第2章半導(dǎo)體二極管及直流穩(wěn)壓電源第2章半導(dǎo)體二極管及直流穩(wěn)壓電源2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識2.2半導(dǎo)體二極管2.3晶體二極管電路的分析方法

2.4晶體二極管的應(yīng)用及直流穩(wěn)壓電源2.5半導(dǎo)體器件型號命名及方法2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同，來劃分，可分為：導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。1.導(dǎo)體：容易導(dǎo)電的物體。如：鐵、銅等2.絕緣體：幾乎不導(dǎo)電的物體。如：橡膠等3.半導(dǎo)體：半導(dǎo)體是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物體。在一定條件下可導(dǎo)電。典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。2.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體特點：

1)在外界能源的作用下，導(dǎo)電性能顯著變化。光敏元件、熱敏元件屬于此類。

2)在純凈半導(dǎo)體內(nèi)摻入雜質(zhì)，導(dǎo)電性能顯著增加。二極管、三極管屬于此類。1.本征半導(dǎo)體——純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%，常稱為“九個9”。電子技術(shù)中用的最多的是硅和鍺。硅和鍺都是4價元素，它們的外層電子都是4個稱為價電子。其簡化原子結(jié)構(gòu)模型如下圖：無雜質(zhì)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)2.1.1本征半導(dǎo)體每個原子的四個價電子分別與周圍的四個原子的價電子形成共價鍵。2.本征半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)兩個電子的共價鍵正離子芯共價鍵中的價電子為這些原子所共有，并為它們所束縛，在空間形成排列有序的晶體。由于隨機(jī)熱振動致使共價鍵被打破而產(chǎn)生空穴－電子對

這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)，也稱熱激發(fā)。自由電子與空穴相碰同時消失，稱為復(fù)合。

一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運動加劇，掙脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。動態(tài)平衡由于熱運動，具有足夠能量的價電子掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子自由電子的產(chǎn)生使共價鍵中留有一個空位置，稱為空穴3.本征半導(dǎo)體中的兩種載流子空穴的移動由于共價鍵中出現(xiàn)了空穴，在外加能源的激發(fā)下，鄰近的價電子有可能掙脫束縛補(bǔ)到這個空位上，而這個電子原來的位置又出現(xiàn)了空穴，其它電子又有可能轉(zhuǎn)移到該位置上。這樣一來在共價鍵中就出現(xiàn)了電荷遷移—電流。電流的方向與電子移動的方向相反，與空穴移動的方向相同。本征半導(dǎo)體中，產(chǎn)生電流的根本原因是由于共價鍵中出現(xiàn)了空穴。空穴的移動自由電子空穴空穴的運動實質(zhì)上是價電子填補(bǔ)空穴而形成的。空穴的運動磷（P）

雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，實現(xiàn)導(dǎo)電性可控。多數(shù)載流子

空穴比未加雜質(zhì)時的數(shù)目多了？少了？為什么？在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。施主雜質(zhì)1.N型半導(dǎo)體2.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體所以，N型半導(dǎo)體中的導(dǎo)電粒子有兩種：

自由電子—多數(shù)載流子 空穴——少數(shù)載流子N型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示：自由電子施主正離子2.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體硼（B）多數(shù)載流子

P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，溫度變化時，載流子的數(shù)目變化嗎？在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成。受主雜質(zhì)2.P型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示：P型半導(dǎo)體中：

空穴是多數(shù)載流子，主要由摻雜形成；

電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成?？昭ㄊ苤髫?fù)離子2.P型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體自由電子、空穴

N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體多數(shù)載流子、少數(shù)載流子施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)本節(jié)中的有關(guān)概念物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運動稱為擴(kuò)散運動。氣體、液體、固體均有之。擴(kuò)散運動P區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高于N區(qū)。N區(qū)自由電子濃度遠(yuǎn)高于P區(qū)。

擴(kuò)散運動使靠近接觸面P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場。1.PN結(jié)的形成2.1.3PN結(jié)的形成及特性

