微型計(jì)算機(jī)的組成第一頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日CPU主要參數(shù)及規(guī)格型號(hào)一、CPU架構(gòu)，就是CPU核心的設(shè)計(jì)方案。目前CPU大致可以分為X86、IA64、RISC等多種架構(gòu)，而個(gè)人電腦上的CPU架構(gòu)，其實(shí)都是基于X86架構(gòu)設(shè)計(jì)的，稱為X86下的微架構(gòu)，常常被簡(jiǎn)稱為CPU架構(gòu)。更新CPU架構(gòu)能有效地提高CPU的執(zhí)行效率，但也需要投入巨大的研發(fā)成本，因此CPU廠商一般每2-3年才更新一次架構(gòu)。近幾年比較著名的X86微架構(gòu)有Intel的Netburst（Pentium4/PentiumD系列）、Core（Core2系列）、Nehalem（Corei7/i5/i3系列），以及AMD的K8（Athlon64系列）、K10（Phenom系列）、K10.5（AthlonII/PhenomII系列）。第二頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日二、CPU制造工藝：我們常說(shuō)的CPU制作工藝是指生產(chǎn)CPU的技術(shù)水平，改進(jìn)制作工藝，就是通過(guò)縮短CPU內(nèi)部電路與電路之間的距離，使同一面積的晶圓上可實(shí)現(xiàn)更多功能或更強(qiáng)性能。制作工藝以納米（nm）為單位，目前CPU主流的制作工藝是45nm和32nm。對(duì)于普通用戶來(lái)說(shuō)，更先進(jìn)的制作工藝能帶來(lái)更低的功耗和更好的超頻潛力。三、CPU位寬

32/64位指的是CPU位寬，更大的CPU位寬有兩個(gè)好處：一次能處理更大范圍的數(shù)據(jù)運(yùn)算和支持更大容量的內(nèi)存。對(duì)于前者，普通用戶暫時(shí)沒(méi)法體驗(yàn)到其優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于后者，很多用戶都碰到過(guò)，一般情況下32位CPU只支持4GB以內(nèi)的內(nèi)存，更大容量的內(nèi)存無(wú)法在系統(tǒng)識(shí)別（服務(wù)器級(jí)除外）。于是就有了64位CPU，然后就有了64位操作系統(tǒng)與軟件。第三頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日四、主頻、倍頻、外頻、前端總線頻率、超頻：CPU主頻，就是CPU運(yùn)算時(shí)的工作頻率，一般以MHz和GHz為單位。主頻=外頻x倍頻。而我們常說(shuō)的超頻，就是通過(guò)手動(dòng)提高外頻或倍頻來(lái)提高主頻。前端總線FSB（FrontSideBus）是處理器與主板北橋芯片或內(nèi)存控制集線器之間的數(shù)據(jù)通道五、核心數(shù)、線程數(shù)：雖然提高頻率能有效提高CPU性能，但受限于制作工藝等物理因素，早在2004年，提高頻率便遇到了瓶頸，于是Intel/AMD只能另辟途徑來(lái)提升CPU性能，雙核、多核CPU便應(yīng)運(yùn)而生。目前主流CPU有雙核、三核和四核，六核也將在今年發(fā)布。其實(shí)增加核心數(shù)目就是為了增加線程數(shù)，因?yàn)椴僮飨到y(tǒng)是通過(guò)線程來(lái)執(zhí)行任務(wù)的，一般情況下它們是1:1對(duì)應(yīng)關(guān)系，也就是說(shuō)四核CPU一般擁有四個(gè)線程。但I(xiàn)ntel引入超線程技術(shù)后，使核心數(shù)與線程數(shù)形成1:2的關(guān)系，如四核Corei7支持八線程（或叫作八個(gè)邏輯核心），大幅提升了其多任務(wù)、多線程性能。第四頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日六、緩存：

緩存，Cache，它也是決定CPU性能的重要指標(biāo)之一。為什么要引入緩存？在解釋之前必須先了解程序的執(zhí)行過(guò)程，首先從硬盤執(zhí)行程序，存放到內(nèi)存，再給CPU運(yùn)算與執(zhí)行。由于內(nèi)存和硬盤的速度相比CPU實(shí)在慢太多了，每執(zhí)行一個(gè)程序CPU都要等待內(nèi)存和硬盤，引入緩存技術(shù)便是為了解決此矛盾，緩存與CPU速度一致，CPU從緩存讀取數(shù)據(jù)比CPU在內(nèi)存上讀取快得多，從而提升系統(tǒng)性能。當(dāng)然，由于CPU芯片面積和成本等原因，緩存都很小。目前主流級(jí)CPU都有一級(jí)和二級(jí)緩存，高端的甚至有三級(jí)緩存。第五頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

CPU的工作電壓就是CPU正常工作所需的電壓，與制作工藝及集成的晶體管數(shù)相關(guān)。正常工作的電壓越低，功耗越低，發(fā)熱減少。CPU的發(fā)展方向，也是在保證性能的基礎(chǔ)上，不斷降低正常工作所需要的電壓。例如老核心AthlonXP的工作電壓為1.75v，而新核心的AthlonXP其電壓為1.65v七、工作電壓第六頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日TDP功耗：TDP的英文全稱是“ThermalDesignPower”，中文翻譯為“熱設(shè)計(jì)功耗”，是反應(yīng)一顆處理器熱量釋放的指標(biāo)，它的含義是當(dāng)處理器達(dá)到負(fù)荷最大的時(shí)候，釋放出的熱量，單位為瓦（W）。

CPU的TDP功耗并不是CPU的真正功耗。CPU的功耗（功率）等于流經(jīng)處理器核心的電流值與該處理器上的核心電壓值的乘積。而TDP是指CPU電流熱效應(yīng)以及其他形式產(chǎn)生的熱能，他們均以熱的形式釋放。顯然CPU的TDP小于CPU功耗。換句話說(shuō)，CPU的功耗很大程度上是對(duì)主板提出的要求，要求主板能夠提供相應(yīng)的電壓和電流；而TDP是對(duì)散熱系統(tǒng)提出要求，要求散熱系統(tǒng)能夠把CPU發(fā)出的熱量散掉，也就是說(shuō)TDP功耗是要求CPU的散熱系統(tǒng)必須能夠驅(qū)散的最大總熱量。八、TDP功耗：第七頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日封裝是采用特定的材料將CPU芯片或CPU模塊固化在其中以防損壞的保護(hù)措施，從大的分類來(lái)看通常采用Socket插座進(jìn)行安裝的CPU使用PGA(CeramicPinGridArrauPackage插針柵格陣列)方式封裝，現(xiàn)在還有PLGA(PlasticLandGridArray)、OLGA(OrganicLandGridArray)等封裝技術(shù)。由于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，目前CPU封裝的發(fā)展方向以節(jié)約成本為主。九、封裝形式（體積、散熱、安裝方便可靠）

PLGA即塑料焊盤柵格陣列封裝。由于沒(méi)有使用針腳，而是使用了細(xì)小的點(diǎn)式接口，具有更小的體積、更少的信號(hào)傳輸損失和更低的生產(chǎn)成本，可以有效提升處理器的信號(hào)強(qiáng)度、提升處理器頻率，同時(shí)也可以提高處理器生產(chǎn)的良品率、降低生產(chǎn)成本。目前Intel公司Socket775接口的CPU采用了此封裝。

