ICS19.100J04FORMTEXTDB41DB41/TFORMTEXTXXXXX—FORMTEXTXXXXFORMTEXTFORMTEXT壓力管道環(huán)向?qū)咏宇^相控陣超聲檢測(cè)規(guī)范FORMTEXTSpecificationforphasedarrayultrasonictestingofcircumferentialbuttjointofpressurepipingFORMTEXT點(diǎn)擊此處添加與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)一致性程度的標(biāo)識(shí)FORMDROPDOWNFORMTEXTFORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX發(fā)布FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX實(shí)施河南省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布DB41/TXXXXX—XXXX前言 II1范圍 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 14基本規(guī)定 25檢測(cè)準(zhǔn)備 86檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置及校準(zhǔn) 127檢測(cè) 168數(shù)據(jù)分析和評(píng)定 179檢測(cè)報(bào)告及保存 19附錄A（規(guī)范性附錄）相控陣超聲探頭晶片失效率的測(cè)試 21附錄B（規(guī)范性附錄）相控陣超聲探頭聲束偏轉(zhuǎn)范圍的測(cè)試 23附錄C（資料性附錄）檢測(cè)報(bào)告 25附錄D（資料性附錄）條文說明 28參考文獻(xiàn) 43前言本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)由河南省承壓類特種設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位:河南省鍋爐壓力容器安全檢測(cè)研究院、洛陽(yáng)中油檢測(cè)工程有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：本標(biāo)準(zhǔn)參加起草人:壓力管道環(huán)向?qū)咏宇^相控陣超聲檢測(cè)規(guī)范范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了壓力管道環(huán)向?qū)咏宇^采用一維線性陣列相控陣超聲檢測(cè)方法和質(zhì)量分級(jí)要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于同時(shí)具備下列條件的壓力管道環(huán)向?qū)咏宇^：a)管道材質(zhì)為碳素鋼或低合金鋼；b)管外徑大于或等于159mm，管壁厚為6mm～60mm的全焊透環(huán)向?qū)咏宇^（焊縫兩側(cè)母材厚度不同時(shí)，取薄側(cè)的厚度值）。規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T12604.1—2005無損檢測(cè)術(shù)語超聲檢測(cè)GB/T23905無損檢測(cè)超聲檢測(cè)用試塊GB/T32563無損檢測(cè)超聲檢測(cè)相控陣超聲檢測(cè)方法NB/T47013.1—2015承壓設(shè)備無損檢測(cè)第1部分：通用要求NB/T47013.3—2015承壓設(shè)備無損檢測(cè)第3部分：超聲檢測(cè)NB/T47013.10—2015承壓設(shè)備無損檢測(cè)第10部分：衍射時(shí)差法超聲檢測(cè)術(shù)語和定義GB/T12604.1和GB/T32563規(guī)定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。線性陣列相控陣探頭linearphasedarrayprobe由一組晶片沿著一個(gè)線性軸并行排列的相控陣探頭，見圖1。說明：A——激發(fā)（主動(dòng)）孔徑長(zhǎng)度，單位為毫米（mm）；W——被動(dòng)孔徑長(zhǎng)度，單位為毫米（mm）；e——晶片的寬度，單位為毫米（mm）；g——晶片間隙，單位為毫米（mm）；p——晶片間距，單位為毫米（mm）。線陣列探頭參數(shù)示意圖激發(fā)孔徑activeaperture單次激活晶片組的總長(zhǎng)度，又稱為主動(dòng)孔徑,按公式（1）計(jì)算。 (SEQ標(biāo)準(zhǔn)自動(dòng)公式\*ARABIC1)式中：n——激發(fā)晶片數(shù)量，單位為個(gè)；被動(dòng)孔徑passiveaperture線性陣列探頭中晶片的長(zhǎng)度尺寸，見圖1中W。固定角度掃描fixedanglescan用一個(gè)特定的聚焦法則激活一組晶片，形成一個(gè)固定不變的波束角，模仿常規(guī)單晶探頭的掃描。探頭步進(jìn)偏移probestepdeviation當(dāng)采用沿線掃查時(shí)，相控陣超聲楔塊前沿距焊縫中心線的距離。基本規(guī)定檢測(cè)人員相控陣超聲檢測(cè)人員應(yīng)具有特種設(shè)備超聲波檢測(cè)Ⅱ級(jí)及以上資格。相控陣超聲檢測(cè)人員應(yīng)經(jīng)過相控陣超聲檢測(cè)專項(xiàng)培訓(xùn)，具有對(duì)儀器調(diào)校和檢測(cè)數(shù)據(jù)分析的能力。檢測(cè)設(shè)備及器材一般要求相控陣超聲檢測(cè)設(shè)備及器材包括相控陣超聲儀器、軟件、探頭、楔塊、掃查裝置和附件。相控陣超聲儀器、探頭應(yīng)具有產(chǎn)品質(zhì)量證明文件。相控陣超聲儀器相控陣超聲儀器應(yīng)為脈沖回波型儀器，應(yīng)含有多路獨(dú)立的脈沖發(fā)射和接收通道，其放大器的增益調(diào)節(jié)最小步進(jìn)應(yīng)小于1dB。儀器應(yīng)在1MHz～15MHz的頻率范圍內(nèi)發(fā)射和接收脈沖信號(hào)。儀器數(shù)字化采樣頻率不應(yīng)低于5倍探頭頻率，儀器模數(shù)轉(zhuǎn)換位數(shù)不應(yīng)小于8位。儀器的水平線性誤差不應(yīng)大于1%，垂直線性誤差不應(yīng)大于5%。相控陣超聲檢測(cè)軟件相控陣超聲儀器檢測(cè)軟件應(yīng)有A、B、C、S型掃描獨(dú)立顯示和組合顯示功能，以及圖像存儲(chǔ)、拷貝、分析、聚焦法則計(jì)算、角度校正增益（ACG）、時(shí)間校正增益（TCG）和距離波幅校正增益（DAC）等功能。離線分析軟件應(yīng)有查看關(guān)鍵檢測(cè)參數(shù)設(shè)置和檢測(cè)數(shù)據(jù)圖像分析功能。聲場(chǎng)仿真軟件應(yīng)至少有坡口類型、掃描類型、聚焦法則、聲束顯示、探頭和楔塊設(shè)置等功能。相控陣超聲探頭及楔塊線性陣列相控陣探頭的晶片數(shù)量不應(yīng)少于16個(gè)，并可加裝在楔塊上。探頭實(shí)測(cè)中心頻率與標(biāo)稱頻率誤差不應(yīng)大于10%，探頭-6dB相對(duì)頻帶寬度不應(yīng)小于60%。探頭晶片之間靈敏度差值不應(yīng)大于±2dB，失效的晶片數(shù)不應(yīng)超過總數(shù)的12.5%，且不應(yīng)有相鄰的失效晶片。探頭和楔塊組合聲束偏轉(zhuǎn)范圍，不應(yīng)超過生產(chǎn)廠家的推薦范圍。楔塊應(yīng)與探頭匹配，可安裝在掃查裝置上；檢測(cè)時(shí)，斜角范圍不應(yīng)超過生產(chǎn)廠家推薦值。楔塊底部寬度方向的曲率應(yīng)與管道表面曲率相匹配。相控陣超聲檢測(cè)掃查裝置掃查裝置包括探頭和楔塊夾持機(jī)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)部分、導(dǎo)向部分、位置傳感器等。探頭夾持部分在掃查時(shí)應(yīng)保證探頭的傳播聲束與焊縫長(zhǎng)度方向夾角不變，可在不同曲率的管道上行走掃查，并可安裝位置編碼器。驅(qū)動(dòng)部分可采用自動(dòng)或手動(dòng)。導(dǎo)向部分應(yīng)能在掃查時(shí)保證探頭運(yùn)動(dòng)軌跡與擬掃查軌跡一致。試塊一般要求試塊制作材料應(yīng)與被檢管道材料的聲學(xué)性能相同或相似，試塊材料中超聲波聲束通過區(qū)域應(yīng)采用直探頭檢測(cè)，不應(yīng)有大于或等于φ2mm平底孔當(dāng)量直徑的缺陷，試塊的制作應(yīng)符合GB/T23905的規(guī)定。試塊掃查面的曲率應(yīng)與被檢管道外徑曲率基本一致，或被檢管道曲率半徑應(yīng)在試塊掃查面曲率半徑的0.9倍～1.5倍范圍內(nèi)。試塊掃查面曲率半徑適用管道外徑參見表1。試塊掃查面曲率半徑適用管道外徑對(duì)照表單位為毫米編號(hào)試塊掃查面曲率半徑R1適用管道外徑范圍184159～2522136.5252～4093213409～5004平面＞500根據(jù)檢測(cè)需要，可添加適用不同曲率的試塊；當(dāng)被檢管外徑大于500mm時(shí)，可采用曲率與被檢管道相同或平面試塊。標(biāo)準(zhǔn)試塊相控陣超聲G-ⅠA標(biāo)準(zhǔn)試塊，用于對(duì)聲速測(cè)試、楔塊延時(shí)測(cè)試、角度校正增益、探頭晶片有效性的測(cè)試等，其外形尺寸見圖2。說明：R1——試塊掃查面的圓弧曲率半徑。孔徑尺寸誤差不應(yīng)大于±0.02mm，其它尺寸誤差不應(yīng)大于±0.05mm。相控陣超聲G-ⅠA標(biāo)準(zhǔn)試塊聲束偏轉(zhuǎn)評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)試塊，用于相控陣聲束偏轉(zhuǎn)范圍、分辨率等測(cè)試，其外形尺寸見圖3。說明：R1——試塊掃查面的圓弧曲率半徑。聲束偏轉(zhuǎn)評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)試塊對(duì)比試塊對(duì)比試塊的厚度應(yīng)與被檢管道壁厚度相同或不超過被檢管道名義厚度的±25%；不同壁厚焊接接頭，試塊厚度應(yīng)由較大壁厚來確定。對(duì)比試塊的長(zhǎng)度應(yīng)滿足最大設(shè)置角度的檢測(cè)要求，橫通孔位置及直徑設(shè)置見表2。不同壁厚的對(duì)比試塊適用檢測(cè)厚度范圍單位為毫米編號(hào)對(duì)比試塊厚度適用管道厚度橫通孔深度橫通孔直徑示意圖G-ⅡA-1156～185、102圖4G-ⅡA-22418～305、10、202圖5G-ⅡA-33830～4510、20、302圖6G-ⅡA-45545～6010、20、40、502圖7孔徑尺寸誤差不應(yīng)大于±0.02mm，其它尺寸誤差不應(yīng)大于±0.05mm；開孔垂直度偏差不應(yīng)大于±0.1°；橫孔的數(shù)量可在全厚度范圍內(nèi)增加；試塊長(zhǎng)度應(yīng)由使用的最大聲程確定。