標(biāo)準(zhǔn)解讀
《YS/T 644-2007 鉑釕合金薄膜測試方法 X射線光電子能譜法測定合金態(tài)鉑及合金態(tài)釕含量》是一項針對鉑釕合金薄膜中鉑和釕元素含量分析的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用X射線光電子能譜(XPS)技術(shù)對樣品進(jìn)行定性和定量分析的具體步驟與要求,適用于科研機(jī)構(gòu)、質(zhì)量控制實驗室以及相關(guān)生產(chǎn)企業(yè)對于鉑釕合金薄膜材料成分檢測的需求。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),首先需要準(zhǔn)備待測的鉑釕合金薄膜樣品,并確保其表面清潔無污染。然后,在適當(dāng)?shù)臈l件下利用X射線光電子能譜儀對樣品表面進(jìn)行掃描,通過測量從樣品表面逸出的光電子動能來獲取關(guān)于元素種類及其化學(xué)狀態(tài)的信息。通過對獲得的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理分析,可以得到鉑和釕兩種元素在合金中的相對含量。
整個過程中需要注意控制實驗條件如真空度、X射線源參數(shù)等以保證結(jié)果準(zhǔn)確性;同時也要考慮到不同元素間可能存在的相互作用對最終結(jié)果的影響。此外,為了提高測試精度,還建議采用適當(dāng)?shù)臉?biāo)準(zhǔn)物質(zhì)來進(jìn)行校正。
該標(biāo)準(zhǔn)為鉑釕合金薄膜中鉑、釕含量的準(zhǔn)確測定提供了科學(xué)依據(jù)和技術(shù)指導(dǎo),有助于促進(jìn)相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)產(chǎn)品質(zhì)量的提升與發(fā)展。
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- 2007-04-13 頒布
- 2007-10-01 實施
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YS/T 644-2007鉑釕合金薄膜測試方法 X射線光電子能譜法測定合金態(tài)鉑及合金態(tài)釕含量-免費(fèi)下載試讀頁文檔簡介
ICS77.120.99Y5H68中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)YS/T644—2007鉑釘合金薄膜測試方法X射線光電子能譜法測定合金態(tài)鉑及合金態(tài)釘含量DeterminationmethodofPt-Rualloyfilm-DeterminationofalloyedPtcontentandalloyedRucontentbyX-rayphotoelectronspectroscopy2007-04-13發(fā)布2007-10-01實施中華人民共和國國家發(fā)展和改革委員會發(fā)布
YS/T644—2007前本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口本標(biāo)準(zhǔn)由昆明貴金屬研究所負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:楊濱、李腸、楊喜昆、管林寒本標(biāo)淮由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會負(fù)責(zé)解釋。本標(biāo)準(zhǔn)首次發(fā)布。
YS/T644-2007鉑釘合金薄膜測試方法X射線光電子能譜法測定合金態(tài)鉑及合金態(tài)釘含量范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鉑釘(Pt-Ru)合金薄膜材料中合金態(tài)鉑及合金態(tài)釘含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))的測定方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于鉑釘合金薄膜材料中合金態(tài)鉑及合金態(tài)釘質(zhì)量分?jǐn)?shù)的測定,也可適用于各種鉑合金薄膜材料中合金態(tài)鉑質(zhì)量分?jǐn)?shù)及其他合金態(tài)金屬質(zhì)量分?jǐn)?shù)的測定。測定范圍:合金態(tài)鉑質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于3%,合金態(tài)釘質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于3%。本標(biāo)準(zhǔn)不適用于單層厚度不大于10nm的層狀薄膜方法原理在單色(或準(zhǔn)單色)X射線照射下,測量材料表面所發(fā)射的光電子能譜來獲取表面化學(xué)成分、分子紀(jì)構(gòu)等方面的信息,這種表面分析技術(shù)稱為X射線光電子能譜法(XPS)。XPS測量獲得試樣能譜圖,經(jīng)擬合形成若干譜峰,通過對各譜峰峰面積以及相對靈敏度因子計算得到試樣中合金態(tài)金屬的原子百分?jǐn)?shù)和質(zhì)量分?jǐn)?shù)3儀器和設(shè)備3.1X射線光電子能譜儀,凡能達(dá)到下列指標(biāo)者均可使用真空度:10-6Pa~10-Pa。MgK.X射線能址:1253.6V激發(fā)源功率:200W~400W。荷電校正:通常采用在試樣上蒸鍍金作為參照物來定標(biāo).即選定Au為84.0eV:或以污染碳Cls284.8eV定標(biāo)。分牌率:0.8eV。采樣深度:<10nm。3.2切割工具:醫(yī)用剪刀、玻璃刀。3.3醫(yī)用攝子。試樣的制備4采用切割工具將樣品切割成尺寸不大于10mm×10mm的試樣,制樣過程中應(yīng)戴醫(yī)用手套)5測量步驃5.1用醫(yī)用攝子夾住試樣放入光電子能譜進(jìn)樣室.抽真空至10-Pa.保持5min.將進(jìn)樣室中試樣導(dǎo)入分析室中的樣品臺座上。待真空度達(dá)到10-"Pa后,選取Mg靶.開啟X-ray光槍做XPS圖譜分析.5.2對試樣的XPS測試圖譜進(jìn)行曲線擬合分峰,得到各譜峰,
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