因電場作用所產(chǎn)生的運動稱為漂移運動。

參與擴(kuò)散運動和漂移運動的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動態(tài)平衡，就形成了PN結(jié)。漂移運動由于擴(kuò)散運動使P區(qū)與N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場，從而阻止擴(kuò)散運動的進(jìn)行。內(nèi)電場使空穴從N區(qū)向P區(qū)、自由電子從P區(qū)向N區(qū)運動。1.PN結(jié)的形成因濃度差多子擴(kuò)散形成空間電荷區(qū)促使少子漂移阻止多子擴(kuò)散PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通：耗盡層變窄，擴(kuò)散運動加劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。PN結(jié)加反向電壓截止：耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運動，有利于漂移運動，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。必要嗎？2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦援?dāng)外加電壓使PN結(jié)中P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；反之稱為加反向電壓，簡稱反偏。

(1)PN結(jié)加正向電壓時低電阻大的正向擴(kuò)散電流2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)的伏安特性

(2)PN結(jié)加反向電壓時高電阻很小的反向漂移電流在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個電流也稱為反向飽和電流。(1)擴(kuò)散電容CD擴(kuò)散電容示意圖是由多數(shù)載流子在擴(kuò)散過程中積累而引起的。正向電壓時，載流子積累電荷量發(fā)生變化，相當(dāng)于電容器充電和放電的過程——擴(kuò)散電容效應(yīng)。當(dāng)加反向電壓時，擴(kuò)散運動被削弱，擴(kuò)散電容的作用可忽略。3.PN結(jié)的電容效應(yīng)

(2)勢壘電容CT是由PN結(jié)的空間電荷區(qū)變化形成的?？臻g電荷區(qū)的正負(fù)離子數(shù)目發(fā)生變化，如同電容的放電和充電過程。勢壘電容的大小可用下式表示：由于PN結(jié)寬度l隨外加電壓U而變化，因此勢壘電容CT不是一個常數(shù)。：半導(dǎo)體材料的介電比系數(shù)；S：結(jié)面積；d：耗盡層寬度。結(jié)電容3.PN結(jié)的電容效應(yīng)將PN結(jié)封裝，引出兩個電極，就構(gòu)成了二極管。小功率二極管大功率二極管穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管2.2半導(dǎo)體二極管二極管按結(jié)構(gòu)分有點接觸型、面接觸型兩大類。(1)點接觸型二極管

PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。1.半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)(a)點接觸型

二極管的結(jié)構(gòu)示意圖（a）面接觸型（b）集成電路中的平面型（c）代表符號(2)面接觸型二極管

PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。(b)面接觸型1.半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)其中二極管的伏安特性IS——反向飽和電流UT

——溫度的電壓當(dāng)量且在常溫下（T=300K）2.二極管的伏安特性正向特性為指數(shù)曲線反向特性為橫軸的平行線若正向電壓u>>UT,則若反向電壓|u|>>UT，則2.二極管的伏安特性i≈?IS

伏安特性受溫度影響T（℃）↑→在電流不變情況下管壓降u↓→反向飽和電流IS↑，U(BR)

↓T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移增大1倍/10℃2.二極管的伏安特性

伏安特性受溫度影響鍺二極管2AP15的伏安特性2.二極管的伏安特性硅二極管的死區(qū)電壓Uth=0.5V左右，

鍺二極管的死區(qū)電壓Uth=0.1V左右。

當(dāng)0＜uD

＜Uth時，正向電流為零，Uth稱為死區(qū)電壓或開啟電壓。當(dāng)uD＞0即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段：當(dāng)uD

＞Uth時，開始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長。開啟電壓2.二極管的伏安特性當(dāng)uD＜0時，即處于反向特性區(qū)域。反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當(dāng)UBR＜uD＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS

。當(dāng)uD≥UBR時，反向電流急劇增加，UBR稱為反向擊穿電壓。鍺二極管2AP15的伏安特性擊穿電壓2.二極管的伏安特性材料開啟電壓導(dǎo)通電壓反向飽和電流硅Si0.5V0.5~0.8V1μA以下鍺Ge0.1V0.1~0.3V幾十μA當(dāng)PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為PN結(jié)的反向擊穿。雪崩擊穿齊納擊穿電擊穿——可逆二極管的反向擊穿（1）雪崩擊穿摻雜濃度較低的PN結(jié)空間電荷區(qū)寬電子在強(qiáng)電場作用下加速獲得很大的動能碰撞出價電子連鎖反應(yīng)猶如發(fā)生雪崩擊穿電壓高雪崩擊穿電壓隨溫度升高而增大，具有正的溫度系數(shù)。熱擊穿——不可逆PN結(jié)被擊穿后，PN結(jié)上的壓降高，電流大，功率大。當(dāng)PN結(jié)上的功耗使PN結(jié)發(fā)熱，并超過它的耗散功率時，PN結(jié)將發(fā)生熱擊穿。這時PN結(jié)的電流和溫度之間出現(xiàn)惡性循環(huán)，最終將導(dǎo)致PN結(jié)燒毀。二極管的反向擊穿（2）齊納擊穿摻雜濃度較高的PN結(jié)空間電荷區(qū)窄反向電壓，就能建立很強(qiáng)的電場直接拉出價電子擊穿電壓不高齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低，具有負(fù)的溫度系數(shù)。(1)最大整流電流IF(2)反向擊穿電壓UBR和最大反向工作電壓UR

二極管反向電流急劇增加時對應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓UBR。為安全計，在實際工作時，最大反向工作電壓URM一般只按反向擊穿電壓UBR的一半計算。二極管長期連續(xù)工作時，允許通過二極管的最大整流電流的平均值。2.2.3二極管的主要參數(shù)(3)反向電流IR

在室溫下，在規(guī)定的反向電壓下，一般是最大反向工作電壓下的反向電流值。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級；鍺二極管在微安(A)級。即IS(4)最高工作頻率fM(5)極間電容CJ2.2.3二極管的主要參數(shù)將指數(shù)模型分段線化，得到二極管特性的等效模型。1.二極管的簡化模型理想開關(guān)導(dǎo)通時uD＝0截止時IS＝0理想二極管(1)理想模型2.3.1晶體二極管的模型2.3晶體二極管電路的分析方法近似分析中最常用（2）恒壓降模型導(dǎo)通時u＝UD(on)截止時IS＝02.3晶體二極管電路的分析方法（3）折線模型導(dǎo)通時△iD與△uD成線性關(guān)系？應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！100V？5V？1V？2.3晶體二極管電路的分析方法Q越高，rd越小。當(dāng)二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動態(tài)信號作用時，則可將二極管等效為一個電阻，稱為動態(tài)電阻，也就是微變等效電路。ui=0時直流電源作用小信號作用2.交流小信號等效模型2.交流小信號等效模型（室溫下)即根據(jù)靜態(tài)電流在Q點上2.3.2晶體二極管電路的分析方法1.數(shù)值解法聯(lián)立求解迭代法

2.圖解分析法負(fù)載線二極管伏安關(guān)系工作點2.3.2晶體二極管電路的分析方法uD=VDD－iDR3.簡化模型分析法對如圖所示簡單二極管電路，采用不同的簡化模型，得到不同的電路（1）理想模型，用短路線代替導(dǎo)通的二極管（2）恒壓降模型時，用恒壓降模型等效電路代替二極管(a)理想模型電路（b）恒壓降模型電路簡單二極管電路（3）折線模型，用折線模型等效電路代替二極管簡單二極管電路（c）折線模型電路3.簡化模型分析法討論判斷二極管工作狀態(tài)的方法？什么情況下應(yīng)選用二極管的什么等效電路？3.簡化模型分析法解：（1）斷開VD，如圖(b)，求UD。

【例】電路如圖(a)所示。試用理想模型求輸出電壓Uo。注意：UD的參考方向應(yīng)與二極管的方向相一致3.簡化模型分析法用導(dǎo)通時的理想模型(導(dǎo)線)代替二極管，得到圖(c)(2)理想模型UD>0V，∴VD導(dǎo)通由此求得：UO=1V3.簡化模型分析法解：理想模型由圖(b)可以得到：UD2=－1+5=4(V)>0UD1=－1(V)<0∴VD1截止，VD2導(dǎo)通得到圖(c)∴Uab=－5(V)3.簡化模型分析法【例】電路如圖(a)所示，理想二極管，求輸出電壓Uo。解：UD2=1+5=6(V)>0UD1=1(V)>0UD2>UD1∴VD2先導(dǎo)通由圖(b)重求UD1UD1=?5(V)<0∴VD1截止為什么不是UD1=1(V)？∴Uab=－5(V)3.簡化模型分析法解：（1）理想模型當(dāng)ui≤UREF時，二極管截止，