G-ⅡA-1對(duì)比試塊G-ⅡA-2對(duì)比試塊G-ⅡA-3對(duì)比試塊G-ⅡA-4對(duì)比試塊模擬試塊模擬試塊的規(guī)格、材質(zhì)、坡口尺寸和焊接工藝，應(yīng)與被檢管道環(huán)向?qū)咏宇^相同或相近。模擬試塊中的模擬缺陷類型，應(yīng)包括根部未焊透、根部未熔合、坡口未熔合、夾渣、氣孔、裂紋等缺陷。模擬試塊中的缺陷尺寸，不應(yīng)大于表9中Ⅰ級(jí)規(guī)定的同厚度允許最大缺陷尺寸。耦合劑耦合劑宜選用水、機(jī)油、化學(xué)漿糊和甘油等透聲性良好、易清洗、無毒無害的材料。在環(huán)境溫度低于0℃以下可采用乙醇液體或相似的液體。實(shí)際檢測(cè)采用的耦合劑應(yīng)與檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置和校準(zhǔn)時(shí)的耦合劑相同。檢測(cè)工藝文件檢測(cè)前應(yīng)根據(jù)設(shè)計(jì)要求編制相控陣超聲檢測(cè)工藝規(guī)程，至少應(yīng)包括下列內(nèi)容：被檢管道概況；適用范圍；執(zhí)行的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)；檢測(cè)人員資格和操作能力要求；檢測(cè)設(shè)備器材的要求（包括儀器、掃查裝置、試塊、探頭、楔塊等）；檢測(cè)準(zhǔn)備：包括檢測(cè)覆蓋區(qū)域、檢測(cè)時(shí)機(jī)、探頭及楔塊參數(shù)設(shè)置或選擇、掃查方式選擇、掃查面準(zhǔn)備等；檢測(cè)系統(tǒng)的設(shè)置和校準(zhǔn)要求（系統(tǒng)設(shè)置包括聚焦法則、激發(fā)孔徑、S掃描角度和步進(jìn)、E掃描角度和步進(jìn)、聚焦深度、顯示范圍、掃查步進(jìn)等，系統(tǒng)校準(zhǔn)包括聲速、延遲、角度增益、深度、靈敏度、位置傳感器等）；橫向缺陷的補(bǔ)充檢測(cè)方法；檢測(cè)過程的要求(檢測(cè)溫度、掃查覆蓋、掃查速度、掃查過程觀察、檢測(cè)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存等)；數(shù)據(jù)分析、缺陷評(píng)定；檢測(cè)記錄、報(bào)告和資料存檔要求。檢測(cè)前應(yīng)根據(jù)檢測(cè)工藝規(guī)程和被檢管道的檢測(cè)要求編制操作指導(dǎo)書，至少應(yīng)包括下列內(nèi)容：依據(jù)的工藝規(guī)程編號(hào)；被檢管道情況（材質(zhì)、規(guī)格、管件類型、坡口型式、坡口角度、焊接方法、焊縫尺寸等）；檢測(cè)區(qū)域的確定和掃查面要求；檢測(cè)設(shè)備器材（儀器、探頭、楔塊、掃查裝置、試塊、耦合劑等）；檢測(cè)工藝參數(shù)（聚焦法則設(shè)置、角度步進(jìn)設(shè)置、顯示范圍設(shè)置、靈敏度設(shè)置、掃查分辨率設(shè)置、步進(jìn)偏移設(shè)置、掃描類型、掃查方式和掃查速度等）；橫向缺陷的補(bǔ)充檢測(cè)方法；執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)及合格級(jí)別；檢測(cè)部位示意圖；編制人、審核人。工藝規(guī)程中所涉及的相關(guān)因素見表3所示，當(dāng)相關(guān)因素的變化超出規(guī)定時(shí)，應(yīng)重新編制或修訂檢測(cè)工藝文件。工藝規(guī)程中所涉及的主要相關(guān)因素序號(hào)項(xiàng)目名稱相關(guān)因素1被檢管道情況材質(zhì)、規(guī)格、坡口型式、坡口角度、焊接方法2檢測(cè)設(shè)備器材儀器、探頭、楔塊、試塊3檢測(cè)工藝參數(shù)聚焦法則設(shè)置、角度步進(jìn)設(shè)置、顯示范圍設(shè)置、靈敏度設(shè)置、掃查分辨率設(shè)置、步進(jìn)偏移設(shè)置、掃描類型、掃查方式工藝可靠性驗(yàn)證編制的檢測(cè)技術(shù)工藝在首次應(yīng)用前，應(yīng)進(jìn)行工藝可靠性驗(yàn)證。工藝驗(yàn)證的具體方法應(yīng)符合下列要求：應(yīng)按編制的檢測(cè)工藝要求，選擇配置探頭和楔塊，并調(diào)校和設(shè)置；應(yīng)采用與工藝要求相同的掃查方式，在與被檢管道規(guī)格相同或相近的模擬試塊上進(jìn)行；相控陣超聲檢測(cè)圖像，應(yīng)能夠清晰顯示和測(cè)量模擬試塊中的缺陷。檢測(cè)設(shè)備和器材的校準(zhǔn)、核查、運(yùn)行核查和檢查校準(zhǔn)、核查校準(zhǔn)、核查應(yīng)在標(biāo)準(zhǔn)試塊和對(duì)比試塊上進(jìn)行。校準(zhǔn)、核查應(yīng)符合下列要求：每年應(yīng)至少對(duì)相控陣設(shè)備和探頭組合性能中的水平線性、垂直線性進(jìn)行一次校準(zhǔn)并記錄，測(cè)試結(jié)果應(yīng)滿足4.2.2.4的規(guī)定；每年應(yīng)至少對(duì)標(biāo)準(zhǔn)試塊和對(duì)比試塊的表面腐蝕與機(jī)械損傷進(jìn)行一次核查。運(yùn)行核查和檢查運(yùn)行核查和檢查應(yīng)在標(biāo)準(zhǔn)試塊和對(duì)比試塊上進(jìn)行。運(yùn)行核查和檢查應(yīng)符合下列要求：每隔6個(gè)月應(yīng)至少對(duì)相控陣設(shè)備和探頭組合性能中的水平線性、垂直線性進(jìn)行一次運(yùn)行核查并記錄，測(cè)試應(yīng)滿足4.2.2.4的規(guī)定；在4.3規(guī)定的對(duì)比試塊上進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，應(yīng)能清楚顯示和測(cè)量其中的反射體，每隔6個(gè)月應(yīng)至少進(jìn)行一次測(cè)試和記錄；每次檢測(cè)前應(yīng)對(duì)相控陣超聲探頭晶片靈敏度差值和失效性進(jìn)行測(cè)試和記錄，測(cè)試結(jié)果應(yīng)滿足4.2.4.3的規(guī)定，測(cè)試方法應(yīng)按附錄A進(jìn)行；每次檢測(cè)前應(yīng)對(duì)相控陣超聲探頭和楔塊組合聲束偏轉(zhuǎn)范圍及分辨率進(jìn)行測(cè)試和記錄，測(cè)試結(jié)果應(yīng)滿足檢測(cè)要求，測(cè)試方法應(yīng)按附錄B進(jìn)行；每次檢測(cè)前應(yīng)對(duì)位置傳感器進(jìn)行檢查和記錄，檢查應(yīng)滿足6.2.4的規(guī)定。安全防護(hù)在高空進(jìn)行操作時(shí)，應(yīng)考慮人員、檢測(cè)設(shè)備器材墜落等因素，并采取必要的保護(hù)措施。在密閉空間內(nèi)進(jìn)行操作時(shí)，應(yīng)考慮氧氣含量、粉塵吸入等因素，并采取必要的保護(hù)措施。在深冷、高溫等條件下作業(yè)時(shí)，應(yīng)考慮凍傷、中暑等因素，并采取必要的保護(hù)措施。在有毒、有害氣體條件下作業(yè)時(shí)，應(yīng)仔細(xì)加以辨識(shí)，并采取必要的保護(hù)措施。檢測(cè)準(zhǔn)備檢測(cè)區(qū)域檢測(cè)區(qū)域由對(duì)接接頭檢測(cè)區(qū)域?qū)挾群蛯?duì)接接頭檢測(cè)區(qū)域厚度表征。對(duì)接接頭檢測(cè)區(qū)域?qū)挾葢?yīng)為焊縫本身寬度加上焊縫熔合線兩側(cè)各10mm確定。對(duì)接接頭檢測(cè)區(qū)域厚度應(yīng)為壓力管道壁厚度加上焊縫余高。掃描類型選擇掃描類型應(yīng)根據(jù)管道坡口型式和壁厚選擇一種或兩種掃描類型。無論采用何種掃描類型，應(yīng)保證焊接接頭全截面有效覆蓋，并檢出各區(qū)域的缺陷。V型坡口，宜采用圖8所示的S-掃描，或圖9所示的S-掃描和E-掃描組合。V型坡口S-掃描示意圖V型坡口S和E-掃描組合示意圖雙V或U型坡口，宜采用圖10所示的S-掃描和E-掃描，或圖11所示的兩個(gè)S-掃描組合。雙V或U型坡口S和E掃描組合示意圖雙V或U型坡口兩個(gè)S掃描組合示意圖掃查方式選擇掃查方式主要有下列幾種形式：沿線掃查：常用的一種初始掃查方式，見圖12；沿線掃查示意圖鋸齒掃查：當(dāng)無法實(shí)施沿線掃查時(shí)，對(duì)焊縫進(jìn)行局部或全部檢測(cè)的一種掃查方式，見圖13；鋸齒掃查示意圖斜向掃查：當(dāng)焊縫余高未磨平時(shí)，對(duì)橫向缺陷進(jìn)行檢測(cè)的一種掃查方式，見圖14；斜向掃查示意圖平行掃查：當(dāng)焊縫余高打磨平時(shí)，對(duì)橫向缺陷檢測(cè)的一種掃查方式，見圖15。平行掃查示意圖掃查方式的選擇應(yīng)保證掃查聲束對(duì)被檢焊接接頭全部橫截面得到有效覆蓋。由于條件受限無法放置掃查裝置或攜帶位置傳感器的檢測(cè)部位，可采用全部或局部鋸齒掃查；對(duì)橫向缺陷檢測(cè)，一般采用斜向掃查，當(dāng)焊縫余高打磨與母材一樣時(shí)宜采用平行掃查；掃查方式應(yīng)按表4進(jìn)行選擇。不同坡口型式和壁厚管道環(huán)向?qū)咏宇^相控陣超聲檢測(cè)方法坡口型式管道厚度tmm檢測(cè)設(shè)置掃查面位置掃查方式掃描類型a檢測(cè)方式橫向缺陷bV6～60單面雙側(cè)一次沿線掃查c斜向掃查或平行掃查d鋸齒掃查eS-掃描S-掃描+E-掃描固定角度掃描f直射法和一次反射法需要雙V或Uh20～40單面雙側(cè)一次沿線掃查c分層沿線掃查g斜向掃查或平行掃查d鋸齒掃查eS-掃描+S-掃描S-掃描+E-掃描固定角度掃描(f)直射法和一次反射法需要40～60直射法a掃描類型的選擇在保證焊縫根部缺陷檢測(cè)時(shí)，可選擇一種或多種掃查類型進(jìn)行檢測(cè)。b橫向缺陷，可采用斜向掃查或平行掃查；如采用平行掃查，應(yīng)將焊縫余高去除后進(jìn)行。c一次沿線掃查，是指檢測(cè)區(qū)域被相控陣超聲聲束一次全覆蓋掃查。d斜向掃查，適用于保留焊縫余高時(shí)焊縫中的橫向缺陷掃查，探頭與焊縫長(zhǎng)度方向軸線夾角為小于或等于10°；表4不同坡口型式和壁厚管道環(huán)向?qū)咏宇^相控陣超聲檢測(cè)方法（續(xù)）坡口型式管道厚度tmm檢測(cè)設(shè)置掃查面位置掃查方式掃描類型a檢測(cè)方式橫向缺陷b平行掃查，適用于焊縫余高去除后焊縫中的橫向缺陷掃查，探頭放置在焊縫上，聲束方向與焊縫長(zhǎng)度方向平行。e鋸齒掃查，指被檢焊縫部位如受幾何條件限制所選用的掃查方式。f固定角度掃描，適用于鋸齒掃查。g分層沿線掃查，適用于雙V或U型坡口焊縫檢測(cè)，檢測(cè)方式為直射法，分層次數(shù)應(yīng)根據(jù)聲束覆蓋范圍而定；但應(yīng)將焊縫余高去除后進(jìn)行的一種掃查方式。