OPGA封裝（有機(jī)管腳陣列）。這種封裝的基底使用的是玻璃纖維，類似印刷電路板上的材料。此種封裝方式可以降低阻抗和封裝成本。OPGA封裝拉近了外部電容和處理器內(nèi)核的距離，可以更好地改善內(nèi)核供電和過(guò)濾電流雜波。AMD公司的AthlonXP系列CPU大多使用此類封裝。第八頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第九頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日自處理器誕生起,處理器命名編號(hào)的變化便貫穿其中.早期處理器的命名方式相當(dāng)直接、明了,比如P3-933、P4-2.4GHzC,讓大家一看就知道處理器的規(guī)格及功能.現(xiàn)在引入了新的“數(shù)字”命名規(guī)范.這項(xiàng)命名方式的改變主要是希望將處理器的重點(diǎn)不再只集中在“頻率”,凸顯出每個(gè)產(chǎn)品的性能差異.如T開(kāi)頭的為筆記本CPU,E、X、Q開(kāi)頭的為臺(tái)式PC的CPU,其中E開(kāi)頭的是雙核,X、Q開(kāi)頭的是四核.10、規(guī)格型號(hào)第十頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日臺(tái)式CPU、CPU內(nèi)核ConroeCPU架構(gòu)EM64T雙核心內(nèi)核電壓（V）制作工藝（微米）0.065微米CPU頻率主頻（MHz）2660MHz總線頻率（MHz）1066MHz倍頻（倍）10外頻266MHzE6700Socket775針腳數(shù)775pinCPU緩存L1緩存（KB）64KBL2緩存（KB）2MB*2CPU技術(shù)超線程技術(shù)不支持第十一頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日i3530CPU頻率主頻2930MHz外頻133MHz倍頻22倍插槽類型LGA1156針腳數(shù)目1156pinCPU內(nèi)核核心數(shù)量雙核心線程數(shù)四線程制作工藝32納米核心類型ClarkdaleCPU架構(gòu)Nehelem熱設(shè)計(jì)功耗(TDP)73W內(nèi)核電壓0.6-1.4V晶體管數(shù)量1.77億核心面積114平方毫米CPU緩存一級(jí)緩存2×64K二級(jí)緩存2×256K三級(jí)緩存4MBi3530第十二頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日二、硬盤參數(shù)及規(guī)格型號(hào)

1、硬盤參數(shù)

（1）硬盤外形：3.5英寸全高硬盤，3.5英寸半高硬盤，2.5英寸硬盤（2）硬盤容量：?jiǎn)挝籊B，如320GB、500GB。

（3）硬盤盤片數(shù)：?jiǎn)纹?、兩片?/p>

（4）硬盤接口類型：ATA、SCSI，SATA硬盤（5）硬盤轉(zhuǎn)速：4200轉(zhuǎn)/分，5400轉(zhuǎn)/分，7200轉(zhuǎn)/分，10000轉(zhuǎn)/分，15000轉(zhuǎn)/分。（6）硬盤緩存容量：2MB緩存，8MB緩存、16MB緩存等。第十三頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第十四頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第十五頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第十六頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日2硬盤規(guī)格型號(hào)例如:HDP725050GLA360

H=Hitachi（日立標(biāo)識(shí)）

D=Deskstar

P=P7K500系列（S代表Standard）

72=7200轉(zhuǎn)

50=此系列產(chǎn)品的最大容量為500GB（10=1000GB）

50=此款硬盤容量為500GB（16=160GB，25=250GB，32=320GB,50=500GB,75=750GB，10=1000GB）

G=系列代號(hào)

L=標(biāo)準(zhǔn)尺寸

A3=SATA3.0Gb/s接口（AT=PATA133接口）

6=16MB緩存（8=8MB緩存，6=16MB緩存，3=32MB緩存）

0=保留位第十七頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日例如:ST3500320AS

ST=Seagate（希捷）

3

=3.5英寸（1=3.5英寸全高硬盤，3=3.5英寸半高硬盤）

500

=500GB容量（160=160GB，250=250GB，320=320GB，以此類推）

3=32MB緩存（8=8MB，6=16MB）

2=兩張碟片（1=單碟，3=三碟，4=四碟）

0=

保留位

S=SerialATA串行接口（A=PATA并行接口）第十八頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日例如:WD2500JS-00SGB0

WD

=WesternDigital（西部數(shù)據(jù)）

2500

=250GB容量（1600=160GB，5000=500GB，以此類推）

J=7200rpm/8MB緩存（B=7200轉(zhuǎn)2MB，E=5400轉(zhuǎn)Protege系列，G=10000轉(zhuǎn)8MB）

S=SATA300MB/s接口（B=ATA接口，D=SATA150MB/s接口）

00=零售市場(chǎng)（非00則是面向OEM客戶）

S=單碟容量

G=代表同系列硬盤的版本

B0=代表硬盤Firmware版本（我們常見(jiàn)的就是A0和B0）第十九頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日三、內(nèi)存參數(shù)及規(guī)格型號(hào)1、速度。

內(nèi)存速度一般用于存取一次數(shù)據(jù)所需的時(shí)間（單位一般都ns）來(lái)作為性能指標(biāo)，時(shí)間越短，速度就越快。

2、容量。

單條內(nèi)存的容量通常為512M、1G、2G、4G等3、內(nèi)存電壓。

SDRAM使用3.3V電壓，而DDR使用2.5V電壓，DDR二代的電壓是1.8V，DDR3是1.5V4、數(shù)據(jù)寬度和帶寬。

內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是指內(nèi)存同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù)，以bit為單位，SDRAM32位，DDR1、DDR2、DDR3為64bit。內(nèi)存的帶寬是指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率(Mbps)。DDR1(200～400)、DDR2（400～800）、DDR3（800～2000）1Byte=8bit第二十頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日五、內(nèi)存的線數(shù)

內(nèi)存的線數(shù)是指內(nèi)存條與主板接觸時(shí)接觸點(diǎn)的個(gè)數(shù)，這些接觸點(diǎn)就是金手指，有168線、184線和240線等。

六、工作頻率（Mhz)

DDR1頻率分別有266333400DDR2頻率分別有4005336678001066DDR3頻率分別有106613331600

第二十一頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日七、內(nèi)存的工作方式

SDRAM（同步動(dòng)態(tài)RAM）使CPU和RAM能夠共享一個(gè)時(shí)鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個(gè)時(shí)鐘脈沖的上升沿便開(kāi)始傳遞數(shù)據(jù)

DDR（DOUBLEDATARAGE）RAM是SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品，他允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，這樣不需要提高時(shí)鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

DDR2（DoubleDataRate2）：它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)預(yù)讀取）。換句話說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。第二十二頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓,從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好，更為省電;DDR2的4bit預(yù)讀升級(jí)為8bit預(yù)讀.DDR3目前最高能夠達(dá)到2000Mhz的速度,盡管目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度,但是DDR3內(nèi)存模組仍會(huì)從1066Mhz起跳.DDR3在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì):1.8bit預(yù)取設(shè)計(jì),而DDR2為4bit預(yù)取,這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz.2.采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu),以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān).在DDR3系統(tǒng)中，一個(gè)內(nèi)存控制器將只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道，而且這個(gè)內(nèi)存通道只能一個(gè)插槽。因此內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（Point-to-Point）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)（Point-to-two-Point）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。

第二十三頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日3.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝,增加異步重置(Reset)與ZQ校準(zhǔn)功能.當(dāng)Reset命令有效時(shí)，DDR3內(nèi)存將停止所有的操作，并切換至最少量活動(dòng)的狀態(tài)，以節(jié)約電力。在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所以有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉。所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。ZQ也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè)240歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令之后，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用512個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用256時(shí)鐘周期、在其他情況下用64個(gè)時(shí)鐘周期）對(duì)導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。

第二十四頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。我們知道使用DDRSDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)需要大量的終結(jié)電阻。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上，不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號(hào)比和反射率，終結(jié)電阻小則數(shù)據(jù)線信號(hào)反射低但是信噪比也較低；終結(jié)電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號(hào)反射也會(huì)增加。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好的匹配內(nèi)存模組，還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。4.參考電壓分成兩個(gè)：對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào)VREF，在DDR3系統(tǒng)中將分為兩個(gè)信號(hào)。一個(gè)是為命令與地址信號(hào)服務(wù)的VREFCA，另一個(gè)是為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，它將有效的提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。）

第二十五頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

DDR4內(nèi)存的有效運(yùn)行頻率初步設(shè)定在2133-4266MHz之間，運(yùn)行電壓則會(huì)進(jìn)一步降低至1.2V、1.1V，甚至還可能會(huì)有1.05V的超低壓節(jié)能版，生產(chǎn)工藝預(yù)計(jì)首批采用36nm或者32nm。

5.根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新：為了保證所保存的數(shù)據(jù)不丟失，DRAM必須定時(shí)進(jìn)行刷新，DDR3也不例外。不過(guò)，為了最大的節(jié)省電力，DDR3采用了一種新型的自動(dòng)自刷新設(shè)計(jì)，因?yàn)樗⑿骂l率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。

