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文檔簡介

熔鹽生長法3.生長速率（BCF理論）

<<1：tanh1/≈1,>>1：tanh1/≈1/

V＝C∝

二、助熔劑的選擇

1.有足夠大的溶解度，一般應為10～50wt%，同時在生長溫度范圍內，還應有適度的溶解度的溫度系數(shù)；2.所生成的晶體是唯一穩(wěn)定的物相（不反應），助溶劑與參與結晶的成分最好不要形成多種穩(wěn)定的化合物；3.固溶度應盡可能小，盡可能選用同離子助熔劑；4.小粘滯性,使擴散速率↗,生長速率↗,完整性↗;5.低熔點，高沸點，才有較寬的生長溫區(qū)；6.很小的揮發(fā)性、腐蝕性和毒性，避免對人體、坩堝和環(huán)境造成損害和污染；7.

易溶于對晶體無腐蝕作用的液體溶劑中，如水、酸或堿性溶液等，以便于生長結束時晶體與母液的分離。

8.很難找到一種能同時滿足上述條件要求的助熔劑。在實際使用中，一般采用復合助熔劑來盡量滿足這些要求。

例如：PbO和PbF2

表7.5給出了一些常用的助熔劑和所生長的晶體。

P166

三、生長設備及操作方法

1.設備

1)生長爐：要求保溫性能好，坩堝進出方便，耐腐蝕；

2)坩堝材料：Pt,避免鉛、鉍、鐵的影響（會與鉑生成低共熔物）。使用鉛基助熔劑時，加入少量PbO2可以增加坩堝的壽命。2.生長工藝：1）按比例配料，裝爐；2）生長過程中，精確控溫；3）分離殘余溶液（1）直接傾倒，再回爐緩冷；（2）直接冷卻，溶解余液；（3）坩堝底部開孔；（4）特殊裝置a.倒轉法：fig.7.4.2b.傾斜法：fig.7.4.3圖7.4.2倒轉法示意圖（a）冷卻到液相線溫度以下；（b）生長階段；（c）重新轉回來，把晶體助熔劑分開

圖7.4.3坩堝傾斜法示意圖

四、優(yōu)缺點1.適應性強；2.生長溫度低；3.晶體應力小，均勻完整；4.設備簡單。1.速率慢，周期長，小晶體；2.助溶劑有毒，污染爐體和環(huán)境。

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