h雙V或U型坡口焊縫檢測(cè)，宜配置60°～70°楔塊，進(jìn)行相控陣超聲檢測(cè)。探頭選擇在保證靈敏度的前提下，宜選擇晶片數(shù)較少的探頭。應(yīng)根據(jù)管道厚度選擇探頭，探頭技術(shù)參數(shù)應(yīng)按表5進(jìn)行選擇；當(dāng)掃查空間受限制時(shí)，可選擇較小主動(dòng)孔徑或特制的探頭。選用的相控陣超聲探頭技術(shù)參數(shù)最大探測(cè)厚度mm頻率MHz晶片間距mm偏轉(zhuǎn)方向孔徑尺寸mm≥6～155～100.3～0.85～10＞15～504～100.5～1.08～25＞50～602～50.5～1.520～35楔塊選擇楔塊角度選擇應(yīng)根據(jù)被檢管道焊縫坡口型式進(jìn)行。對(duì)于V型坡口焊縫，宜選擇55°～60°的楔塊；對(duì)于雙V型或U型坡口焊縫，宜選擇55°～70°的楔塊；當(dāng)掃查空間受限時(shí)，可選擇較小尺寸的楔塊。楔塊底面應(yīng)與被檢管道表面有良好的接觸和耦合。宜選擇與被檢管道曲率相同或相近的曲率底面楔塊；如楔塊與被檢管道表面間任意一點(diǎn)的間隙大于0.5mm時(shí)，應(yīng)將楔塊底部曲率修磨到與管道表面曲率相配。掃描覆蓋應(yīng)使用聲束模擬軟件或幾何視圖，對(duì)被檢焊接接頭進(jìn)行聲束覆蓋模擬。對(duì)不同的焊接接頭剖面可采用不同的掃描方式進(jìn)行覆蓋。當(dāng)采用沿線掃查時(shí)，可采用多個(gè)探頭或多個(gè)聚焦法則組合掃查（如兩個(gè)或兩個(gè)以上探頭對(duì)稱掃查、一個(gè)探頭設(shè)置兩個(gè)S-掃描或兩個(gè)E-掃描組合、一個(gè)探頭設(shè)置一個(gè)S-掃描和一個(gè)E-掃描組合）。當(dāng)一個(gè)探頭設(shè)置兩個(gè)E-掃描技術(shù)時(shí)，相鄰激發(fā)孔徑覆蓋應(yīng)至少為10%，見圖16。E-掃描全覆蓋示意圖當(dāng)一個(gè)探頭設(shè)置兩個(gè)S-掃描技術(shù)時(shí)，相鄰聲束寬度應(yīng)至少有10%的覆蓋，見圖17。S-掃描覆蓋示意圖探頭步進(jìn)偏移確定當(dāng)沿線掃查時(shí)，無論采用S-掃描還是E-掃描，應(yīng)通過聲束模擬軟件、幾何視圖、公式計(jì)算等方法確定步進(jìn)偏移距離。步進(jìn)偏移距離計(jì)算方法見公式（2）。 (SEQ標(biāo)準(zhǔn)自動(dòng)公式\*ARABIC2)式中：L——步進(jìn)偏移距離，單位為毫米（mm）；t——管道壁厚，單位為毫米（mm）；α——S-掃描時(shí)為最小偏轉(zhuǎn)角度，E-掃描時(shí)為偏轉(zhuǎn)角度，單位為度（°）；HAZ——單側(cè)熱影響區(qū)寬度，單位為毫米（mm）；W——焊縫寬度，單位為毫米（mm）；Lo——探頭入射點(diǎn)到探頭前沿距離，單位為毫米（mm）。檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置及校準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置聚焦法則設(shè)置儀器調(diào)校前應(yīng)根據(jù)被檢管道環(huán)向?qū)雍附咏宇^的基本參數(shù)和探頭、楔塊的選擇情況，在仿真軟件上進(jìn)行模擬設(shè)置，并根據(jù)模擬效果確定聚焦法則的設(shè)置。聚焦法則參數(shù)的設(shè)置應(yīng)包含下列內(nèi)容：晶片數(shù)量：設(shè)定聚焦法則使用的一次激發(fā)晶片數(shù)量；晶片位置：設(shè)定激發(fā)晶片的起始位置；聲束角度：設(shè)定所用的E-掃描偏轉(zhuǎn)角度或S-掃描最小角度和最大角度；聲程單位：設(shè)定時(shí)間顯示為聲程或深度；聲速參數(shù)：設(shè)定在管道中的聲速，如橫波聲速、縱波聲速；掃描類型：設(shè)定使用的掃描類型，如S-掃描、E-掃描；管道厚度：設(shè)定被檢管道的壁厚；聚焦深度：設(shè)定聲程或深度聚焦。聚焦深度設(shè)置焊接接頭初始掃查時(shí)，聚焦深度宜設(shè)置在最大探測(cè)聲程處。對(duì)缺陷進(jìn)行精確定量時(shí)，或?qū)μ囟▍^(qū)域檢測(cè)需獲得更高的靈敏度和分辨率時(shí)，可將焦點(diǎn)設(shè)置在該區(qū)域。激發(fā)孔徑設(shè)置無論選擇何種掃描類型，偏轉(zhuǎn)方向激發(fā)孔徑尺寸與被動(dòng)孔徑之比不應(yīng)小于0.2。根據(jù)不同的管道厚度，在滿足有效聲程范圍內(nèi)，可參照表5選擇偏轉(zhuǎn)方向上孔徑尺寸。S-掃描設(shè)置S-掃描聲束偏轉(zhuǎn)角度設(shè)置，應(yīng)考慮焊縫熱影響區(qū)寬度和焊縫根部覆蓋，最小偏轉(zhuǎn)角度設(shè)置應(yīng)覆蓋熱影響區(qū)外側(cè)，最大偏轉(zhuǎn)角度設(shè)置應(yīng)覆蓋焊縫根部和熱影響區(qū)，聲束角度范圍宜為30°～75°；當(dāng)壁厚較小時(shí)，不宜采用過小角度聲束。S-掃描角度步距設(shè)置宜為1°，最大值不應(yīng)超過表6中的規(guī)定值。扇掃描角度步距設(shè)置最大檢測(cè)深度mm角度步距最大值°≤502＞50～601E-掃描設(shè)置E-掃描聲束偏轉(zhuǎn)角度設(shè)置，應(yīng)與焊縫坡口角度垂直，折射角度宜為45°～70°。E-掃描的晶片步距設(shè)置宜為1個(gè)。顯示范圍設(shè)置檢測(cè)前應(yīng)對(duì)各個(gè)檢測(cè)通道的深度或聲程顯示范圍進(jìn)行設(shè)置。直射法顯示范圍應(yīng)設(shè)置為0～1.3倍壁厚，一次反射法顯示范圍應(yīng)設(shè)置為0.8～2.2倍壁厚。掃查步進(jìn)設(shè)置檢測(cè)前應(yīng)將檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置為掃查步進(jìn)采集信號(hào)模式。掃查步進(jìn)設(shè)置與管道厚度有關(guān)，設(shè)置的掃查步進(jìn)最大值不應(yīng)超過1mm。檢測(cè)系統(tǒng)校準(zhǔn)聲速和楔塊延時(shí)校準(zhǔn)檢測(cè)前應(yīng)在試塊上進(jìn)行聲速測(cè)量。檢測(cè)前宜在G-IA試塊R100上弧面或已知深度的橫通孔試塊上進(jìn)行時(shí)間延遲校準(zhǔn)，各角度測(cè)量相同深度信號(hào)的回波深度誤差值不應(yīng)大于0.5mm。角度校正增益(ACG)檢測(cè)前應(yīng)在試塊上進(jìn)行角度校正增益。當(dāng)采用S-掃描時(shí)，宜在G-ⅠA試塊R100弧面或已知深度的橫通孔試塊上進(jìn)行。當(dāng)采用E-掃描時(shí)，宜在已知深度的橫通孔試塊上進(jìn)行。不同角度相對(duì)同深度的回波高度最大差值不應(yīng)大于滿屏高度的5%。深度校準(zhǔn)檢測(cè)前應(yīng)用已知深度的反射體對(duì)E-掃描或S-掃描進(jìn)行深度校準(zhǔn)。校準(zhǔn)后E-掃描或S-掃描所顯示的已知深度值，不應(yīng)超過實(shí)際深度5%或3mm，取其中較小值。編碼器校準(zhǔn)檢測(cè)前應(yīng)對(duì)使用的編碼器進(jìn)行校準(zhǔn)，校準(zhǔn)可在被檢管道表面上進(jìn)行。校準(zhǔn)方法是將編碼器移動(dòng)一定距離（最小500mm），顯示位移與實(shí)際位移比較，其誤差應(yīng)小于1%或10mm，取其中較小值。靈敏度設(shè)置設(shè)置檢測(cè)前應(yīng)根據(jù)所選用的距離波幅（DAC）曲線或時(shí)間增益（TCG）曲線設(shè)置靈敏度。距離波幅（DAC）曲線設(shè)置靈敏度適用于鋸齒、斜向和平行掃查；時(shí)間增益（TCG）曲線設(shè)置靈敏度適用于沿線掃查或斜向沿線掃查。試塊的表面耦合損失和材料衰減應(yīng)與被檢管道材質(zhì)相同或相近，否則應(yīng)進(jìn)行傳輸損失補(bǔ)償；當(dāng)在一倍跨距聲程內(nèi)最大傳輸損失差小于或等于2dB時(shí)，可不進(jìn)行補(bǔ)償。DAC和TCG曲線設(shè)置靈敏度應(yīng)符合下列規(guī)定：應(yīng)根據(jù)被檢管道壁厚參照表2選擇對(duì)比試塊；曲線制作不應(yīng)少于3點(diǎn)；當(dāng)用一次反射法時(shí)，最深校準(zhǔn)孔深度不應(yīng)少于2.2倍壁厚；當(dāng)用直射法時(shí)，最深校準(zhǔn)孔不應(yīng)少于1.3倍壁厚。距離波幅（DAC）曲線制作DAC曲線的制作應(yīng)在本標(biāo)準(zhǔn)推薦的試塊上進(jìn)行，最小聲程處反射體波幅高度不應(yīng)低于滿屏的80%。制作DAC曲線時(shí)，各條線靈敏度應(yīng)按表7選擇。距離波幅曲線的靈敏度管道厚度mm評(píng)定線定量線判廢線≥6～40φ2×40-18dBφ2×40-12dBφ2×40-4dB＞40～60φ2×40-14dBφ2×40-8dBφ2×40+2dB當(dāng)檢測(cè)橫向缺陷時(shí)，應(yīng)將各線靈敏度提高6dB。掃查靈敏度不應(yīng)低于最大聲程處的評(píng)定線靈敏度。時(shí)間增益（TCG）曲線制作TCG曲線制作應(yīng)在本標(biāo)準(zhǔn)推薦的試塊上進(jìn)行。校準(zhǔn)后所使用的聲程范圍內(nèi)相同反射體的回波高度最大差值不應(yīng)大于滿屏高度的5%。掃查時(shí)各角度TCG曲線不應(yīng)超過滿屏的80%。當(dāng)檢測(cè)橫向缺陷時(shí)，應(yīng)將靈敏度提高6dB。檢測(cè)系統(tǒng)復(fù)核在下列情況下應(yīng)進(jìn)行復(fù)核：每次檢測(cè)前；檢測(cè)過程中檢測(cè)設(shè)備停機(jī)后開機(jī)或更換部件時(shí)；檢測(cè)人員有懷疑時(shí)；檢測(cè)工作結(jié)束時(shí)。復(fù)核內(nèi)容復(fù)核內(nèi)容應(yīng)包括靈敏度、位移精度和深度。復(fù)核時(shí)應(yīng)使用與初始檢測(cè)設(shè)置時(shí)的同一試塊。復(fù)核時(shí)若發(fā)現(xiàn)與初始檢測(cè)設(shè)置的測(cè)量偏離時(shí)，應(yīng)按表8執(zhí)行。