第二十六頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日八、內(nèi)存的校驗(yàn)（1）奇偶校驗(yàn).內(nèi)存中最小的單位是比特,也稱為"位",位有只有兩種狀態(tài)分別以1和0來(lái)標(biāo)示,每8個(gè)連續(xù)的比特叫做一個(gè)字節(jié)(byte).不帶奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存每個(gè)字節(jié)只有8位,如果其某一位存儲(chǔ)了錯(cuò)誤的值,就會(huì)導(dǎo)致其存儲(chǔ)的相應(yīng)數(shù)據(jù)發(fā)生變化,進(jìn)而導(dǎo)致應(yīng)用程序發(fā)生錯(cuò)誤.而奇偶校驗(yàn)就是在每一字節(jié)(8位)之外又增加了一位作為錯(cuò)誤檢測(cè)位.在某字節(jié)中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)之后,在其8個(gè)位上存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是固定的,因?yàn)槲恢荒苡袃煞N狀態(tài)1或0,假設(shè)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)用位標(biāo)示為1、1、1、0、0、1、0、1,那么把每個(gè)位相加(1+1+1+0+0+1+0+1=5),結(jié)果是奇數(shù).對(duì)于偶校驗(yàn),校驗(yàn)位就定義為1,反之則為0;對(duì)于奇校驗(yàn),則相反.當(dāng)CPU讀取存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)時(shí),它會(huì)再次把前8位中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)相加,計(jì)算結(jié)果是否與校驗(yàn)位相一致.從而一定程度上能檢測(cè)出內(nèi)存錯(cuò)誤,奇偶校驗(yàn)只能檢測(cè)出錯(cuò)誤而無(wú)法對(duì)其進(jìn)行修正,同時(shí)雖然雙位同時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤的概率相當(dāng)?shù)?但奇偶校驗(yàn)卻無(wú)法檢測(cè)出雙位錯(cuò)誤.

第二十七頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

ECC(ErrorCheckingandCorrecting,錯(cuò)誤檢查和糾正)內(nèi)存,它同樣也是在數(shù)據(jù)位上額外的位存儲(chǔ)一個(gè)用數(shù)據(jù)加密的代碼.當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入內(nèi)存,相應(yīng)的ECC代碼與此同時(shí)也被保存下來(lái).當(dāng)重新讀回剛才存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)時(shí),保存下來(lái)的ECC代碼就會(huì)和讀數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生的ECC代碼做比較.如果兩個(gè)代碼不相同,他們則會(huì)被解碼,以確定數(shù)據(jù)中的那一位是不正確的.然后這一錯(cuò)誤位會(huì)被拋棄,內(nèi)存控制器則會(huì)釋放出正確的數(shù)據(jù).被糾正的數(shù)據(jù)很少會(huì)被放回內(nèi)存.假如相同的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)再次被讀出,則糾正過(guò)程再次被執(zhí)行.重寫數(shù)據(jù)會(huì)增加處理過(guò)程的開(kāi)銷,這樣則會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)性能的明顯降低.如果是隨機(jī)事件而非內(nèi)存的缺點(diǎn)產(chǎn)生的錯(cuò)誤,則這一內(nèi)存地址的錯(cuò)誤數(shù)據(jù)會(huì)被再次寫入的其他數(shù)據(jù)所取代.如果數(shù)據(jù)位是8位,則需要增加5位來(lái)進(jìn)行ECC錯(cuò)誤檢查和糾正,數(shù)據(jù)位每增加一倍,ECC只增加一位檢驗(yàn)位,也就是說(shuō)當(dāng)數(shù)據(jù)位為16位時(shí)ECC位為6位,32位時(shí)ECC位為7位,數(shù)據(jù)位為64位時(shí)ECC位為8位,依此類推,在內(nèi)存中ECC能夠容許錯(cuò)誤,并可以將錯(cuò)誤更正,使系統(tǒng)得以持續(xù)正常的操作,不致因錯(cuò)誤而中斷,且ECC具有自動(dòng)更正的能力,可以將Parity無(wú)法檢查出來(lái)的錯(cuò)誤位查出并將錯(cuò)誤修正.

第二十八頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日1、tRAS在內(nèi)存規(guī)范的解釋是ActivetoPrechargeDelay，行有效至行預(yù)充電時(shí)間。是指從收到一個(gè)請(qǐng)求后到初始化RAS（行地址選通脈沖）真正開(kāi)始接受數(shù)據(jù)的間隔時(shí)間。2.tRCD是指RAStoCASDelay（RAS至CAS延遲)，對(duì)應(yīng)于CAS,RAS是指RowAddressStrobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內(nèi)存尋址。RAS(數(shù)據(jù)請(qǐng)求后首先被激發(fā))和CAS(RAS完成后被激發(fā))并不是連續(xù)的，存在著延遲。

3.CAS

（Column

Address

Strobe，列地址選通信號(hào)），準(zhǔn)確的說(shuō)應(yīng)該是CL（CAS

Latency，縱列存取延遲時(shí)間），它用時(shí)鐘周期數(shù)表示。在某一固定外頻下，其數(shù)值越小越好，一般為2個(gè)時(shí)鐘周期。

九、內(nèi)存時(shí)間參數(shù)第二十九頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日4.tRP

指RASPrechargeTime，行預(yù)充電時(shí)間。也就是內(nèi)存從結(jié)束一個(gè)行訪問(wèn)結(jié)束到重新開(kāi)始的間隔時(shí)間。簡(jiǎn)單而言，在依次經(jīng)歷過(guò)tRAS,然后RAS,tRCD,和CAS之后，需要結(jié)束當(dāng)前的狀態(tài)然后重新開(kāi)始新的循環(huán)，再?gòu)膖RAS開(kāi)始。這也是內(nèi)存工作最基本的原理。如果你從事的任務(wù)需要大量的數(shù)據(jù)變化，例如視頻渲染，此時(shí)一個(gè)程序就需要使用很多的行來(lái)存儲(chǔ)，tRP的參數(shù)值越低表示在不同行切換的速度越快。以時(shí)鐘周期數(shù)表示，一般為2。

5.tAC數(shù)據(jù)存取時(shí)間。一般是6ns或6.5ns，其值越小越好tAC是AccessTimefromCLK的縮寫,是指最大CAS延遲時(shí)的最大數(shù)輸入時(shí)鐘,是以納秒為單位的,存取時(shí)間(tAC)代表著讀取、寫入的時(shí)間。

6.tCLK時(shí)鐘周期。tCLK決定內(nèi)存芯片的額定最高工作頻率。額定最高工作頻率=1000/tCLK，如：tCLK=10ns，則額定最高工作頻率=100MHz。

7.Burst

Cycle

Time突發(fā)周期時(shí)間（突發(fā)長(zhǎng)度決定了READ或者WRITE命令能夠訪問(wèn)的列地址的最大數(shù)目）第三十頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日顯示卡參數(shù)及規(guī)格型號(hào)（1）顯卡核心：ATI系列、nVIDIA比如ATI方面4650/4670/4830/4850

nVIDIA方面Geforce9600GSO/9800GTX+

（2）顯存類型：DDRII或者DDRIII

（3）顯存位寬與顯存容量128位、256位256M、512M、1G

（4）總線接口：AGP、PCI-EPCI-E有1X到16X速度

（5）輸出接口

VGA(模擬接口)DVI(數(shù)字接口)HDMI(高清接口)

HDMI是終結(jié)以往影音分離傳輸?shù)娜陆涌?其最大傳輸速度可達(dá)5Gb/s,除影像數(shù)據(jù)外,更可同時(shí)傳輸高達(dá)8聲道的音訊信號(hào);非壓縮式的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳輸,可有效降低數(shù)/類轉(zhuǎn)換所造成的信號(hào)干擾與衰減.HDMI是首個(gè)支持在單線纜上傳輸,不經(jīng)過(guò)壓縮的全數(shù)字高清晰度、多聲道音頻和智能格式與控制命令數(shù)據(jù)的數(shù)字接口.HDMI接口由SiliconImage美國(guó)晶像公司倡導(dǎo),聯(lián)合索尼、日立、松下、飛利浦、湯姆遜、東芝等八家著名的消費(fèi)類電子制造商聯(lián)合成立的工作組共同開(kāi)發(fā)的.

