ICS77.040

H21

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YST23—2016

代替

YS/T23—1992

硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法

TestmethodforthicknessofepitaxiallayersStackingfaultsize

2016-04-05發(fā)布2016-09-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YST23—2016

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法本標準與相

YS/T23—1992《》。YS/T23—1992

比主要變動如下

,:

增加了術(shù)語和定義干擾因素見第章第章

———“”“”(3、5);

刪除了非破壞性測試方法

———;

在第章中增加了無鉻腐蝕液的配制見

———6B(6.9);

修改了第章測量儀器中的顯微鏡并去掉了測微標尺

———7;

在第章中增加了試樣制備方法二見

———8(8.3);

修改了第章測量步驟

———9;

修改了測量結(jié)果的計算公式用顯微鏡圖像處理技術(shù)的結(jié)果替代邊長計算

———,;

增加了外延層厚度T和堆垛層錯圖形邊長L的關(guān)系見附錄

———(A)。

本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位南京國盛電子有限公司有研半導體材料有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標準主要起草人馬林寶楊帆葛華劉小青孫燕徐新華

:、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T23—1992。

Ⅰ

YST23—2016

硅外延層厚度測定堆垛層錯尺寸法

1范圍

本標準規(guī)定了利用堆垛層錯尺寸法測量硅外延層厚度的方法

。

本標準適用于在和晶向的硅單晶襯底上生長的硅外延層厚度的

<111>、<100><110>2μm~120μm

測量

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T14847

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

外延層中存在著生長完整的堆垛層錯經(jīng)化學腐蝕后可用干涉顯微鏡觀察在

,。<111>、<100>、<110>

三種低指數(shù)晶向的硅單晶襯底上生長的外延層中生長完全的堆垛層錯分別在外延層表面上呈現(xiàn)封閉

,

的等邊三角形正方形和等腰三角形由于硅單晶襯底有一定的晶向偏離實際觀察到的堆垛層錯的圖

、。,

形會稍有變形對上述三種低指數(shù)晶向的外延片外延層厚度T和堆垛層錯圖形邊長L的關(guān)系相互關(guān)

。,(

系參見附錄如表所述

A)1。

表1外延層厚度T和堆垛層錯圖形邊長L的關(guān)系

襯底取向

<111><100><110>

層錯圖形

等邊三角形正方形等腰三角形

T與L關(guān)系TLTLTL

=0.816=0.707=