偏離和糾正靈敏度1偏離小于或等于5%滿屏高度不需要采取措施，必要時(shí)可通過軟件糾正2偏離大于5%滿屏高度應(yīng)重新設(shè)置，并重新檢測(cè)上次校準(zhǔn)以來所檢測(cè)的焊縫深度1偏離小于或等于實(shí)際深度的5%或小于或等于3mm（取較小值）不需要采取措施2偏離大于實(shí)際深度的5%或大于3mm（取較小值）應(yīng)找出原因重新設(shè)置，并重新檢測(cè)上次校準(zhǔn)以來所檢測(cè)的焊縫位移1偏離小于或等于1%或10mm（取較小值）不需要采取措施2偏離大于1%或10mm（取較小值）應(yīng)對(duì)上次校準(zhǔn)以來所檢測(cè)的位置進(jìn)行修正檢測(cè)掃查面準(zhǔn)備探頭移動(dòng)區(qū)域?qū)挾葢?yīng)大于使用探頭的楔塊長(zhǎng)度再加步進(jìn)偏移距離。探頭移動(dòng)區(qū)內(nèi)應(yīng)清除焊接飛濺、鐵屑、油垢及其他雜質(zhì)，表面應(yīng)平整便于探頭的掃查，其表面粗糙度Ra值不應(yīng)低于25μm。對(duì)于保留余高的焊縫，如焊縫表面有咬邊，較大的隆起和凹陷等應(yīng)進(jìn)行適當(dāng)?shù)男弈?，并做圓滑過度處理；對(duì)于去除余高的焊縫，應(yīng)將余高打磨至與鄰近母材平齊。焊縫標(biāo)識(shí)及分段檢測(cè)前應(yīng)在管道掃查面上做標(biāo)識(shí)，標(biāo)識(shí)內(nèi)容應(yīng)至少包括定位標(biāo)記、掃查方向，同時(shí)應(yīng)在母材一側(cè)規(guī)定的距離處畫出一條掃查運(yùn)動(dòng)參考線。當(dāng)管徑較大（焊縫較長(zhǎng)）或無法一次掃查完成時(shí)，應(yīng)進(jìn)行分段掃查并劃出分段標(biāo)記。掃查覆蓋當(dāng)采用多次沿線掃查覆蓋管道環(huán)向焊縫檢測(cè)時(shí)，相鄰沿線掃查聲場(chǎng)間應(yīng)至少覆蓋E-掃描激發(fā)孔徑或S-掃描聲束寬度的10%。當(dāng)采用鋸齒法時(shí)，探頭的每次掃查覆蓋率應(yīng)大于被動(dòng)孔徑的15%。管道環(huán)向焊縫在長(zhǎng)度方向進(jìn)行掃查時(shí)，起點(diǎn)與終點(diǎn)重疊長(zhǎng)度的范圍應(yīng)至少為20mm；需要進(jìn)行分段掃查時(shí)，相鄰分段掃查長(zhǎng)度的重疊范圍應(yīng)至少為20mm。掃查速度當(dāng)采用鋸齒掃查時(shí)，探頭移動(dòng)速度不應(yīng)超過150mm/s。當(dāng)采用沿線掃查時(shí)，掃查速度應(yīng)小于或等于最大掃查速度VMAX，見公式（3），并應(yīng)保證耦合效果滿足數(shù)據(jù)采集的要求。 (SEQ標(biāo)準(zhǔn)自動(dòng)公式\*ARABIC3)式中：VMAX——最大掃查速度，單位為毫米/秒（mm/s）；PRF——激發(fā)探頭的脈沖重復(fù)頻率，單位為赫茲（Hz）；——設(shè)置的掃查分辨率，單位為毫米（mm）；N——設(shè)置的信號(hào)平均次數(shù)，單位為次；A0——角度范圍內(nèi)所包含的A掃描個(gè)數(shù)（如S-掃描35°～75°，角度步距為1°，則A0=41），單位為個(gè)。掃查過程觀察掃查過程中應(yīng)注意波幅狀況，如發(fā)現(xiàn)耦合不好的情況應(yīng)重新掃查該段區(qū)域。當(dāng)采用沿線掃查時(shí)，步進(jìn)偏移應(yīng)固定，掃查行走軌跡偏差不應(yīng)超過設(shè)定的10%，否則應(yīng)重新掃查該段區(qū)域。檢測(cè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)每幅相控陣超聲掃查檢測(cè)數(shù)據(jù)，應(yīng)在每一次掃查結(jié)束后按照儀器存儲(chǔ)操作程序要求存儲(chǔ)。存儲(chǔ)名稱中應(yīng)至少包含區(qū)位號(hào)、管道編號(hào)、焊縫編號(hào)、掃查位置編號(hào)、掃查方向、探頭位置（如90°或270°）、檢測(cè)日期等。檢測(cè)溫度儀器調(diào)校時(shí)，試塊的溫度與被檢管道表面溫度差應(yīng)控制在20℃之內(nèi)?，F(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)時(shí)，被檢管道表面溫度范圍應(yīng)控制在0℃～50℃之內(nèi)。超出該溫度范圍時(shí)，可采用特殊性能探頭或耦合劑。母材檢測(cè)當(dāng)檢測(cè)人員有懷疑時(shí)，應(yīng)對(duì)相控陣超聲波束通過的母材區(qū)域，采用直探頭或相控陣超聲0°縱波探頭進(jìn)行檢測(cè)。檢測(cè)靈敏度：將無缺陷處第二次底波調(diào)節(jié)為熒光屏滿刻度的100%。凡是缺陷信號(hào)幅度超過滿屏刻度20%的部位，應(yīng)予以記錄。橫向缺陷檢測(cè)當(dāng)有橫向裂紋發(fā)生傾向時(shí)或合同約定要求時(shí)，應(yīng)進(jìn)行橫向缺陷檢測(cè)。數(shù)據(jù)分析和評(píng)定檢測(cè)數(shù)據(jù)的有效性評(píng)價(jià)分析數(shù)據(jù)之前應(yīng)對(duì)所采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行評(píng)估以確定其有效性，應(yīng)至少滿足下列規(guī)定：采集的數(shù)據(jù)應(yīng)能反映所檢測(cè)焊縫長(zhǎng)度；數(shù)據(jù)丟失量不應(yīng)超過單次掃查長(zhǎng)度的5%，且不應(yīng)出現(xiàn)相鄰數(shù)據(jù)連續(xù)丟失；掃查圖像中耦合不良不應(yīng)超過整個(gè)掃查長(zhǎng)度的5%，單個(gè)耦合不良長(zhǎng)度不應(yīng)超過2mm。如數(shù)據(jù)無效，應(yīng)重新進(jìn)行掃查。顯示分類顯示分為相關(guān)顯示和非相關(guān)顯示。相關(guān)顯示是由缺陷引起的顯示；非相關(guān)顯示是由聲束旁瓣和柵瓣、管道結(jié)構(gòu)或者材料冶金成份的偏差等引起的顯示。相關(guān)顯示應(yīng)進(jìn)行評(píng)定。缺陷定量定量采用DAC曲線檢測(cè)時(shí)，應(yīng)結(jié)合S-掃描或E-掃描圖像對(duì)超過評(píng)定線的所有顯示進(jìn)行定量。采用TCG曲線檢測(cè)時(shí)，應(yīng)結(jié)合A掃描、S-掃描、B掃描和C掃描圖像上的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行定量。缺陷波幅確定S-掃描時(shí)，應(yīng)以不同角度A掃描中缺陷的最高回波波幅作為該缺陷的波幅。E-掃描時(shí)，應(yīng)以所有孔徑組合的A掃描中缺陷最高回波波幅作為該缺陷的波幅。缺陷長(zhǎng)度測(cè)量采用DAC曲線檢測(cè)時(shí)，缺陷長(zhǎng)度應(yīng)采用6dB法和端點(diǎn)6dB法測(cè)量。采用TCG曲線檢測(cè)時(shí)，應(yīng)采用波幅下降6dB法或色譜法進(jìn)行測(cè)量。缺陷埋藏深度和自身高度的測(cè)量在E-掃描、S-掃描顯示圖像上，埋藏深度和自身高度應(yīng)采用波幅下降法或色譜法測(cè)量。缺陷波幅高度未超過滿屏100%時(shí)，應(yīng)采用波幅下降6dB法測(cè)量。缺陷波幅高度超過滿屏100%時(shí)，應(yīng)采用色譜法（暗紅與黃交界）測(cè)量?jī)啥它c(diǎn)間距離為缺陷自身高度。缺陷定性應(yīng)根據(jù)缺陷A掃描信號(hào)回波動(dòng)態(tài)波形模式初步判斷缺陷類型。應(yīng)根據(jù)缺陷在E-掃描或S-掃描顯示圖像在焊接接頭中的位置，并結(jié)合缺陷A掃描回波動(dòng)態(tài)波形模式判斷缺陷性質(zhì)。缺陷評(píng)定與質(zhì)量分級(jí)采用DAC曲線設(shè)置靈敏度檢測(cè)時(shí)，凡在判廢線以上（含判廢線）（即Ⅲ區(qū)）的缺陷應(yīng)評(píng)為Ⅲ級(jí)；評(píng)定線以下的缺陷應(yīng)評(píng)為Ⅰ級(jí)；缺陷反射波幅位于評(píng)定線以上（即Ⅰ區(qū)）和判廢線（即Ⅲ區(qū)）以下的缺陷，應(yīng)按表9規(guī)定的反射波幅高度所在區(qū)域和允許存在長(zhǎng)度進(jìn)行質(zhì)量分級(jí)。采用TCG曲線設(shè)置靈敏度檢測(cè)時(shí)，缺陷定量應(yīng)按表9規(guī)定的允許存在的長(zhǎng)度和高度進(jìn)行質(zhì)量分級(jí)。相鄰兩個(gè)或多個(gè)缺陷顯示（非點(diǎn)狀），其在長(zhǎng)度方向間距小于其中較小的缺陷長(zhǎng)度且在與缺陷長(zhǎng)度相垂直方向的間距小于5mm時(shí)，應(yīng)作為一條缺陷處理，該缺陷埋藏深度、長(zhǎng)度及自身高度應(yīng)符合下列規(guī)定：缺陷埋藏深度應(yīng)以兩缺陷埋藏深度的較小值作為單個(gè)缺陷埋藏深度；缺陷長(zhǎng)度應(yīng)以兩缺陷在長(zhǎng)度方向之和作為其指示長(zhǎng)度（間距計(jì)入），如兩缺陷在長(zhǎng)度方向投影有重疊，應(yīng)以兩缺陷在長(zhǎng)度方向上投影的左、右端點(diǎn)間距作為其缺陷長(zhǎng)度；如兩缺陷在與缺陷長(zhǎng)度相垂直方向無重疊，應(yīng)以其中較大的缺陷自身高度作為單個(gè)缺陷自身高度；如兩缺陷在與缺陷長(zhǎng)度相垂直方向投影有重疊，應(yīng)以兩缺陷自身高度之和作為單個(gè)缺陷自身高度（間距計(jì)入）。凡判定為裂紋、未熔合等缺陷，應(yīng)評(píng)為Ⅲ級(jí)。在10mm焊接接頭長(zhǎng)度范圍內(nèi)，當(dāng)同時(shí)存在條狀缺陷和未焊透時(shí)，應(yīng)評(píng)為Ⅲ級(jí)。點(diǎn)狀缺陷和密集型點(diǎn)狀缺陷應(yīng)按表9允許長(zhǎng)度和自身高度進(jìn)行質(zhì)量分級(jí)。當(dāng)各類缺陷評(píng)定的質(zhì)量級(jí)別不同時(shí)，應(yīng)以質(zhì)量級(jí)別最低的作為焊接接頭的質(zhì)量級(jí)別。焊接接頭質(zhì)量分級(jí)單位為毫米焊接接頭等級(jí)管道厚度焊接接頭內(nèi)部缺陷根部未焊透缺陷反射波幅所在區(qū)域允許的單個(gè)缺陷指示長(zhǎng)度允許的缺陷自身高度允許的單個(gè)缺陷累計(jì)長(zhǎng)度允許的指示長(zhǎng)度允許的累計(jì)長(zhǎng)度Ⅰ6≤t≤60Ⅰ≤40//≤t/3，最小可為8長(zhǎng)度小于或等于焊縫周長(zhǎng)的10%，且小于306≤t≤15Ⅱ≤t/3，最小可為8≤3在任意12t范圍內(nèi)累計(jì)長(zhǎng)度不得超過3t且最大值為150；15＜t≤40≤440＜t≤60≤5Ⅱ6≤t≤60Ⅰ≤60≤3/≤2t/3，最小可為10長(zhǎng)度小于或等于焊縫周長(zhǎng)的15%，且小于406≤t≤15Ⅱ≤2t/3，最小可為10，≤3在任意12t范圍內(nèi)累計(jì)長(zhǎng)度不得超過4t且最大值為200；15＜t≤40≤440＜t≤60≤5Ⅲ6≤t≤60Ⅰ超過Ⅱ級(jí)者超過Ⅱ級(jí)者ⅡⅢ所有缺陷采用DAC曲線檢測(cè)時(shí)，焊接接頭內(nèi)部缺陷應(yīng)按反射波幅所在區(qū)域和允許單個(gè)缺陷指示長(zhǎng)度進(jìn)行評(píng)定；采用TCG曲線檢測(cè)時(shí)，焊接接頭內(nèi)部缺陷應(yīng)按允許單個(gè)缺陷指示長(zhǎng)度和自身高度進(jìn)行評(píng)定；對(duì)接頭兩側(cè)母材厚度不同時(shí)，應(yīng)取薄板側(cè)厚度值。