第三十一頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第三十二頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第三十三頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日（6）顯卡的分辨率:640X480、1024X768、1280X1024等

（7）散熱系統(tǒng)：散熱器、風(fēng)扇

第三十四頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日顯示器技術(shù)參數(shù)及規(guī)格信號(hào)1、顯示器分類：

CRT顯示器、液晶顯示器

CRT顯示器顯示組件是銀光粉和電子束掃描。

液晶顯示器的顯示組件是液晶材料和背光燈。通俗地說(shuō)液晶顯示器就是兩塊玻璃中間夾了一層（或多層）液晶材料，玻璃后面有幾根燈管持續(xù)發(fā)光，液晶材料在信號(hào)控制下改變自己的透光狀態(tài)，于是你就能在玻璃面板前看到圖像了。

2、可視面積和比例：顯示器的對(duì)角線距離（英寸）如：19英寸、23英寸等

比例是寬高比，如：16:9,16:10,4:3等3、色彩：現(xiàn)實(shí)中的顏色是有無(wú)限種的,而液晶由于自身的限制,是不能表現(xiàn)出無(wú)數(shù)種顏色的.我們常用的就是16.2M和16.7M,顏色越多,在一些比較復(fù)雜的畫面,尤其是顏色逐漸過(guò)度逐漸變化的畫面中,顯示器的表現(xiàn)就越好.16.7M.就是1670萬(wàn)種顏色第三十五頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日4、點(diǎn)距和分辨率：點(diǎn)距是指組成液晶顯示屏的每個(gè)像素點(diǎn)之間的間隔大?。ê撩祝?，分辨率為：指屏幕多少個(gè)像素點(diǎn)如1024×768、1440×900等。

最佳分辨率（物理分辨率），也叫最大分辨率，在該分辨率下，才能顯現(xiàn)最佳圖像。液晶顯示器也可在較低分辨率的顯示，有兩種方式進(jìn)行顯示。第一種為居中顯示：例如在1024×768的屏幕上顯示800×600的畫面時(shí)，只有屏幕居中的800×600個(gè)像素被呈現(xiàn)出來(lái)，其它被呈現(xiàn)出來(lái)的像素則維持黑暗。目前該方法較少采用。另一種稱為擴(kuò)展顯示：在顯示低于最佳分辨率的畫面時(shí)，各像素點(diǎn)通過(guò)差動(dòng)算法擴(kuò)充到相鄰像素點(diǎn)顯示，從而使整個(gè)畫面被充滿。這樣也使畫面失去原來(lái)的清晰度和真實(shí)的色彩。。

第三十六頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日5、亮度：顯示器亮度是指物體明暗的程度（單位面積的發(fā)光強(qiáng)度），它的單位是nits(尼特)或稱堪德拉每平米(cd/m2)，1nits=1坎特拉/平方米，亮度越高，顯示器對(duì)周圍環(huán)境的抗干擾能力就越強(qiáng)，顯示效果顯得更明亮。此參數(shù)至少要達(dá)到200cd／m2，最好在250cd／m2以上。6、對(duì)比度（動(dòng)態(tài)對(duì)比度）：

對(duì)比度是指在規(guī)定的照明條件和觀察條件下，顯示器亮區(qū)與暗區(qū)的亮度之比。對(duì)比度是直接體現(xiàn)該液晶顯示器能否體現(xiàn)豐富色階的參數(shù)，對(duì)比度越高，還原的畫面層次感就越好。如1000∶1。對(duì)比度必須與亮度配合才能產(chǎn)生最好的顯示效果。

動(dòng)態(tài)對(duì)比度：在背光可控下達(dá)到的最大對(duì)比度

如5000000:1動(dòng)態(tài)對(duì)比度對(duì)于那些需要頻繁在明亮場(chǎng)景和昏暗場(chǎng)景切換的應(yīng)用才有較為明顯的實(shí)際意義，如：影視，而文本處理、上網(wǎng)、辦公、編程全部基本沒(méi)有明暗變化較大的情況出現(xiàn)第三十七頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日7、可視角度：液晶顯示器屬于背光型顯示器件，其發(fā)出的光由液晶模塊背后的背光燈提供，這必然導(dǎo)致液晶顯示器只有一個(gè)最佳的欣賞角度———正視。當(dāng)你從其他角度觀看時(shí)，由于背光可以穿透旁邊的像素而進(jìn)入人眼，就會(huì)造成顏色的失真，不失真的范圍就是液晶顯示器的可視角度。液晶顯示器的視角還分為水平視角和垂直視角，水平視角一般大于垂直視角。目前來(lái)看，只要在水平視角上達(dá)到120度就可以滿足大多數(shù)用戶的應(yīng)用需求了。8、響應(yīng)時(shí)間：響應(yīng)時(shí)間指的是LCD顯示器對(duì)于輸入信號(hào)的反應(yīng)速度，也就是液晶由暗轉(zhuǎn)亮或者是由亮轉(zhuǎn)暗的反應(yīng)時(shí)間。一般來(lái)說(shuō)分為兩個(gè)部分：Tr（上升時(shí)間）、Tf（下降時(shí)間），而我們所說(shuō)的響應(yīng)時(shí)間指的就是兩者之和，響應(yīng)時(shí)間越小越好，如果超過(guò)40毫秒，就會(huì)出現(xiàn)運(yùn)動(dòng)圖像的遲滯現(xiàn)象。9、接口：VGA、DVI、HDMI第三十八頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日10、液晶面板類型：

VA型：VA型液晶面板在目前的顯示器產(chǎn)品中應(yīng)用較為廣泛的，使用在高端產(chǎn)品中，16.7M色彩和大可視角度是它最為明顯的技術(shù)特點(diǎn)，目前VA型面板分為兩種：MVA、PVA。MVA型：全稱為（Multi-domainVerticalAlignment），是一種多象限垂直配向技術(shù)。它是利用突出物使液晶靜止時(shí)并非傳統(tǒng)的直立式，而是偏向某一個(gè)角度靜止；當(dāng)施加電壓讓液晶分子改變成水平以讓背光通過(guò)則更為快速，這樣便可以大幅度縮短顯示時(shí)間，也因?yàn)橥怀鑫锔淖円壕Х肿优湎?，讓視野角度更為寬廣。在視角的增加上可達(dá)160度以上，反應(yīng)時(shí)間縮短至20ms以內(nèi)。PVA型：是三星推出的一種面板類型，是一種圖像垂直調(diào)整技術(shù)，該技術(shù)直接改變液晶單元結(jié)構(gòu)，讓顯示效能大幅提升，可以獲得優(yōu)于MVA的亮度輸出和對(duì)比度。此外在這兩種類型基礎(chǔ)上又延出改進(jìn)型S-PVA和P-MVA兩種面板類型，在技術(shù)發(fā)展上更趨向上，可視角度可達(dá)170度，響應(yīng)時(shí)間被控制在20毫秒以內(nèi)，而對(duì)比度可輕易超過(guò)700:1的高水準(zhǔn)，第三十九頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

IPS型：IPS型液晶面板具有可視角度大、顏色細(xì)膩等優(yōu)點(diǎn)，看上去比較通透，這也是鑒別IPS型液晶面板的一個(gè)方法，PHILIPS不少液晶顯示器使用的都是IPS型的面板。而S-IPS則為第二代IPS技術(shù)，它又引入了一些新的技術(shù)，以改善IPS模式在某些特定角度的灰階逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象。LG和飛利浦自主的面板制造商也是以IPS為技術(shù)特點(diǎn)推出的液晶面板。

TN型：這種類型的液晶面板應(yīng)用于入門級(jí)和中端的產(chǎn)品中，價(jià)格實(shí)惠、低廉，被眾多廠商選用。在技術(shù)上，與前兩種類型的液晶面板相比在技術(shù)性能上略為遜色，它不能表現(xiàn)出16.7M艷麗色彩，只能達(dá)到16.7M色彩（6bit面板）但響應(yīng)時(shí)間容易提高?？梢暯嵌纫彩艿搅艘欢ǖ南拗?，現(xiàn)在市場(chǎng)上一般在8ms響應(yīng)時(shí)間以內(nèi)的產(chǎn)品大多都采用的是TN液晶面板。

液晶面板連系著液晶顯示器自身的質(zhì)量、價(jià)格和市場(chǎng)走向。其中液晶面板關(guān)系著玩家最看重的響應(yīng)時(shí)間、色彩、可視角度、對(duì)比度等參數(shù)第四十頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日（1）CCFLColdCathodeFluorescentLamp簡(jiǎn)稱CCFL,中文譯名為冷陰極螢光燈管

（2）LED是發(fā)光二極管(LightEmittingDiode,LED)的簡(jiǎn)稱11、背光一般來(lái)說(shuō)有CCFL和LED兩種！第四十一頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日三星BX2350的技術(shù)參數(shù)

尺寸：23英寸

面板類型：TN

背光類型：LED背光

色彩：16.7M點(diǎn)距：0.266mm分辨率：1920×1080

屏幕比例：16:9

亮度：250nits對(duì)比度：1000:1(5000000:1動(dòng)態(tài))

可視角度(水平/垂直)：176/170...

