XPS）5.其他測(cè)試方法：掃描電子顯微鏡（SEM）、采用PMT920光電倍增、DF4810型晶體管特性圖示儀、KEITHLEY4200I-V測(cè)試系統(tǒng)

11半導(dǎo)體材料及器件工藝技術(shù)（一）

1發(fā)光器件材料及工藝技術(shù)2光伏器件材料及工藝技術(shù)13l<0.87μm1發(fā)光器件材料及工藝技術(shù)1415172光伏器件材料及工藝技術(shù)18在織構(gòu)化硅襯底上制備的HIT太陽(yáng)電池（HeterojunctionWithIntrinsicThinLayer）19濺射（sputtering）又叫陰極濺射（cathodicsputtering）。濺射鍍膜是一個(gè)PVD過程。通過用由稀有氣體在低真空下放電獲得的正離子轟擊置于陰極的固體表面（靶），使固體原子（或分子）從表面射出，進(jìn)而以一定能量淀積在基片上，形成薄膜。與蒸發(fā)薄膜相比，由于濺射中的靶材料無相變，化合物不易分解，合金不易分餾，因此使用的膜材更為廣泛。在微米/納米技術(shù)中有廣泛的用途。如用于制備金屬膜、合金膜、半導(dǎo)體膜、氧化物、絕緣介質(zhì)膜、化合物半導(dǎo)體膜、碳化物及氮化物，以及超導(dǎo)薄膜等。濺射鍍膜

21射頻濺射鍍膜法在靶陰極上的電位是相對(duì)0電位的基片的是一疊加在－4000V負(fù)高壓上作射頻變化的電壓。特點(diǎn)：淀積速率高，質(zhì)量較好，幾乎適于所有材料。磁控濺射鍍膜法在電場(chǎng)的垂直方向加一磁場(chǎng)，電子在正交電磁場(chǎng)的空間里作擺線運(yùn)動(dòng)，大大提高離子流的密度，從而提高濺射效率。是一種理想的方法，已獲廣泛應(yīng)用。+-22濺射閥值濺射閥值是指使靶原子發(fā)生濺射的入射離子所必須具有的最小能量。能量較小的荷電正離子并不能立即陰極材料中轟出原子。而只能使它們?cè)谄淦胶馕恢眉铀僬駝?dòng)。只有當(dāng)獲得的能量超過其結(jié)合能，才可能從表面被濺射出來。濺射閾值取決于靶材料對(duì)于同一周期的元素，濺射閥值隨原子序數(shù)增加而減小。對(duì)絕大多數(shù)金屬來說，該值為10~30eV23離子成膜法離子鍍膜法是美國(guó)Sandia公司的D.M.Mattox于1963年首先提出來的，它是在真空條件下，靠直流電場(chǎng)引起放電，陽(yáng)極兼作蒸發(fā)源，基片放在陰極上，在氣體離子和蒸發(fā)物質(zhì)的轟擊下，將蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)物鍍?cè)诨姷咨?。由于使用離子轟擊基片，可以獲得附著性更好，膜的硬度更高，厚更厚的薄膜。1-5kV原子離子25蒸發(fā)離子鍍離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物部分離化，產(chǎn)生離子轟擊效應(yīng)，最終將蒸發(fā)物或反應(yīng)物沉積在基片上。離子鍍集氣體輝光放電、等離子體技術(shù)、真空蒸發(fā)技術(shù)于一身，大大改善了薄膜的性能。優(yōu)點(diǎn)是：1、兼有真空蒸發(fā)鍍膜和濺射的優(yōu)點(diǎn)；2、所鍍薄膜與基片結(jié)合好；3、到達(dá)基片的沉積粒子繞射性好；4、可用于鍍膜的材料廣泛；5、沉積率高；6、鍍膜前對(duì)鍍件清洗工序簡(jiǎn)單且對(duì)環(huán)境無污染。26成膜原理在離子鍍的過程中，存在兩種反的過程其一，淀積作用：淀積速率（m/min）：薄膜密度 g/cm3M：淀積物質(zhì)的摩爾質(zhì)量NA：質(zhì)量阿佛伽德羅常數(shù)其二，剝離作用j：入射離子形成的電流密度（mA/cm2）鍍膜條件：n>nj27CVD薄膜生長(zhǎng)29CVD化學(xué)反應(yīng)Pyrolysis

irreversibleHydridereaction,SiH4(g)Si(s)＋2H2(g)Metal-organicreaction

MOCVD(CH3)3Ga(g)＋AsH3(g)GaAs(s)＋3CH4(g)Advantages: lowgrowthtemperature coldwallreactorDisadvantage: chemicalpurityandcost30CVD化學(xué)反應(yīng)Disproportionation

irreversibleAsCl3(g)＋3Ga(s)3GaCl(g)＋1/4As4(g)3GaCl(g)＋1/2As4(g)2GaAs(s)＋GaCl3(g)Disadvantages: multizonefurnace lowgasflow lowreactionefficiency(<66%) systemcontamination(hotwall)31Plasma-EnhancedCVD32半導(dǎo)體材料及器件工藝技術(shù)（五）1刻蝕技術(shù)化學(xué)刻蝕、離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕2半導(dǎo)體材料及器件的測(cè)試33RF-poweredplasmaetchsystemRF-poweredplasmaetchsystem34PhysicalEtching?Notveryselectivesinceallmaterialssputterataboutthesamerate.?Physicalsputteringcancausedamagetosurface,withextentandamountofdamageadirectfunctionofionenergy(notiondensity).IonEnhancedEtching?Thechemicalandphysicalcomponentsofplasmaetchingdonotalwaysactindependently-bothintermsofnetetchrateandinresultingetchprofile.?FigureshowsetchrateofsiliconasXeF2gas(notplasma)andAr+ionsareintroducedtothesiliconsurface.Onlywhenbotharepresentdoesappreciableetchingoccur.?Etchprofilescanbeveryanisotopic,andselectivitycanbegood.NoplasmasputteringSILICONVLSITECHNOLOGYFundamentals,PracticeandModelingByPlummer,Deal&Griffin?2000byPrenticeHallUpperSaddleRiverNJ35Etchantsandetchproducts36PlasmaassistedetchingPlasmaassistedetchingsequenceTakeamoleculargasCF4EstablishaglowdischargeCF4+eCF3+

F+e RadicalsreactwithsolidfilmstoformvolatileproductSi+4F

SiF4Pumpawayvolatileproduct(SiF4)37（六）代表性的幾種半導(dǎo)體材料特性

及表征技術(shù)Elementalsemiconductor--Si,GeCompoundsemiconductorIV-IV---SiSiCIII-V----GaAs,GaSb,InP,InAs,II-VI---ZnO,ZnS,ZnSeAlloysBinary---Si1-xGexTenary---AlGaAs,AlInAs,Quatern