檢測(cè)報(bào)告及保存檢測(cè)報(bào)告檢測(cè)報(bào)告應(yīng)至少包括下列內(nèi)容：委托單位；檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)；被檢管道情況：名稱、區(qū)位編號(hào)、管道編號(hào)、焊口編號(hào)、管道類別、規(guī)格、材質(zhì)、坡口型式、焊接方法、焊縫類型、焊縫寬度、熱處理狀況、委托單編號(hào)、檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)、檢測(cè)技術(shù)等級(jí)、合格級(jí)別、檢測(cè)比例、檢測(cè)區(qū)域、檢測(cè)時(shí)機(jī)、操作溫度、工藝編號(hào)、記錄編號(hào)；檢測(cè)儀器及器材：儀器型號(hào)、儀器編號(hào)、探頭型號(hào)、晶片間距、楔塊型號(hào)、掃查裝置、試塊型號(hào)、耦合劑；檢測(cè)工藝參數(shù)：檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置、靈敏度校準(zhǔn)方法（DAC或TCG）、掃描類型、顯示方式、掃查方式、聚焦法則設(shè)置、探頭配置、掃查靈敏度、掃查模式、表面狀態(tài)、操作溫度等；檢測(cè)區(qū)域覆蓋示意圖：理論模擬軟件演示的檢測(cè)區(qū)域覆蓋圖；檢測(cè)示意圖：檢測(cè)部位掃查示意圖、檢測(cè)區(qū)域等；檢測(cè)數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)文件名稱、缺陷位置與尺寸、質(zhì)量級(jí)別及缺陷部位圖像；檢測(cè)結(jié)論；操作人、審核人、批準(zhǔn)人簽字；檢測(cè)日期。檢測(cè)報(bào)告格式參見附錄C。存檔保存的檢測(cè)數(shù)據(jù)應(yīng)能夠在數(shù)據(jù)分析軟件上進(jìn)行分析解讀。檢測(cè)數(shù)據(jù)、檢測(cè)記錄和檢測(cè)報(bào)告保存期不應(yīng)少于7年，7年后，若用戶需要可轉(zhuǎn)交用戶保管。

（規(guī)范性附錄）

相控陣超聲探頭晶片失效率的測(cè)試測(cè)試方法將測(cè)試的相控陣超聲探頭去除楔塊后與相控陣儀器連接。在將測(cè)試的相控陣超聲探頭均勻穩(wěn)定地耦合在CSK-ⅠA試塊的25mm厚度（或等效試塊）表面。儀器的聚焦法則設(shè)置：應(yīng)由探頭的第一個(gè)晶片開始逐個(gè)激發(fā)，到最后一個(gè)晶片結(jié)束觀察陣列中每個(gè)晶片的A掃描顯示，并應(yīng)記錄每個(gè)晶片信號(hào)幅值達(dá)到80%時(shí)的增益，結(jié)果應(yīng)記錄在到表A.1中。觀察并記錄不產(chǎn)生底部信號(hào)的晶片（失效晶片），結(jié)果應(yīng)記錄在表A.1中。探頭晶片有效表晶片位置輸入波幅達(dá)到80%滿屏高度的增益值12345678910111213141516增益dB有效○失效×失效晶片判定方法測(cè)試后用每個(gè)晶片達(dá)到80%回波高度增益值與保存的同一臺(tái)儀器原始測(cè)試增益值比較，差值不應(yīng)超過2dB。相鄰晶片間的波幅高度差值不應(yīng)超過2dB。允許的失效晶片的數(shù)量不應(yīng)超過總數(shù)的12.5%，所激發(fā)晶片組不應(yīng)存在相鄰晶片的失效。相控陣超聲探頭中失效晶片的總數(shù)及失效晶片位置數(shù)應(yīng)在操作工藝中注明清楚。測(cè)試時(shí)晶片產(chǎn)生的波幅差超過2dB，應(yīng)對(duì)耦合情況進(jìn)行檢查，并再次進(jìn)行測(cè)試。如仍超過2dB，該相控陣超聲探頭不應(yīng)使用。條件允許情況下，在更換相控陣超聲探頭之前，應(yīng)先更換一根電纜，確認(rèn)失效晶片不是由電纜線損壞引起。采用適配器與相控陣超聲儀器連接的方法，測(cè)試儀器到探頭的所有輸出通道是否有效。判斷相控陣超聲儀器失效晶片通道顯示參見圖A.1。相控陣超聲失效晶片通道顯示例子

（規(guī)范性附錄）

相控陣超聲探頭聲束偏轉(zhuǎn)范圍的測(cè)試一般要求本附錄適用對(duì)接觸式探頭的激活平面進(jìn)行實(shí)際聲束偏轉(zhuǎn)范圍的測(cè)試。測(cè)試時(shí)，為保證探頭與試塊接觸表面的耦合和受力均勻，應(yīng)采用適當(dāng)保證耦合效果不變的措施，達(dá)到恒定的測(cè)試結(jié)果。測(cè)試方法將測(cè)試的相控陣探頭加裝在所使用的探頭契塊上，根據(jù)探頭預(yù)設(shè)的聲束掃描擴(kuò)散角范圍設(shè)置探頭聚焦法則，探頭的聚焦深度可設(shè)置成非聚焦或一個(gè)規(guī)定深度的聚焦。測(cè)試用的試塊材料應(yīng)與被檢工件相同或相近，在試塊上加工一系列等距離或與實(shí)際需要相同距離的橫通孔，橫通孔布置位置和尺寸見圖B.1或圖B.2。聲束偏轉(zhuǎn)評(píng)定試塊—同聲程聲束控制評(píng)定試塊—單一平面聲程投影平面測(cè)試法：也稱同聲程測(cè)試法，是利用探頭聲束掃描擴(kuò)散角在試塊上φ2橫通孔等聲程投影平面的掃描顯示，是對(duì)同聲程處聲束偏轉(zhuǎn)和分辨能力進(jìn)行測(cè)量的方法。其測(cè)試方法步驟如下：將探頭的聲束傳播方向指向以同聲程R50或R25排布的φ2橫通孔平面，并保證穩(wěn)定耦合的放置在試塊探測(cè)面上（參見圖B.1）；前后移動(dòng)探頭使被激發(fā)孔徑的中心點(diǎn)與探測(cè)R50或R25同聲程平面的入射點(diǎn)刻度線重合，在預(yù)設(shè)的聲束掃描擴(kuò)散角范圍內(nèi)獲取以同聲程R50或R25排布的φ2橫通孔顯示圖像；保存掃描顯示圖像，通過軟件對(duì)掃描圖像中各孔顯示的回波聲程及角度進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量結(jié)果并與實(shí)際值相比較，確定相控陣超聲探頭發(fā)射聲束在同聲程平面上的偏轉(zhuǎn)范圍是否滿足檢測(cè)要求。垂直投影平面測(cè)試法：也稱不同深度測(cè)試法，是利用探頭聲束掃描擴(kuò)散角在試塊上φ2橫通孔垂直投影平面掃描的顯示，是對(duì)不同深度處聲束偏轉(zhuǎn)和分辨能力進(jìn)行測(cè)量的方法。其測(cè)試方法如下：將探頭的聲束傳播方向指向以不同深度垂直排布的φ2橫通平面，并保證穩(wěn)定耦合的放置在試塊探測(cè)面上（參見圖B.2）；前后移動(dòng)探頭使被激發(fā)孔徑的中心點(diǎn)與探測(cè)垂直平面入射點(diǎn)的刻度線重合，在預(yù)設(shè)的聲束掃描擴(kuò)散角范圍內(nèi)獲取以不同深度排布的φ2橫通孔顯示圖像；保存掃描顯示圖像，通過軟件對(duì)掃描圖像中各孔顯示的回波深度及角度進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量結(jié)果并與實(shí)際值相比較，確定相控陣超聲探頭發(fā)射聲束在垂直平面上的偏轉(zhuǎn)范圍是否滿足檢測(cè)要求。水平投影平面測(cè)試法：也稱同深度測(cè)試法，是利用探頭聲束掃描擴(kuò)散角在試塊上φ2橫通孔水平投影平面掃描的顯示，是對(duì)同深度處聲束偏轉(zhuǎn)和分辨能力進(jìn)行測(cè)量的方法。其測(cè)試方法步驟如下：將探頭的聲束傳播方向指向以同深度水平排布的φ2橫通平面，并保證穩(wěn)定耦合的放置在試塊探測(cè)面上（參見圖B.2）；前后移動(dòng)探頭使被激發(fā)孔徑的中心點(diǎn)與探測(cè)水平平面入射點(diǎn)刻度線重合，在預(yù)設(shè)的聲束掃描擴(kuò)散角范圍內(nèi)獲取以同深度水平排布的φ2橫通孔顯示圖像；保存掃描顯示圖像，通過軟件對(duì)掃描圖像中各孔顯示的回波水平距離及角度進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量結(jié)果并與實(shí)際值相比較，確定相控陣超聲探頭發(fā)射聲束在水平平面上的偏轉(zhuǎn)范圍是否滿足檢測(cè)要求。當(dāng)對(duì)S掃描的聲束偏轉(zhuǎn)范圍測(cè)試時(shí)，由于角度步距大小受系統(tǒng)的脈沖延遲和晶片間距限制，角度步距設(shè)置不宜超過1°。測(cè)量方法探頭發(fā)射聲束的偏轉(zhuǎn)范圍測(cè)量方法，應(yīng)采用兩個(gè)相鄰橫通孔的回波信號(hào)幅度的最大和最小值的dB差進(jìn)行測(cè)量。例如，當(dāng)相控陣探頭放置在試塊上掃查到+45°橫通孔,且相鄰橫通孔的波幅高度相差6dB時(shí)作為探頭配置的最大偏轉(zhuǎn)范圍。根據(jù)檢測(cè)實(shí)際情況選擇6dB法或20dB法測(cè)量探頭聲束偏轉(zhuǎn)范圍內(nèi)橫通孔回波dB差。

（資料性附錄）