灰階響應(yīng)時(shí)間：2ms

接口類型：VGA,HDMI×2支持HDCP

HDCP是High-bandwidthDigitalContentProtection的縮寫，中文可稱作“HDCP數(shù)字內(nèi)容保護(hù)”。不支持HDCP協(xié)議的顯示器無(wú)法正常播放有版權(quán)的高清節(jié)目。

第四十二頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日主板技術(shù)參數(shù)及規(guī)格信號(hào)PCB板是一塊多層印刷電路板，通過(guò)它主板才能把CPU、內(nèi)存以及各種總線擴(kuò)展槽鏈接起來(lái)。PCB板一般為4層、6層或8層，板的層數(shù)越多，主板的根基就越扎實(shí)，能夠保證電子元器件不相干擾，這樣主板性能也就越穩(wěn)定。1.PCB基板2.CPU插座

3.電源插座4.主板芯片組

主板芯片組主要由北橋芯片和南橋芯片組成。位于CPU和內(nèi)存插槽附近的是北橋芯片，通常會(huì)有散熱片，它是CPU與外部設(shè)備之間的聯(lián)系紐帶，主要負(fù)責(zé)控制主板的CPU、內(nèi)存、AGP等高速設(shè)備。第四十三頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

南橋(SouthBridge)與北橋共同組成了芯片組，主要連接ISA設(shè)備和I/O設(shè)備。南橋芯片負(fù)責(zé)管理中斷及DMA通道，其作用是讓所有的資料都能有效傳遞。

5.插槽

AGP、PCI-E、PCI、ISA、內(nèi)存插槽

第四十四頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第四十五頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第四十六頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第四十七頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第四十八頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日第四十九頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日微機(jī)維修方法觀察法、最小系統(tǒng)法、逐步添加去除法、隔離法、替換法、比較法、升降溫法、敲打法、清潔法，這些可以機(jī)動(dòng)搭配使用，以求快而準(zhǔn)地找出電腦故障點(diǎn)。

一、觀察法

觀察，是維修斷定進(jìn)程中第一要法。視察不僅要當(dāng)真，而且要全面。要察看的內(nèi)容包含：

四周的環(huán)境；硬件環(huán)境。包括接插頭、座和槽等；軟件環(huán)境；用戶操作的習(xí)慣、過(guò)程

第五十頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

二、最小系統(tǒng)法

最小系統(tǒng)是指，從維修判斷的角度能使電腦開(kāi)機(jī)或運(yùn)行的最基本的硬件和軟件環(huán)境。最小系統(tǒng)有兩種情勢(shì)：

硬件最小系統(tǒng)：由電源、主板和CPU組成。在這個(gè)系統(tǒng)中，不任何信號(hào)線的連接，只有電源到主板的電源連接。在判斷過(guò)程中是通過(guò)聲音和診斷卡上的代碼來(lái)判斷這一中心組成部分是否可正常工作；

軟件最小系統(tǒng)：由電源、主板、CPU、內(nèi)存、顯示卡/顯示器、鍵盤和硬盤組成。這個(gè)最小系統(tǒng)主要用來(lái)判斷系統(tǒng)是否可實(shí)現(xiàn)畸形的啟動(dòng)與運(yùn)行。

最小系統(tǒng)法，主要是要先判斷在最基本的軟、硬件環(huán)境中，系統(tǒng)是否可正常工作。如果不能正常工作，即可斷定最基本的軟、硬件部件有故障，從而起到故障隔離的作用。最小系統(tǒng)法與逐步添加法聯(lián)合，能較疾速地定位故障點(diǎn)

第五十一頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

三、逐步添加/去除法

逐步增添法，以最小系統(tǒng)為基礎(chǔ)，每次只向系統(tǒng)添加一個(gè)部件/設(shè)備或軟件，來(lái)檢查故障現(xiàn)象是否消失或產(chǎn)生變更，以此來(lái)判斷并定位故障部位。

逐步去除法，正好與逐步增加法的操作相反。

逐步添加/去除法正常要與替換法配合，可較為正確地定位故障部位。

四、隔離法

是將可能妨害故障判斷的硬件或軟件屏蔽起來(lái)的一種判斷方法。它也可用來(lái)將懷疑互相抵觸的硬件、軟件隔分開(kāi)以判斷故障是否發(fā)生變化的一種方法。上提到的軟硬件屏蔽，對(duì)于軟件來(lái)說(shuō)，等于結(jié)束其運(yùn)行，或者是卸載；對(duì)于硬件來(lái)說(shuō)，是在設(shè)備管理器中，禁用、卸載其驅(qū)動(dòng)，或?qū)⒂布南到y(tǒng)中去除。第五十二頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

五、調(diào)換法

替換法是用好的部件去取代可能有故障的部件，以判斷故障現(xiàn)象是否消逝的一種維修方法。好的部件可以是同型號(hào)的，也可能是不同型號(hào)的。替換的順序一般為：故障率高底來(lái)考慮最先替換的部件。故障率高的部件先替換最先考核與懷疑有故障的部件相連接的連接線、信號(hào)線等，之后是替換懷疑有故障的部件，再后是替換供電部件，最后是與之相關(guān)的其它部件。

六、比較法

比較法與替代法相似，即用好的部件與猜忌有故障的部件進(jìn)行外觀、配置、運(yùn)行景象等方面的比較，也可在兩臺(tái)電腦間進(jìn)行比較，以判定故障電腦在環(huán)境設(shè)置，硬件配置方面的不同，從而找出故障部位。

第五十三頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日

七、升降溫法

1）一般抉擇環(huán)境溫度較低的時(shí)段，如一清早或較晚的時(shí)光；2）使電腦停機(jī)12~24小時(shí)以上等方法實(shí)現(xiàn)；3）用電風(fēng)扇對(duì)著故障機(jī)吹，以加快降溫速度。4）電烙鐵、熱風(fēng)槍吹，以加快升溫速度。

八、敲打法

敲打法普通用在疑惑電腦中的某部件有接觸不良的故障時(shí)，通過(guò)振動(dòng)、恰當(dāng)?shù)呐で?，用橡膠錘敲打部件或設(shè)備的特定部件來(lái)使故障復(fù)現(xiàn)，從而判斷故障部件的一種維修方法。

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九、對(duì)電腦產(chǎn)品進(jìn)行清潔的建議

有些電腦故障，往往是因?yàn)闄C(jī)器內(nèi)灰塵較多引起的，這就要求我們?cè)诰S修過(guò)程中，注意觀察故障機(jī)內(nèi)、外部是否有較多的灰塵，如果是，應(yīng)當(dāng)先進(jìn)行除塵，再進(jìn)行后續(xù)的判斷維修。在進(jìn)行除塵操作中，以下幾個(gè)方面要特別注意：

1、注意風(fēng)扇的清潔

3、注意接插頭、座、槽、板卡金手指部分的清潔

金手指的清潔，可以用橡皮擦拭金手指部分，或用酒精棉擦拭也可以。插頭、座、槽的金屬引腳上的氧化現(xiàn)象的去除：一是用酒精擦拭，一是用金屬片（如小一字改錐）在金屬引腳上微微刮擦。

第五十五頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日4、注意大范圍集成電路、元器件等引腳處的清潔

清潔時(shí)，應(yīng)用小毛刷或吸塵器等除掉灰塵，同時(shí)要觀察引腳有無(wú)虛焊和潮濕的現(xiàn)象，元器件是否有變形、變色或漏液現(xiàn)象。

5、注意使用的清潔工具

清潔用的工具，首先是防靜電的。如清潔用的小毛刷，應(yīng)使用自然毛料制成的毛刷，禁用塑料毛刷。其次是如使用金屬工具進(jìn)行清潔時(shí)，必需堵截電源，且對(duì)金屬工具進(jìn)行泄放靜電的處置。

