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晶體管的分類晶體管的代表形狀小尺寸表面安裝型晶體管 插入型晶蝦管（圖為轄截重囹）晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1.按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。晶體管INPN型 朔P型g^EIFET?MOSSFET明/螢伴產(chǎn)雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETFieldEffectTransistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。接合型FET多用于音頻設(shè)備等的模擬電路中，MOS型FET主要用于微控制器等數(shù)字IC。GaAs型用于衛(wèi)星廣播信號接收等的微波增幅。

MetalOxideSemicONductor的簡稱，因其構(gòu)造分別是金屬(Metal)、硅酸化膜(Oxide)、半辱體(SemicONductor),故稱MOS。MOS還分為P型、N型、C型，因為消費(fèi)電流小，用于微控制器等集成度高的IC。2.按功率分類晶體管小信號晶體置功率晶體管小信號晶體置功率晶體管功率橫過1W率不沱詰賽匝主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大集電極電流(IC(max))在500mA以下，最大集電極功率(PC(max))不超過1W的晶體管。相對功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點(diǎn)之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過1W。相比小信號晶體管擁有更大的最大集電極電流、最大集電極功率，對于散熱而言，它本身形狀就很大，有的功率晶體管上還覆蓋著金屬散熱片。晶體管〃一詞由Transfer(傳送信號)和Resistor(電阻器)組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶

體管也俗稱〃石〃，設(shè)計者常用〃…之石〃的叫法3.按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式晶體管以外，還制造集成多個晶體管的復(fù)合晶體管。包括內(nèi)置電阻的數(shù)字晶體管、集多個晶體管于一體的晶體管陣列，還有構(gòu)成簡單電路的晶體管單元。※數(shù)字晶體管內(nèi)置電阻的晶體管。它是在電路設(shè)計中將頻繁使用的部分標(biāo)準(zhǔn)化

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