檢測(cè)報(bào)告相控陣超聲檢測(cè)報(bào)告(管道)參見表C.1。相控陣超聲檢測(cè)報(bào)告(管道)(項(xiàng)目名稱)相控陣超聲檢測(cè)報(bào)告(管道)(第頁(yè)/共頁(yè))PAUT-01單項(xiàng)工程名稱單項(xiàng)工程編號(hào)單位工程名稱單位工程編號(hào)委托單位報(bào)告編號(hào)被檢件基本情況管道名稱區(qū)位/管道編號(hào)委托單編號(hào)管道材質(zhì)管道規(guī)格焊縫類型坡口形式焊接方法表面狀態(tài)檢測(cè)部位檢測(cè)數(shù)量焊縫寬度內(nèi)側(cè)：mm，外側(cè)：mm檢測(cè)區(qū)域熱處理狀態(tài)檢測(cè)時(shí)機(jī)檢測(cè)比例檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)合格級(jí)別儀器及器材儀器型號(hào)儀器編號(hào)掃查裝置□自動(dòng)□手動(dòng)探頭型號(hào)探頭編號(hào)晶片間距晶片寬度楔塊型號(hào)耦合劑校準(zhǔn)試塊對(duì)比試塊位置傳感器型號(hào)檢測(cè)工藝參數(shù)掃查面探頭組聲束類型□縱波□橫波掃查方式□鋸齒□直線晶片失效數(shù)量實(shí)測(cè)聲速檢測(cè)方式□直射□一次反射激發(fā)晶片數(shù)S掃描：E掃描：掃描類型□S掃描□E掃描晶片起始位置S掃描第一：最后：,E掃描第一：最后：角度范圍楔塊延遲聚焦深度角度步距晶片步距角度增益補(bǔ)償靈敏度校準(zhǔn)□DAC□TCG掃查靈敏度步進(jìn)偏移掃查分辨率信號(hào)平均操作溫度記錄編號(hào)檢測(cè)工藝編號(hào)檢測(cè)區(qū)域覆蓋示意圖：操作人：資格：級(jí)年月日審核人：資格：級(jí)年月日批準(zhǔn)人：資格：級(jí)年月日檢測(cè)專用章：表C.1相控陣超聲檢測(cè)報(bào)告(管道)（續(xù)）(項(xiàng)目名稱)相控陣超聲檢測(cè)報(bào)告(管道)(第頁(yè)/共頁(yè))PAUT-02單項(xiàng)工程名稱單項(xiàng)工程編號(hào)單位工程名稱單位工程編號(hào)管道名稱/編號(hào)報(bào)告編號(hào)檢測(cè)數(shù)據(jù)及結(jié)論序號(hào)管道編號(hào)分段編號(hào)位置mm長(zhǎng)度mm深度mm高度mm波幅區(qū)域缺陷類別評(píng)定級(jí)別結(jié)論數(shù)據(jù)文件名操作人：資格：級(jí)年月日審核人：資格：級(jí)年月日批準(zhǔn)人：資格：級(jí)年月日檢測(cè)專用章：表C.1相控陣超聲檢測(cè)報(bào)告(管道)（續(xù)）(項(xiàng)目名稱)相控陣超聲檢測(cè)報(bào)告附圖(第頁(yè)/共頁(yè))PAUT-03單項(xiàng)工程名稱單項(xiàng)工程編號(hào)單位工程名稱單位工程編號(hào)管道名稱/編號(hào)報(bào)告編號(hào)檢測(cè)部位示意圖管段圖：超標(biāo)缺陷數(shù)據(jù)文件編號(hào)：返修部位復(fù)驗(yàn)數(shù)據(jù)文件編號(hào)：超標(biāo)缺陷數(shù)據(jù)圖像：返修部位復(fù)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖像：操作人：資格：級(jí)年月日審核人：資格：級(jí)年月日批準(zhǔn)人：資格：級(jí)年月日檢測(cè)專用章：

（資料性附錄）

條文說明范圍條款中的壓力管道指利用一定的壓力，用于輸送氣體或者液體的管狀設(shè)備，其范圍規(guī)定為最高工作壓力≥0.1MPa（表壓）的氣體、液化氣體、蒸汽介質(zhì)或者可燃、易爆、有毒、有腐蝕性、最高工作溫度高于或者等于標(biāo)準(zhǔn)沸點(diǎn)的液體介質(zhì)，且公稱直徑≥50mm的管道。公稱直徑＜150mm，且其最高工作壓力＜1.6MPa（表壓）的輸送無毒、不可燃、無腐蝕性氣體的管道和設(shè)備本體所屬管道除外。對(duì)接接頭是指管子與管子或者管子與管件（主要包括彎頭、彎管、三通、異徑管、法蘭等）的對(duì)接接頭。參照《特種設(shè)備目錄》和GB50235—2010《工業(yè)金屬管道工程施工規(guī)范》相關(guān)規(guī)定。本標(biāo)準(zhǔn)采用一維線性陣列相控陣超聲檢測(cè)技術(shù)，進(jìn)行鋸齒掃查或攜帶編碼器的沿線掃查。參照ASMEBPVC.V—2015中焊縫超聲波檢測(cè)方法—附錄Ⅳ《采用線性陣列的相控陣手工鋸齒檢測(cè)技術(shù)》和附錄Ⅴ《相控陣E-掃查和S-掃查沿線掃查檢驗(yàn)技術(shù)》相關(guān)要求。條款中規(guī)定的檢測(cè)管道材質(zhì)為碳素鋼或低合金鋼。參照NB/T47013.10—2015《承壓設(shè)備無損檢測(cè)第10部分：衍射時(shí)差法超聲檢測(cè)》相關(guān)要求條款中規(guī)定適用于管道外徑大于或等于159mm，管壁厚為6mm～60mm；參照NB/T47013.3—2015《承壓設(shè)備無損檢測(cè)第3部分：超聲檢測(cè)》中Ⅰ型焊接接頭超聲檢測(cè)適用范圍的相關(guān)要求。對(duì)奧氏體鋼及其他材料的焊縫檢測(cè)時(shí)，應(yīng)通過實(shí)驗(yàn)后取得可靠數(shù)據(jù)，也可以參照本標(biāo)準(zhǔn)，需要編制專用的操作指導(dǎo)書。規(guī)范性引用文件GB/T12604.1—2005無損檢測(cè)術(shù)語超聲檢測(cè)GB/T23905無損檢測(cè)超聲檢測(cè)用試塊GB/T32563無損檢測(cè)超聲檢測(cè)相控陣超聲檢測(cè)方法NB/T47013.1—2015承壓設(shè)備無損檢測(cè)第1部分：通用要求NB/T47013.3—2015承壓設(shè)備無損檢測(cè)第3部分：超聲檢測(cè)NB/T47013.10—2015承壓設(shè)備無損檢測(cè)第10部分：衍射時(shí)差法超聲檢測(cè)術(shù)語和定義GB/T12604.1—2005和GB/T32563—2016規(guī)定的術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。線性陣列相控陣探頭本標(biāo)準(zhǔn)采用的線性相控陣超聲探頭為一維線性陣列相控陣探頭，可實(shí)現(xiàn)聲場(chǎng)在一維空間偏轉(zhuǎn)；相控陣超聲探頭聲場(chǎng)的影響因素:晶片寬度e或晶片間距g的影響聲場(chǎng)的主聲束波幅、偏轉(zhuǎn)范圍，以及柵瓣的產(chǎn)生。一般要求：e＜λ/2，并保持g＜0.67λ，以避免偏轉(zhuǎn)角度增大時(shí)產(chǎn)生柵瓣。激發(fā)孔徑激發(fā)（主動(dòng)）孔徑影響因素：激發(fā)（主動(dòng)）孔徑的大小，影響孔徑整體的發(fā)射強(qiáng)度、近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度和聲束的截面形狀。同一探頭主動(dòng)孔徑越大需激發(fā)的晶片數(shù)量越多，則孔徑整體的超聲發(fā)射強(qiáng)度越大，同時(shí)近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度越大，則可聚焦的深度范圍越大。過小的主動(dòng)孔徑使整體發(fā)射強(qiáng)度過小而導(dǎo)致靈敏度不夠，且使得主動(dòng)孔徑的兩個(gè)方向的尺寸相差懸殊，使聲束截面扁長(zhǎng)不利于檢測(cè)覆蓋。被動(dòng)孔徑推薦被動(dòng)孔徑的寬度是由探頭頻率和聚焦深度范圍確定，見公式（D.1）。W=1.4[λ（Fmin+Fmax）]0.5……………（D.1）式中：W——被動(dòng)孔徑寬度，單位為毫米(mm)；λ——波長(zhǎng)，單位為毫米(mm)；Fmin——最小聚焦深度，單位為毫米(mm)；Fmax——最大聚焦深度，單位為毫米(mm)。非聚焦探頭的聚焦深度由近場(chǎng)長(zhǎng)度確定，見公式（D.2）N0=（A2+W2）(0.78-0.27W/A)/πλ5……（D.2）式中：N0——近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度，單位為毫米(mm)；W——被動(dòng)孔徑寬度，單位為毫米(mm)；λ——波長(zhǎng)，單位為毫米(mm)；A——激發(fā)孔徑，單位為毫米(mm)。影響因素：一是，影響檢測(cè)靈敏度和缺陷測(cè)長(zhǎng)，當(dāng)A=W時(shí)，線性探頭檢測(cè)效率最高；二是，影響波束衍射模式和波束寬度，對(duì)于非聚焦探頭為W=(0.7～1.0)A。固定角度掃描探頭需前后移動(dòng)，聲束即可以掃查對(duì)接接頭整個(gè)截面，適合鋸齒掃查，見圖D.1。固定角度掃查示意圖探頭步進(jìn)偏移采用沿線掃查時(shí)，探頭步進(jìn)偏移是相控陣儀器掃查設(shè)置中的重要技術(shù)參數(shù)，是保證聲束設(shè)置是否滿足被檢焊縫橫截面得到全掃描，見圖D.2。相控陣探頭步進(jìn)偏移示意圖基本規(guī)定檢測(cè)人員4.1.1和4.1.2條款規(guī)定了從事相控陣超聲檢測(cè)操作人員應(yīng)具備的條件。專項(xiàng)培訓(xùn),是指國(guó)內(nèi)外舉辦的相控陣超聲檢測(cè)技術(shù)及儀器操作培訓(xùn)班學(xué)習(xí)。參照TSGZ8001—2013《特種設(shè)備無損檢測(cè)人員考核規(guī)則》有關(guān)要求。檢測(cè)設(shè)備及器材一般要求4.2.1.1和4.2.1.2條款，是對(duì)使用的相控陣超聲檢測(cè)設(shè)備和器材的組成及應(yīng)具備的基本條件。相控陣超聲儀器4.2.2.1至4.2.2.4條款，是對(duì)使用的相控陣超聲檢測(cè)儀器性能基本要求。參照ASTMSE-2700和GB/T29302—2012中相關(guān)要求。相控陣超聲檢測(cè)軟件4.2.3.1至4.2.3.3條款，為相控陣超聲儀器應(yīng)具備的檢測(cè)、數(shù)據(jù)離線分析、聲場(chǎng)模擬仿真軟件的基本要求。參照ASTMSE-2700中相關(guān)要求。相控陣超聲探頭及楔塊4.2.4.1至4.2.4.6條款，是對(duì)選用的探頭和楔塊技術(shù)性能指標(biāo)基本要求，參照ASTMSE-2700和GB/T32563—2016中相關(guān)要求。相控陣超聲檢測(cè)掃查裝置4.2.5.1至4.2.5.4條款，為了保證采集數(shù)據(jù)記錄的完整，相控陣超聲檢測(cè)采用的掃查裝置應(yīng)具備的基本性能要求。參照GB/T32563—2016有關(guān)掃查裝置條款。試塊一般要求4.3.1.1至4.3.1.2條款，是本標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用試塊種類和制作的基本要求。參照NB/T47013.3—2015和ASMEBPVC.V—2015中相關(guān)要求。標(biāo)準(zhǔn)試塊標(biāo)準(zhǔn)試塊是指用于相控陣超聲檢測(cè)系統(tǒng)性能的測(cè)試及增益補(bǔ)償調(diào)試。本標(biāo)準(zhǔn)主要有G-ⅠA試塊和聲束偏轉(zhuǎn)評(píng)定試塊，試塊上的弧面曲率應(yīng)根據(jù)被檢管道曲率而定，并適合楔塊底部弧面曲率。4.3.2.1和至4.3.2.2條款，參照GB/T29302-2012相關(guān)相控陣超聲儀器和探頭測(cè)試方法的要求。曲率相近，是指曲率半徑為被檢管道曲率的0.9～1.5倍之間；壁厚相近，是指被檢管道名義厚度的±25%；材質(zhì)相近，是指聲速值與為被檢管道材料相差不應(yīng)大于±1%。對(duì)比試塊對(duì)比試塊是指用于TCG和DAC曲線制作，即是靈敏度設(shè)置。4.3.3.1條款為對(duì)比試塊選擇厚度要求，參照ASMEBPVC.V—2015中《第4章焊縫超聲波檢測(cè)方法》。