用于清潔的工具包括：小毛刷、皮老虎、吸塵器、抹布、酒精（不可用來(lái)擦拭機(jī)箱、顯示器等的塑料外殼）。

6、對(duì)于比較濕潤(rùn)的情況，使其干燥后

第五十六頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日主板常見(jiàn)故障

一、主板故障產(chǎn)生的原因

主板故障產(chǎn)生的原因有多種，主要可以分為人為因素、環(huán)境因素、元器件質(zhì)量等。

1.人為因素

人為造成的故障比外界因素造成的故障多，主要是操作不當(dāng)。如帶電插拔電纜、數(shù)據(jù)線、控制卡、網(wǎng)卡、顯示卡、內(nèi)存條等，這容易造成元器件的短路，嚴(yán)重時(shí)，有可能燒毀主板;開(kāi)關(guān)設(shè)置不對(duì)或跳線接錯(cuò)，也可能會(huì)造成主板的損壞。

2.環(huán)境因素

瞬間電壓的變化會(huì)由于感應(yīng)電壓峰值太大而對(duì)主板造成損壞;人體帶電可以高達(dá)千伏，如果用手觸摸CMOS、BIOS器件，會(huì)把它們擊穿;灰塵、溫度、濕度及外界的影響、干擾也會(huì)損壞主板的功能。有條件的用戶應(yīng)配備穩(wěn)壓電源和不間斷電源UPS。工作電源的地線要真正接地，接地電阻應(yīng)盡可能小。應(yīng)該保持正常的溫度和濕度，定期打開(kāi)機(jī)箱用毛刷和吸塵器除去主板上的灰塵

。

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3.元器件質(zhì)量

主板上有很多芯片、電容、電阻、功率管、穩(wěn)壓管等元器件。這些元器件可能會(huì)因?yàn)榉N種原因損壞，比如CPU插座附近的電容如果有質(zhì)量問(wèn)題，很可能在使用一段時(shí)間后出現(xiàn)“爆漿”的嚴(yán)重故障。若電源質(zhì)量不好，主板I/O插槽中的控制卡超載運(yùn)行、適配卡出現(xiàn)故障時(shí)沒(méi)有及時(shí)排除或者其他配件短路往往會(huì)讓主板上的芯片、電阻、功率管、穩(wěn)壓管燒毀。第五十八頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日二、開(kāi)機(jī)鳴叫故障主板BIOS有一項(xiàng)重要功能就是POST上電自檢程序，微機(jī)接通電源后，系統(tǒng)首先由該程序來(lái)對(duì)主板本身及內(nèi)存等主要配件進(jìn)行檢查，一旦在自檢中發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，系統(tǒng)將給出提示信息或鳴笛警告。1短：系統(tǒng)正常啟動(dòng)

2短：常規(guī)錯(cuò)誤

1長(zhǎng)1短：RAM或主板出錯(cuò)。

1長(zhǎng)2短：顯示器或顯示卡錯(cuò)誤

1長(zhǎng)3短：鍵盤控制器錯(cuò)誤。

1長(zhǎng)9短：主板FlashRAM或EPROM錯(cuò)誤，BIOS損壞。

重復(fù)長(zhǎng)響：內(nèi)存條未插緊或損壞重復(fù)短響：電源有問(wèn)題。

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三、CMOS易掉電、時(shí)鐘不準(zhǔn)在開(kāi)機(jī)自檢時(shí)總出現(xiàn)“CMOSchecksumerror-----Defaultsloades”的提示，此時(shí)必須按F1，LoadBIOSdefault才能正常開(kāi)機(jī)。這種情況很可能就是主板上給CMOS供電的紐扣電池沒(méi)電了，換一顆電池。有些朋友的電腦時(shí)鐘總是不太準(zhǔn)確，一天快慢的誤差會(huì)達(dá)到10分鐘以上，而且CMOS電池電量會(huì)很快耗盡，可能的原因是主板CMOS電池插座、CMOS供電電路濾波電容、CMOS芯片有短路或漏電現(xiàn)象。

四、電源類故障

1、開(kāi)機(jī)后，過(guò)幾秒鐘就自動(dòng)關(guān)機(jī)。

電源開(kāi)關(guān)或RESET鍵按下后彈不起來(lái)。

2、不定期的出現(xiàn)重啟現(xiàn)象

電源供電插座有虛接，松動(dòng)

3、不能開(kāi)機(jī)電源開(kāi)關(guān)、電源開(kāi)關(guān)線、主板電源模塊壞第六十頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日五、主板上的保險(xiǎn)電阻熔斷

出現(xiàn)找不到鍵盤鼠標(biāo)、USB移動(dòng)設(shè)備不能使用等現(xiàn)象

六、主板上的電容損壞

當(dāng)電容因電壓過(guò)高或長(zhǎng)時(shí)受高溫熏烤，會(huì)冒泡或淌液，這時(shí)電容的容量減小或失容，電容便會(huì)失去濾波的功能，使提供負(fù)載電流中的交流成份加大，造成CPU、內(nèi)存、相關(guān)板卡工作不穩(wěn)定，表現(xiàn)為容易死機(jī)或系統(tǒng)不穩(wěn)定，經(jīng)常出現(xiàn)藍(lán)屏。

七、主板自動(dòng)保護(hù)鎖定

有的主板具有自動(dòng)偵測(cè)保護(hù)功能，當(dāng)電源電壓有異常、或者CPU超頻、調(diào)整電壓過(guò)高等情況出現(xiàn)時(shí)，會(huì)自動(dòng)鎖定停止工作。表現(xiàn)就是主板不啟動(dòng)，這時(shí)可把CMOS放電后再加電啟動(dòng)，有的主板需要在打開(kāi)主板電源時(shí)，按住RESET鍵即可解除鎖定。

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八、主板溫控、及溫控失常

由于現(xiàn)在CPU發(fā)熱量非常大，主板都提供了嚴(yán)格的溫度監(jiān)控和保護(hù)裝置。一般CPU溫度過(guò)高，或主板上的溫度監(jiān)控系統(tǒng)出現(xiàn)故障（如溫控線脫落），主板就會(huì)自動(dòng)進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)。拒絕加電啟動(dòng)，或報(bào)警提示。

（機(jī)器突然藍(lán)屏死機(jī)，馬上不能重啟或開(kāi)機(jī)，雖過(guò)一段時(shí)間能開(kāi)機(jī)，但故障會(huì)再次出現(xiàn)。）

九、南橋芯片壞1、主板大電流，無(wú)法開(kāi)機(jī)2、南橋芯片表面變色或有燒焦痕跡3、硬盤、光驅(qū)、USB設(shè)備、控制卡等控制異常或無(wú)法識(shí)別第六十二頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日十、北橋芯片壞1、主板大電流，無(wú)法開(kāi)機(jī)2、北橋芯片表面變色或有燒焦痕跡3、顯示設(shè)備、內(nèi)存控制異?；驘o(wú)法識(shí)別4、無(wú)法啟動(dòng)，無(wú)法安裝、隨機(jī)性死機(jī)或藍(lán)屏

十一、BIOS芯片壞1、無(wú)法開(kāi)機(jī)2、自檢異常、無(wú)法識(shí)別硬盤、光驅(qū)、USB設(shè)備等，無(wú)法引導(dǎo)操作系統(tǒng)第六十三頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日電腦主板故障診斷卡代碼