當(dāng)ui>UREF時，二極管導(dǎo)通，波形如圖所示【例2.3.1】電路如圖所示R=1kΩ,UREF=3V為直流參考電壓源。當(dāng)ui=6sinωt(V)試分別用理想模型和恒壓降模型分析該電路，畫出相應(yīng)的輸出電壓uo的波形。解：（2）恒壓降模型波形如圖所示當(dāng)ui≤UREF+UD(on)時，二極管截止，當(dāng)ui>UREF+UD(on)時，二極管導(dǎo)通，(c)恒壓降模型3.簡化模型分析法482.4晶體二極管的應(yīng)用及直流穩(wěn)壓電源直流電源的組成及各部分的作用改變電壓值通常為降壓交流變脈動的直流減小脈動1)負(fù)載變化輸出電壓基本不變；2)電網(wǎng)電壓變化輸出電壓基本不變。

直流電源是能量轉(zhuǎn)換電路，將220V（或380V）50Hz的交流電轉(zhuǎn)換為直流電。半波整流全波整流

在分析電源電路時要特別考慮的兩個問題：允許電網(wǎng)電壓波動±10％，且負(fù)載有一定的變化范圍。（1）

工作原理u2的正半周，D導(dǎo)通，A→D→RL→B，uO=u2

。u2的負(fù)半周，D截止，承受反向電壓，為u2；uO=0。1．半波整流電路2.4.2.小功率整流濾波電路(2)UO（AV）和IO（AV）的估算

已知變壓器副邊電壓有效值為U22.4.2.小功率整流濾波電路考慮到電網(wǎng)電壓波動范圍為±10％，二極管的極限參數(shù)應(yīng)滿足：(3)二極管的選擇2.4.2.小功率整流濾波電路52u2的正半周

A→D1→RL→D3→B，uO=u2u2的負(fù)半周

B→D2→RL→D4→A，uO=-u2四只管子如何接？集成的橋式整流電路稱為整流堆。(1)工作原理若接反了呢？2、單相橋式整流電路(2)輸出電壓和電流平均值的估算2、單相橋式整流電路考慮到電網(wǎng)電壓波動范圍為±10％，二極管的極限參數(shù)應(yīng)滿足：與半波整流電路對二極管的要求相同(3)

二極管的選擇2、單相橋式整流電路553.電容濾波電路(1)工作原理充電放電速度與正弦波下降速度相似按指數(shù)規(guī)律下降濾波后，輸出電壓平均值增大，脈動變小。當(dāng)|u2|>|uC|時，有一對二極管導(dǎo)通，對電容充電，τ充電非常小當(dāng)|u2|<|uC|時，所有二極管均截止，電容通過RL放電，τ放電=RLC。2、單相橋式整流電路考慮整流電路的內(nèi)阻

C越大，RL越大，τ越大，放電越慢，曲線越平滑，脈動越小。2、單相橋式整流電路(2)

二極管的導(dǎo)通角導(dǎo)通角無濾波電容時θ＝π。有濾波電容時θ<π，且二極管平均電流增大，故其峰值很大！θ小到一定程度，難于選擇二極管！2、單相橋式整流電路

簡單易行，UO（AV）高，C足夠大時交流分量較小；不適于大電流負(fù)載。(3)電容的選擇及UO（AV）的估算優(yōu)缺點整流橋的簡化畫法2、單相橋式整流電路討論已知變壓器副邊電壓有效值為10V，電容足夠大，判斷下列情況下輸出電壓平均值UO（AV）≈？

1.正常工作；

2.C開路；

3.RL開路；

4.D1和C同時開路；

5.D1開路。2、單相橋式整流電路伏安特性符號等效電路1.穩(wěn)壓管的伏安特性和主要參數(shù)進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流不至于損壞的最大電流由一個PN結(jié)組成，反向擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)端電壓基本不變，為穩(wěn)定電壓。穩(wěn)定電壓UZ：穩(wěn)壓管的擊穿電壓穩(wěn)定電流IZ：使穩(wěn)壓管工作在穩(wěn)壓狀態(tài)的最小電流最大耗散功率PZM：允許的最大功率，PZM=IZMUZ動態(tài)電阻rz：工作在穩(wěn)壓狀態(tài)時，rz＝ΔU/ΔI2.4.3穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路2.基本電路的組成若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太大則會因功耗過大而損壞，因而穩(wěn)壓管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的限流電阻！限流電阻必不可少！R的作用限流電阻