4.3.3.2條款為對(duì)比試塊長(zhǎng)度、反射體類型、位置、寬度的選擇，參照NB/T47013.3—2015：試塊型號(hào)說明：如G-ⅡA-1，G表示管道，ⅡA表示人工反射體為φ2橫通孔，1、2、3、4表示適用范圍；對(duì)比試塊，采用的橫通孔直徑和深度，參照NB/T47013.3—2015規(guī)定的CSK-ⅡA試塊；對(duì)比試塊橫通孔距端部距離設(shè)計(jì)為100mm的設(shè)計(jì)，主要為了避免在測(cè)試時(shí)產(chǎn)生端角反射影響曲線制作；對(duì)比試塊掃查面凸弧面設(shè)計(jì)，要求與被檢管道曲率相同或相近，適合楔塊底部為弧面時(shí)的確保耦合要求；對(duì)比試塊底部?jī)?nèi)弧面設(shè)計(jì)，在進(jìn)行靈敏度設(shè)置時(shí)，考慮到由于管道內(nèi)側(cè)引起的波幅降低而造成的靈敏度設(shè)置減小。曲率半徑相近：是指對(duì)比試塊的曲率半徑為被檢管道曲率的0.9～1.5倍之間。模擬試塊模擬試塊是指用與被檢管道相同或相近的規(guī)格、材質(zhì)、坡口類型、焊接工藝制作而成，有易產(chǎn)生的焊接缺陷；主要用途是對(duì)相控陣超聲檢測(cè)工藝技術(shù)參數(shù)進(jìn)行可靠性驗(yàn)證。4.3.4.1至4.3.4.3條款是對(duì)模擬試塊制作的規(guī)格、材質(zhì)、缺陷類型、缺陷尺寸、缺陷位置要求。參照NB/T47013.10—2015相關(guān)要求。耦合劑4.4.1和4.4.2條款，是對(duì)相控陣超聲檢測(cè)時(shí)使用耦合劑的基本要求。參照NB/T47013.3—2015中相關(guān)要求。檢測(cè)工藝文件4.5.1、4.5.2、4.5.3條款為管道焊縫相控陣超聲檢測(cè)工藝規(guī)程、操作指導(dǎo)書的編制時(shí)機(jī)和內(nèi)容要求，以及在檢測(cè)過程中涉及到的主要相關(guān)因素，參照GB/T32563—2016中相關(guān)要求。管件類型是指彎頭、三通、異徑管、法蘭等，根據(jù)檢測(cè)對(duì)象不同，其焊縫檢測(cè)用的探頭和楔塊以及掃查方式也不同，應(yīng)利用仿真軟件模擬后確定相關(guān)檢測(cè)技術(shù)參數(shù)。工藝可靠性驗(yàn)證4.6.1為工藝時(shí)機(jī)要求；4.6.2為工藝驗(yàn)證方法和要求。參照GB/T32563—2016中相關(guān)要求。檢測(cè)設(shè)備和器材的校準(zhǔn)、核查、運(yùn)行核查和檢查校準(zhǔn)、核查4.7.1.1和4.7.1.2條款為校準(zhǔn)與核查的主要內(nèi)容、時(shí)機(jī)和采用試塊的要求，參照GB/T32563—2016相關(guān)要求。運(yùn)行核查和檢查4.7.2.1和4.7.2.2條款為運(yùn)行核查和檢查的主要內(nèi)容、時(shí)機(jī)和采用試塊及方法要求，參照GB/T32563—2016相關(guān)要求。安全防護(hù)4.8.1、4.8.2、4.8.3、4.8.4條款為管道對(duì)接接頭進(jìn)行相控陣超聲檢測(cè)時(shí)的風(fēng)險(xiǎn)要素和安全措施，參照NB/T47013.1—2015的相關(guān)要求。檢測(cè)準(zhǔn)備檢測(cè)區(qū)域5.1.1至5.1.3條款，是對(duì)相控陣超聲檢測(cè)焊縫檢測(cè)區(qū)域的確定要求，參照GB/T32563-2016和NB/T47013.3-2015的相關(guān)要求。掃描類型選擇掃描類型分為：S-掃描——作為常用的一種初始掃描形式；E-掃描（固定角度掃描）——作為一種特定部位的一種掃描形式,主要參照ASMEBPVC.V-2015中附錄Ⅳ《采用線性陣列的相控陣手工鋸齒檢測(cè)技術(shù)》和附錄Ⅴ《相控陣E-掃查和S-掃查沿線掃查檢驗(yàn)技術(shù)》相關(guān)要求。5.2.1、5.2.2、5.2.3條款，規(guī)定了對(duì)管道對(duì)接接頭進(jìn)行相控陣超聲檢測(cè)時(shí)，掃描類型的選擇原則及對(duì)不同的坡口形式的掃描類型推薦選擇，可根據(jù)具體情況選擇一種或多種相同或不同的掃描類型組合掃描。掃查方式選擇5.3.1和5.3.2條款，確定了相控陣超聲檢測(cè)掃查方式和適用范圍及掃查方式選擇原則。首次掃查時(shí)，在管道環(huán)向?qū)咏宇^兩側(cè)宜選擇沿線掃查方式，由于條件首先也可選擇鋸齒掃查；為保證管道環(huán)向?qū)咏宇^中缺陷的檢出，也可采用分層沿線掃查；對(duì)橫向缺陷掃查優(yōu)選平行掃查。掃查方式的選擇取決直管與何種管件類型對(duì)接有關(guān)，推薦掃查方式見表D.1。不同管件與直管環(huán)向?qū)咏宇^推薦掃查方式管道焊縫對(duì)接類型掃查方式直管與直管對(duì)接采用焊縫兩側(cè)沿線掃查直管與彎頭對(duì)接采用焊縫兩側(cè)沿線掃查；彎頭側(cè)，選用小主動(dòng)孔徑的32晶片特制探頭直管與大小頭對(duì)接焊縫直管側(cè)，采用沿線掃查；大小頭側(cè)，滿足覆蓋采用沿線掃查，不滿足覆蓋要求時(shí)采用鋸齒掃查直管與三通對(duì)接焊縫直管側(cè)，沿線掃查；三通側(cè)，滿足覆蓋采用沿線掃查；不滿足覆蓋采用局部沿線掃查+局部鋸齒掃查（當(dāng)采用局部鋸齒掃查時(shí)，焊縫余高應(yīng)磨平）直管與法蘭對(duì)接焊縫直管側(cè)，沿線掃查；法蘭側(cè)，采用鋸齒掃查（條件允許時(shí)可內(nèi)側(cè)進(jìn)行）。需要橫向缺陷檢測(cè)時(shí)，采用平行或斜向掃查方式，優(yōu)選平行掃查方式。參照ASTMSE-2700《使用相控陣對(duì)焊縫進(jìn)行接觸法超聲檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)操作方法》相關(guān)要求。沿線掃查技術(shù)特點(diǎn)：一是，探頭在距管道焊縫中心線一定距離的位置上，平行于焊縫沿管道周向進(jìn)行直線行走；二是，能夠快速得到并記錄管道焊縫整體信息，通過數(shù)據(jù)處理可形成B、C、D型顯示，沿線掃查見圖D.3。管道對(duì)接接頭沿線掃查示意圖探頭選擇5.4.1～5.4.3為相控陣超聲探頭選擇原則，其正文中的表4為推薦值，準(zhǔn)確的選擇還要通過聲場(chǎng)模擬和試驗(yàn)進(jìn)行確定。最大探測(cè)厚度與一次激發(fā)晶片數(shù)關(guān)系：當(dāng)壁厚為≥6～15mm時(shí)，可選擇一次激發(fā)8～32個(gè)晶片；當(dāng)壁厚為＞15～50mm時(shí)，可選擇一次激發(fā)16～32個(gè)晶片；當(dāng)壁厚為＞50～60mm時(shí)，可選擇一次激發(fā)32～64個(gè)晶片。楔塊選擇5.5.1至5.5.2條款，為相控陣超聲楔塊選擇，楔塊角度選擇應(yīng)根據(jù)具體情況進(jìn)行，必須滿足焊縫缺陷的檢出要求；楔塊底部選擇應(yīng)考慮管道曲率，保證有良好的接觸和耦合。參照ASMEBPVC.V—2015焊縫超聲波檢驗(yàn)方法—附錄Ⅴ《相控陣E-掃查和S-掃查沿線掃查檢驗(yàn)技術(shù)》相關(guān)要求。建議當(dāng)被檢管道曲率半徑大于250mm時(shí)，可選擇平底面楔塊；當(dāng)被檢管道曲率半徑小于或等于250mm時(shí)，宜選擇同被檢管道曲率基本一致的曲底面楔塊。掃描覆蓋5.6.1至5.6.5條款，要求進(jìn)行相控陣超聲檢測(cè)時(shí)，為保證掃查聲束全覆蓋對(duì)接接頭的被檢區(qū)域，應(yīng)使用聲場(chǎng)模擬軟件，確定激發(fā)晶片位置、激發(fā)孔徑長(zhǎng)度和角度范圍以及步進(jìn)偏移距離。使有效聲程范圍的設(shè)置應(yīng)滿足檢測(cè)區(qū)域全覆蓋要求，為確保聲束覆蓋被檢焊接接頭的全部截面，可采用多種掃描類型組合設(shè)置掃查。參照ASMEBPVC.V—2015焊縫超聲波檢驗(yàn)方法—附錄Ⅴ《相控陣E-掃查和S-掃查沿線掃查檢驗(yàn)技術(shù)》相關(guān)要求。探頭步進(jìn)偏移確定5.7.1和5.7.2條款，為步進(jìn)偏移確定方法。采用沿線掃查時(shí)，探頭步進(jìn)偏移距離是保證掃描聲束全覆蓋被檢區(qū)域的一個(gè)重要技術(shù)參數(shù)。如：步進(jìn)偏移距離過大，聲束不能覆蓋探頭一側(cè)的焊縫，將會(huì)產(chǎn)生漏檢；步進(jìn)偏移距離過小，聲束不能覆蓋探頭對(duì)面一側(cè)的焊縫，將會(huì)產(chǎn)生漏檢。對(duì)V型、雙V和U型坡口檢測(cè)時(shí)，其步進(jìn)偏移距離計(jì)算模式圖見圖D.4所示。焊縫扇掃聲場(chǎng)示意圖檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置及校準(zhǔn)檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置相控陣超聲檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置包括聚焦法則的設(shè)置、聚焦深度的設(shè)置、激發(fā)孔徑設(shè)置、S-掃描設(shè)置、E-掃描設(shè)置、顯示范圍設(shè)置、角度步距、晶片步距、掃查步進(jìn)設(shè)置等，以上各設(shè)置是保證焊縫相控陣檢測(cè)的重要技術(shù)參數(shù)，應(yīng)在檢測(cè)前進(jìn)行：聚焦深度的設(shè)置時(shí)，應(yīng)注意聚焦區(qū)以外聲場(chǎng)劣化問題；E-掃描設(shè)置時(shí)，應(yīng)考慮焊縫熱影響區(qū)寬度；角度步距是指進(jìn)行S-掃描設(shè)置時(shí)，每?jī)蓚€(gè)相鄰聲束之間的度數(shù)；晶片步距：是指進(jìn)行E-掃描設(shè)置時(shí)，每?jī)蓚€(gè)相鄰孔徑之間的晶片數(shù)量；掃查步進(jìn)：是指掃查過程中相鄰兩個(gè)A掃描信號(hào)的空間采樣間隔。6.1.1至6.1.7條款，參照ASTMSE-2700《使用相控陣對(duì)焊縫進(jìn)行接觸法超聲檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)操作方法》和ASMEBPVC.V-2015焊縫超聲波檢驗(yàn)方法—附錄Ⅴ相控陣E-掃查和S-掃查沿線掃查檢驗(yàn)技術(shù)》相關(guān)要求。檢測(cè)系統(tǒng)校準(zhǔn)相控陣超聲檢測(cè)系統(tǒng)校準(zhǔn)主要有聲速和楔塊延時(shí)校準(zhǔn)、角度增益校準(zhǔn)、深度校準(zhǔn)、位置傳感器校準(zhǔn)等，為了確保相控陣超聲檢測(cè)對(duì)焊縫中缺陷的精準(zhǔn)性，應(yīng)在檢測(cè)實(shí)施前進(jìn)行。角度增益校準(zhǔn)：也稱靈敏度校準(zhǔn)，是聚焦法則的補(bǔ)償，用于校正S掃描中在不同角度時(shí)的回波—透射波動(dòng)效應(yīng)?？梢酝ㄟ^S掃描所用的角度范圍中遠(yuǎn)場(chǎng)一個(gè)均勻的反射體幅度高度的補(bǔ)償法來實(shí)現(xiàn)。