01處理器測(cè)試1，處理器狀態(tài)核實(shí),如果測(cè)試失敗，循環(huán)是無(wú)限的。處理器寄存器的測(cè)試即將開(kāi)始，不可屏蔽中斷即將停用。CPU寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或者失敗。02如果鍵盤緩沖器含有數(shù)據(jù)就會(huì)失效。停用不可屏蔽中斷；通過(guò)延遲開(kāi)始。CMOS寫入／讀出正在進(jìn)行或者失靈。03清除8042鍵盤控制器，發(fā)出TESTKBRD命令（AAH）通電延遲已完成。ROMBIOS檢查部件正在進(jìn)行或失靈。04使8042鍵盤控制器復(fù)位，核實(shí)TESTKBRD。鍵盤控制器軟復(fù)位／通電測(cè)試?？删幊涕g隔計(jì)時(shí)器的測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。05如果不斷重復(fù)測(cè)試1至5，可獲得8042控制狀態(tài)。已確定軟復(fù)位／通電；即將啟動(dòng)ROM。DMA初如準(zhǔn)備正在進(jìn)行或者失靈。第六十四頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日06使電路片作初始準(zhǔn)備，停用視頻、奇偶性、DMA電路片，以及清除DMA電路片，所有頁(yè)面寄存器和CMOS停機(jī)字節(jié)。已啟動(dòng)ROM計(jì)算ROMBIOS檢查總和，以及檢查鍵盤緩沖器是否清除。DMA初始頁(yè)面寄存器讀／寫測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。07處理器測(cè)試2，核實(shí)CPU寄存器的工作。ROMBIOS檢查總和正常，鍵盤緩沖器已清除，向鍵盤發(fā)出BAT（基本保證測(cè)試）命令。.08使CMOS計(jì)時(shí)器作初始準(zhǔn)備，正常的更新計(jì)時(shí)器的循環(huán)。已向鍵盤發(fā)出BAT命令，即將寫入BAT命令。RAM更新檢驗(yàn)正在進(jìn)行或Я欏?09EPROM檢查總和且必須等于零才通過(guò)。核實(shí)鍵盤的基本保證測(cè)試，接著核實(shí)鍵盤命令字節(jié)。第一個(gè)64KRAM測(cè)試正在進(jìn)行。0A使視頻接口作初始準(zhǔn)備。發(fā)出鍵盤命令字節(jié)代碼，即將寫入命令字節(jié)數(shù)據(jù)。第一個(gè)64KRAM芯片或數(shù)據(jù)線失靈，移位。第六十五頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日0B測(cè)試8254通道0。寫入鍵盤控制器命令字節(jié)，即將發(fā)出引腳23和24的封鎖／解鎖命令。第一個(gè)64KRAM奇／偶邏輯失靈。0C測(cè)試8254通道1。鍵盤控制器引腳23、24已封鎖／解鎖；已發(fā)出NOP命令。第一個(gè)64KRAN的地址線故障。0D1、檢查CPU速度是否與系統(tǒng)時(shí)鐘相匹配。2、檢查控制芯片已編程值是否符合初設(shè)置。3、視頻通道測(cè)試，如果失敗，則鳴喇叭。已處理NOP命令；接著測(cè)試CMOS停開(kāi)寄存器。第一個(gè)64KRAM的奇偶性失靈0E測(cè)試CMOS停機(jī)字節(jié)。CMOS停開(kāi)寄存器讀／寫測(cè)試；將計(jì)算CMOS檢查總和。初始化輸入／輸出端口地址。0F測(cè)試擴(kuò)展的CMOS。已計(jì)算CMOS檢查總和寫入診斷字節(jié)；CMOS開(kāi)始初始準(zhǔn)備。.10測(cè)試DMA通道0。CMOS已作初始準(zhǔn)備，CMOS狀態(tài)寄存器即將為日期和時(shí)間作初始準(zhǔn)備。第一個(gè)64KRAM第0位故障。第六十六頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日11測(cè)試DMA通道1。CMOS狀態(tài)寄存器已作初始準(zhǔn)備，即將停用DMA和中斷控制器。第一個(gè)64DKRAM第1位故障。12測(cè)試DMA頁(yè)面寄存器。停用DMA控制器1以及中斷控制器1和2；即將視頻顯示器并使端口B作初始準(zhǔn)備。第一個(gè)64DKRAM第2位故障。13測(cè)試8741鍵盤控制器接口。視頻顯示器已停用，端口B已作初始準(zhǔn)備；即將開(kāi)始電路片初始化／存儲(chǔ)器自動(dòng)檢測(cè)。第一個(gè)64DKRAM第3位故障。14測(cè)試存儲(chǔ)器更新觸發(fā)電路。電路片初始化／存儲(chǔ)器處自動(dòng)檢測(cè)結(jié)束；8254計(jì)時(shí)器測(cè)試即將開(kāi)始。第一個(gè)64DKRAM第4位故障。15測(cè)試開(kāi)頭64K的系統(tǒng)存儲(chǔ)器。第2通道計(jì)時(shí)器測(cè)試了一半；8254第2通道計(jì)時(shí)器即將完成測(cè)試。第一個(gè)64DKRAM第5位故障。16建立8259所用的中斷矢量表。第2通道計(jì)時(shí)器測(cè)試結(jié)束；8254第1通道計(jì)時(shí)器即將完成測(cè)試。第一個(gè)64DKRAM第6位故障。第六十七頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日17調(diào)準(zhǔn)視頻輸入／輸出工作，若裝有視頻BIOS則啟用。第1通道計(jì)時(shí)器測(cè)試結(jié)束；8254第0通道計(jì)時(shí)器即將完成測(cè)試。第一個(gè)64DKRAM第7位故障。18測(cè)試視頻存儲(chǔ)器，如果安裝選用的視頻BIOS通過(guò)，由可繞過(guò)。第0通道計(jì)時(shí)器測(cè)試結(jié)束；即將開(kāi)始更新存儲(chǔ)器。第一個(gè)64DKRAM第8位故障。19測(cè)試第1通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。已開(kāi)始更新存儲(chǔ)器，接著將完成存儲(chǔ)器的更新。第一個(gè)64DKRAM第9位故障。1A測(cè)試第2通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。正在觸發(fā)存儲(chǔ)器更新線路，即將檢查15微秒通／斷時(shí)間。第一個(gè)64DKRAM第10位故障。1B測(cè)試CMOS電池電平。完成存儲(chǔ)器更新時(shí)間30微秒測(cè)試；即將開(kāi)始基本的64K存儲(chǔ)器測(cè)試。第一個(gè)64DKRAM第11位故障。1C測(cè)試CMOS檢查總和。第一個(gè)64DKRAM第12位故障。1D調(diào)定CMOS配置。.第一個(gè)64DKRAM第13位故障。第六十八頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日1E測(cè)定系統(tǒng)存儲(chǔ)器的大小，并且把它和CMOS值比較。.第一個(gè)64DKRAM第14位故障。1F測(cè)試64K存儲(chǔ)器至最高640K。.第一個(gè)64DKRAM第15位故障。20測(cè)量固定的8259中斷位。開(kāi)始基本的64K存儲(chǔ)器測(cè)試；即將測(cè)試地址線。從屬DMA寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。21維持不可屏蔽中斷（NMI）位（奇偶性或輸入／輸出通道的檢查）。通過(guò)地址線測(cè)試；即將觸發(fā)奇偶性。主DMA寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。22測(cè)試8259的中斷功能。結(jié)束觸發(fā)奇偶性；將開(kāi)始串行數(shù)據(jù)讀／寫測(cè)試。主中斷屏蔽寄存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。23測(cè)試保護(hù)方式8086虛擬方式和8086頁(yè)面方式?；镜?4K串行數(shù)據(jù)讀／寫測(cè)試正常；即將開(kāi)始中斷矢量初始化之前的任何調(diào)節(jié)。從屬中斷屏蔽存器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。24測(cè)定1MB以上的擴(kuò)展存儲(chǔ)器。矢量初始化之前的任何調(diào)節(jié)完成，即將開(kāi)始中斷矢量的初始準(zhǔn)備。設(shè)置ES段地址寄存器注冊(cè)表到內(nèi)存高端。第六十九頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日25測(cè)試除頭一個(gè)64K之后的所有存儲(chǔ)器。完成中斷矢量初始準(zhǔn)備；將為旋轉(zhuǎn)式斷續(xù)開(kāi)始讀出8042的輸入／輸出端口。裝入中斷矢量正在進(jìn)行或失靈。26測(cè)試保護(hù)方式的例外情況。讀出8042的輸入／輸出端口；即將為旋轉(zhuǎn)式斷續(xù)開(kāi)始使全局?jǐn)?shù)據(jù)作初始準(zhǔn)備。開(kāi)啟A20地址線；使之參入尋址。27確定超高速緩沖存儲(chǔ)器的控制或屏蔽RAM。全1數(shù)據(jù)初始準(zhǔn)備結(jié)束；接著將進(jìn)行中斷矢量之后的任何初始準(zhǔn)備。鍵盤控制器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。28確定超高速緩沖存儲(chǔ)器的控制或者特別的8042鍵盤控制器。完成中斷矢量之后的初始準(zhǔn)備；即將調(diào)定單色方式。CMOS電源故障／檢查總和計(jì)算正在進(jìn)行。29.已調(diào)定單色方式，即將調(diào)定彩色方式。