調(diào)整電阻

2.4.3穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路（1）輸出電壓UO＝UZ（2）輸出電流IZmax－IZmin≤IZM－IZ（3）穩(wěn)壓系數(shù)（4）輸出電阻特點：簡單易行，穩(wěn)壓性能好。適用于輸出電壓固定、輸出電流變化范圍較小的場合。3.穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路的主要性能指標(biāo)4.工作原理（1）UI的選擇UI＝（2～3）UZ（2）穩(wěn)壓管的選擇UZ＝UO

IZM－IZ>ILmax－ILmin（3）限流電阻的選擇保證穩(wěn)壓管既穩(wěn)壓又不損壞。電網(wǎng)電壓最低且負(fù)載電流最大時，穩(wěn)壓管的電流最小。電網(wǎng)電壓最高且負(fù)載電流最小時，穩(wěn)壓管的電流最大。若求得Rmin>Rmax，怎么辦？若求得R=200~300Ω，則該取接近200Ω還是接近300Ω？為什么？2.穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路的設(shè)計3.穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路的主要性能指標(biāo)R太大，IZ太小，無法擊穿，R太小，IZ太大，燒毀管子，在保證可靠擊穿情況下，盡可能選較大的R值若求得R=200~300Ω，則該取接近200Ω還是接近300Ω？為什么？300Ω200Ω選300Ω200Ω若求得Rmin>Rmax，怎么辦？選Rmax選200Ω300Ω【例2.4.1】硅穩(wěn)壓管電路如圖所示。其中待穩(wěn)定的直流電壓UI=18V，R=1kΩ，RL=2kΩ，硅穩(wěn)壓管VDZ的穩(wěn)定電壓UZ=10V，動態(tài)電阻及未被擊穿時的反向電流均可忽略。

（1）試求UO、IO、IR和IZ的值。

（2）試求RL值降低到多大時，電路的輸出電壓將不再穩(wěn)定。解：（1）（2）當(dāng)2.4.3穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路2.4.3穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路【例】：設(shè)UI足夠大，UZ1=8V，UZ2=7.5V，UD(on)=0.7V，判斷VDZ1，VDZ2的導(dǎo)通情況，并求輸出電壓UO。依次選擇穩(wěn)壓管、UI、R、C、U2、二極管1.輸出電壓、負(fù)載電流→穩(wěn)壓管2.輸出電壓→UI3.輸出電壓、負(fù)載電流、穩(wěn)壓管電流、UI→R4.UI

、R→濾波電路的等效負(fù)載電阻→C5.UI→U26.U2、R中電流→整流二極管已知輸出電壓為6V，負(fù)載電流為0～30mA。試求圖示電路的參數(shù)。討論：穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路的設(shè)計輸出電壓：5V、6V、9V、12V、15V、18V、24V輸出電流：1.5A（W7800）、0.5A（W78M00）、0.1A（W78L00）1.固定輸出的三端穩(wěn)壓器—W7800系列

（1）簡介2.4.4三端集成穩(wěn)壓器使Co不通過穩(wěn)壓器放電抵銷長線電感效應(yīng)，消除自激振蕩將輸入端接整流濾波電路的輸出，將輸出端接負(fù)載電阻。（2）基本應(yīng)用消除高頻噪聲負(fù)電壓79

（3）具有正、負(fù)兩路輸出的穩(wěn)壓電路

IW為幾mA，UO與三端穩(wěn)壓器參數(shù)有關(guān)。隔離作用（4）輸出電壓擴(kuò)展電路2.基準(zhǔn)電壓源三端可調(diào)式穩(wěn)壓器W117

輸出電壓UREF＝1.25V，調(diào)整端電流只有幾微安。（1）簡介減小紋波電壓保護(hù)穩(wěn)壓器（2）基本應(yīng)用1.R1的上限值為多少？2.UO可能的最大值為多少？3.輸出電壓最