角度增益校準(zhǔn)方法：一是,一維線陣列探頭E-掃描時(shí),推薦在本標(biāo)準(zhǔn)G-ⅠA試塊中的2mm直徑橫通孔（SDH）進(jìn)行0°延遲線靈敏度或帶斜楔塊的靈敏度校正；二是,一維線陣列探頭S-掃描時(shí),推薦在本標(biāo)準(zhǔn)G-ⅠA試塊中的半徑100mm的半圓弧面進(jìn)行帶楔塊靈敏度校正。6.2.1至6.2.4條款，是對(duì)檢測(cè)前的檢測(cè)系統(tǒng)主要技術(shù)條件進(jìn)行校準(zhǔn)的方法和技術(shù)指標(biāo)要求，參照ASTMSE-2700《使用相控陣對(duì)焊縫進(jìn)行接觸法超聲檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)操作方法》相關(guān)要求。靈敏度設(shè)置本標(biāo)準(zhǔn)采用的靈敏度設(shè)置方法，主要采用DAC曲線或TAC曲線兩種方法：DAC曲線是指相同尺寸的目標(biāo)點(diǎn)，信號(hào)幅值隨著時(shí)間（聲程）增加而下降。適用鋸齒掃查方法的靈敏度設(shè)置；TCG曲線是指相同尺寸的目標(biāo)點(diǎn)，時(shí)間（聲程）不同，但信號(hào)幅值相同。適用沿線掃查方法的靈敏度設(shè)置。TCG曲線靈敏度也稱為時(shí)間校正增益，其校正方法是將所探測(cè)的不同深度所有人工反射體的最高反射波幅高度均達(dá)到滿屏的40%～80%之間見圖D.5。時(shí)間校正增益（TCG曲線）設(shè)置6.3.1.1至6.3.1.4條款，為DAC和TCG曲線制作的總體要求和適用范圍。距離波幅（DAC）曲線制作6.3.2.1至6.3.2.4條款，為距離波幅（DAC）曲線制作方法和使用要求。參照NB/T47013.3-2015相關(guān)要求。時(shí)間增益（TCG）曲線制作6.3.3.1至6.3.3.4條款，為時(shí)間增益（TCG）曲線制作方法和使用要求。參照ASTMSE-2700《使用相控陣對(duì)焊縫進(jìn)行接觸法超聲檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)操作方法》標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)要求。檢測(cè)系統(tǒng)復(fù)核復(fù)核時(shí)機(jī)條款中的a)b)c)d)為復(fù)核時(shí)機(jī)的具體要求，參照GB/T32563—2016相關(guān)要求。復(fù)核內(nèi)容6.4.2.1至6.4.2.3條款，是對(duì)檢測(cè)系統(tǒng)復(fù)核內(nèi)容、使用試塊和復(fù)核偏差的要求。參照ASTMSE-2700《使用相控陣對(duì)焊縫進(jìn)行接觸法超聲檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)操作方法》和GB/T32563—2016《無損檢測(cè)超聲檢測(cè)相控陣超聲檢測(cè)方法》標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)要求。檢測(cè)掃查面準(zhǔn)備7.1.1至7.1.3條款，對(duì)檢測(cè)時(shí)掃查面寬度和表面質(zhì)量要求，參照NB/T47013.10—2015相關(guān)要求。焊縫標(biāo)識(shí)及分段參照線標(biāo)示的作用：對(duì)使用無軌道手動(dòng)掃查裝置時(shí)，為保證在掃查過程中探頭移動(dòng)行走軌跡不產(chǎn)生偏離，使探頭發(fā)射的聲束能夠全覆蓋焊縫被檢區(qū)域，分段標(biāo)示原因：一是，一次掃查長(zhǎng)度越長(zhǎng)所采集的數(shù)據(jù)量就越大，儲(chǔ)存時(shí)間越長(zhǎng)；二是，一次掃查長(zhǎng)度越長(zhǎng)，影響缺陷長(zhǎng)度和位置的測(cè)量精度。7.2.1和7.2.2為標(biāo)示和分段長(zhǎng)度要求，參照NB/T47013.10—2015相關(guān)要求。掃查覆蓋7.3.1至7.3.3條款，是相控陣超聲探頭在對(duì)焊縫掃查時(shí)的聲束覆蓋要求。覆蓋包括掃查起始點(diǎn)長(zhǎng)度方向覆蓋、鋸齒掃查時(shí)探頭移動(dòng)覆蓋、多次沿線掃查聲場(chǎng)覆蓋。參照ASTMSE-2700《使用相控陣對(duì)焊縫進(jìn)行接觸法超聲檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)操作方法》和ASME第Ⅴ卷—2013焊縫超聲波檢驗(yàn)方法—附錄Ⅴ《相控陣E-掃查和S-掃查沿線掃查檢驗(yàn)技術(shù)》以及NB/T47013.10—2015標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)要求。掃查速度相控陣超聲探頭移動(dòng)速度主要受限于聚焦法則設(shè)置數(shù)量，聚焦法則越多，需要的處理時(shí)間就越長(zhǎng)，顯示更新率越慢。7.4.1和7.4.2條款，是對(duì)檢測(cè)時(shí)探頭移動(dòng)速度的相關(guān)要求。參照NB/T47013.10—2015和NB/T47013.3—2015相關(guān)要求。掃查過程觀察7.5.1和7.5.2條款，是指在進(jìn)行沿線掃查的過程中所觀察的內(nèi)容和掃查軌跡偏移要求。參照ASMEBPVC.V-2015焊縫超聲波檢驗(yàn)方法—附錄Ⅴ相控陣E-掃查和S-掃查沿線掃查檢驗(yàn)技術(shù)。檢測(cè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)7.6.1和7.6.2條款，主要是對(duì)進(jìn)行相控陣超聲檢測(cè)后所采集數(shù)據(jù)存儲(chǔ)文件名稱和保存要求。對(duì)采集的每一幅數(shù)據(jù)及時(shí)保存在本儀器中，便于拷貝到電腦中或移動(dòng)硬盤中，利用在數(shù)據(jù)分析軟件中進(jìn)行分析和評(píng)定。檢測(cè)溫度檢測(cè)環(huán)境溫度對(duì)使用的耦合劑的耦合性能和儀器性能影響較大，直接影響檢測(cè)靈敏度，因而本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)檢測(cè)環(huán)境做了相應(yīng)的規(guī)定。特殊探頭和耦合劑：是指適用于低溫和高溫檢測(cè)的相控陣超聲探頭和耦合劑；7.7.1和7.7.2條款，參照NB/T47013.10-2015相關(guān)要求。母材檢測(cè)母材檢測(cè)，是指聲束通過的母材區(qū)域的檢測(cè)，檢測(cè)結(jié)果只做記錄，不屬于母材驗(yàn)收檢測(cè)。7.8.1和7.8.2條款，參照GB/T32563—2016相關(guān)要求。橫向缺陷檢測(cè)對(duì)管道環(huán)向?qū)咏宇^中的橫向缺陷檢測(cè)條件和方法要求，參照GB/T32563—2016中相關(guān)要求。數(shù)據(jù)的分析和評(píng)定檢測(cè)數(shù)據(jù)的有效性評(píng)價(jià)檢測(cè)數(shù)據(jù)有效性評(píng)價(jià)是指采用沿線掃查時(shí)，對(duì)采集的一個(gè)完整的相控陣超聲檢測(cè)數(shù)據(jù)圖像，必須滿足成像質(zhì)量要求，方可保證準(zhǔn)確評(píng)定。8.1.1和8.1.2條款，是檢測(cè)數(shù)據(jù)有效性評(píng)估內(nèi)容和評(píng)價(jià)指標(biāo)以及對(duì)無效數(shù)據(jù)處置的要求。參照GB/T32563—2016相關(guān)要求。顯示分類8.2.1和8.2.2條款，為壓力管道環(huán)向?qū)咏宇^進(jìn)行相控陣超聲檢測(cè)時(shí)顯示分類。參照GB/T32563—2016和NB/T47013.10—2015相關(guān)要求。缺陷定量定量8.3.1.1和8.3.1.2為采用DAC曲線或TCG曲線設(shè)置掃查時(shí)，缺陷定量的方法要求。參照ASMEBPVC.V-2015中焊縫超聲波檢驗(yàn)方法—附錄P《相控陣PAUT解釋》標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)要求。缺陷波幅確定8.3.2.1和8.3.2.2條款，是對(duì)S-掃描和E-掃描的缺陷最高波幅確定方法的規(guī)定，參照GB/T32563-2016相關(guān)要求。缺陷長(zhǎng)度測(cè)量8.3.3.1和8.3.3.2條款，是對(duì)采用DAC曲線進(jìn)行鋸齒掃查檢測(cè)或采用TCG曲線進(jìn)行沿線掃查檢測(cè)，缺陷長(zhǎng)度測(cè)量方法要求。參照ASTMSE-2700《使用相控陣對(duì)焊縫進(jìn)行接觸法超聲檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)操作方法》中相關(guān)要求。TCG曲線色譜法定量：使用時(shí)間增益（TCG）設(shè)置靈敏度檢測(cè)時(shí)，掃查的數(shù)據(jù)圖譜中各種顏色代表的信號(hào)波幅。一般來說，白色——表示波幅高度為0%，藍(lán)色（或淺色）——表示低波幅高度（20%-40%），黃色（或桔黃色）——表示波幅高度40%-80%，紅色——表示高波幅度80%-100%，暗紅色——表示波幅高度超過100%。缺陷長(zhǎng)度：是指是平行于表面的缺陷長(zhǎng)度，主要在B-掃描或C-掃描圖像上并結(jié)合A-掃描波幅高度進(jìn)行測(cè)量；當(dāng)缺陷波幅高度未超過滿屏100%時(shí)，采用波幅下降法（-6dB或端點(diǎn)-6dB）測(cè)量，如圖D.6；端點(diǎn)下降6dB法（半波高法）測(cè)長(zhǎng)當(dāng)缺陷波幅高度超過滿屏100%時(shí)，采用色譜法測(cè)量，見圖D.7。色譜法（暗紅與黃交界處）測(cè)長(zhǎng)缺陷埋藏深度和自身高度的測(cè)量8.3.4.1至8.3.4.3條款，為缺陷自身高度和埋藏深度的測(cè)量方法。參照ASTMSE-2700《使用相控陣對(duì)焊縫進(jìn)行接觸法超聲檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)操作方法》中相關(guān)要求：缺陷自身高度是指垂直于表面的缺陷高度，可從B、E或S-掃描圖像上并結(jié)合A-掃描波幅高度測(cè)量；缺陷埋藏深度是指缺陷自身高度的上端點(diǎn)至工件表面間的距離，可在B、E或S-掃描圖像上并結(jié)合A-掃描波幅高度測(cè)量；缺陷波幅高度未超過滿屏100%時(shí)，采用波幅下降法（-6dB或端點(diǎn)-6dB）測(cè)量，如圖D.8，在S-掃描圖像顯示上，用波幅下降法和水平光標(biāo)進(jìn)行缺陷埋藏深度和自身高度測(cè)量；端點(diǎn)下降6dB法（半波高法）測(cè)量缺陷波幅高度超過滿屏100%時(shí)，采用色