CMOS配置有效性的檢查正在進(jìn)行。2A使鍵盤控制器作初始準(zhǔn)備。已調(diào)定彩色方式，即將進(jìn)行ROM測(cè)試前的觸發(fā)奇偶性。置空64K基本內(nèi)存。第七十頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日2B使磁碟驅(qū)動(dòng)器和控制器作初始準(zhǔn)備。觸發(fā)奇偶性結(jié)束；即將控制任選的視頻ROM檢查前所需的任何調(diào)節(jié)。屏幕存儲(chǔ)器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。2C檢查串行端口，并使之作初始準(zhǔn)備。完成視頻ROM控制之前的處理；即將查看任選的視頻ROM并加以控制。屏幕初始準(zhǔn)備正在進(jìn)行或失靈。2D檢測(cè)并行端口，并使之作初始準(zhǔn)備。已完成任選的視頻ROM控制，即將進(jìn)行視頻ROM回復(fù)控制之后任何其他處理的控制。屏幕回掃測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。2E使硬磁盤驅(qū)動(dòng)器和控制器作初始準(zhǔn)備。從視頻ROM控制之后的處理復(fù)原；如果沒(méi)有發(fā)現(xiàn)EGA／VGA就要進(jìn)行顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試。檢測(cè)視頻ROM正在進(jìn)行。2F檢測(cè)數(shù)學(xué)協(xié)處理器，并使之作初始準(zhǔn)備。沒(méi)發(fā)現(xiàn)EGA／VGA；即將開(kāi)始顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試。.第七十一頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日30建立基本內(nèi)存和擴(kuò)展內(nèi)存。通過(guò)顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試；即將進(jìn)行掃描檢查。認(rèn)為屏幕是可以工作的。31檢測(cè)從C800：0至EFFF：0的選用ROM，并使之作初始準(zhǔn)備。顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試或掃描檢查失敗，即將進(jìn)行另一種顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試。單色監(jiān)視器是可以工作的。32對(duì)主板上COM／LTP／FDD／聲音設(shè)備等I／O芯片編程使之適合設(shè)置值。通過(guò)另一種顯示器存儲(chǔ)器讀／寫測(cè)試；卻將進(jìn)行另一種顯示器掃描檢查。彩色監(jiān)視器（40列）是可以工作的。33.視頻顯示器檢查結(jié)束；將開(kāi)始利用調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)和實(shí)際插卡檢驗(yàn)顯示器的關(guān)型。彩色監(jiān)視器（80列）是可以工作的。34.已檢驗(yàn)顯示器適配器；接著將調(diào)定顯示方式。計(jì)時(shí)器滴答聲中斷測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。35.完成調(diào)定顯示方式；即將檢查BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)。停機(jī)測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。36.已檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)；即將調(diào)定通電信息的游標(biāo)。門電路中A－20失靈。第七十二頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日37.識(shí)別通電信息的游標(biāo)調(diào)定已完成；即將顯示通電信息。保護(hù)方式中的意外中斷。38.完成顯示通電信息；即將讀出新的游標(biāo)位置。RAM測(cè)試正在進(jìn)行或者地址故障＞FFFFH。39.已讀出保存游標(biāo)位置，即將顯示引用信息串。.3A.引用信息串顯示結(jié)束；即將顯示發(fā)現(xiàn)ESC信息。間隔計(jì)時(shí)器通道2測(cè)試或失靈。3B用OPTI電路片（只是486）使輔助超高速緩沖存儲(chǔ)器作初始準(zhǔn)備。已顯示發(fā)現(xiàn)＜ESC＞信息；虛擬方式，存儲(chǔ)器測(cè)試即將開(kāi)始。按日計(jì)算的日歷時(shí)鐘測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。3C建立允許進(jìn)入CMOS設(shè)置的標(biāo)志。.串行端口測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。3D初始化鍵盤／PS2鼠標(biāo)／PNP設(shè)備及總內(nèi)存節(jié)點(diǎn)。.并行端口測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。第七十三頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日3E嘗試打開(kāi)L2高速緩存。.數(shù)學(xué)協(xié)處理器測(cè)試正在進(jìn)行或失靈。40.已開(kāi)始準(zhǔn)備虛擬方式的測(cè)試；即將從視頻存儲(chǔ)器來(lái)檢驗(yàn)。調(diào)整CPU速度，使之與外圍時(shí)鐘精確匹配。41中斷已打開(kāi)，將初始化數(shù)據(jù)以便于0：0檢測(cè)內(nèi)存變換（中斷控制器或內(nèi)存不良）從視頻存儲(chǔ)器檢驗(yàn)之后復(fù)原；即將準(zhǔn)備描述符表。系統(tǒng)插件板選擇失靈。42顯示窗口進(jìn)入SETUP。描述符表已準(zhǔn)備好；即將進(jìn)行虛擬方式作存儲(chǔ)器測(cè)試。擴(kuò)展CMOSRAM故障。43若是即插即用BIOS，則串口、并口初始化。進(jìn)入虛擬方式；即將為診斷方式實(shí)現(xiàn)中斷。.44.已實(shí)現(xiàn)中斷（如已接通診斷開(kāi)關(guān)；即將使數(shù)據(jù)作初始準(zhǔn)備以檢查存儲(chǔ)器在0：0返轉(zhuǎn)。）BIOS中斷進(jìn)行初始化。45初始化數(shù)學(xué)協(xié)處理器。數(shù)據(jù)已作初始準(zhǔn)備；即將檢查存儲(chǔ)器在0：0返轉(zhuǎn)以及找出系統(tǒng)存儲(chǔ)器的規(guī)模。.第七十四頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日46.測(cè)試存儲(chǔ)器已返回；存儲(chǔ)器大小計(jì)算完畢，即將寫入頁(yè)面來(lái)測(cè)試存儲(chǔ)器。檢查只讀存儲(chǔ)器ROM版本。47.即將在擴(kuò)展的存儲(chǔ)器試寫頁(yè)面；即將基本640K存儲(chǔ)器寫入頁(yè)面。.48.已將基本存儲(chǔ)器寫入頁(yè)面；即將確定1MB以上的存儲(chǔ)器。視頻檢查，CMOS重新配置。49.找出1BM以下的存儲(chǔ)器并檢驗(yàn)；即將確定1MB以上的存儲(chǔ)器。.4A.找出1MB以上的存儲(chǔ)器并檢驗(yàn)；即將檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)。進(jìn)行視頻的初始化。4B.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)的檢驗(yàn)結(jié)束，即將檢查＜ESC＞和為軟復(fù)位清除1MB以上的存儲(chǔ)器。.4C.清除1MB以上的存儲(chǔ)器(軟復(fù)位)即將清除1MB以上的存儲(chǔ)器.屏蔽視頻BIOSROM。.4D已清除1MB以上的存儲(chǔ)器（軟復(fù)位）；將保存存儲(chǔ)器的大小。.第七十五頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日4E若檢測(cè)到有錯(cuò)誤；在顯示器上顯示錯(cuò)誤信息，并等待客戶按＜F1＞鍵繼續(xù)。開(kāi)始存儲(chǔ)器的測(cè)試：（無(wú)軟復(fù)位）；即將顯示第一個(gè)64K存儲(chǔ)器的測(cè)試。顯示版權(quán)信息。4F讀寫軟、硬盤數(shù)據(jù)，進(jìn)行DOS引導(dǎo)。開(kāi)始顯示存儲(chǔ)器的大小，正在測(cè)試存儲(chǔ)器將使之更新；將進(jìn)行串行和隨機(jī)的存儲(chǔ)器測(cè)試。.50將當(dāng)前BIOS監(jiān)時(shí)區(qū)內(nèi)的CMOS值存到CMOS中。完成1MB以下的存儲(chǔ)器測(cè)試；即將高速存儲(chǔ)器的大小以便再定位和掩蔽。將CPU類型和速度送到屏幕。51.測(cè)試1MB以上的存儲(chǔ)器。.52所有ISA只讀存儲(chǔ)器ROM進(jìn)行初始化，最終給PCI分配IRQ號(hào)等初始化工作。已完成1MB以上的存儲(chǔ)器測(cè)試；即將準(zhǔn)備回到實(shí)址方式。進(jìn)入鍵盤檢測(cè)。53如果不是即插即用BIOS，則初始化串口、并口和設(shè)置時(shí)種值。保存CPU寄存器和存儲(chǔ)器的大小，將進(jìn)入實(shí)址方式。.54.成功地開(kāi)啟實(shí)址方式；即將復(fù)原準(zhǔn)備停機(jī)時(shí)保存的寄存器。掃描“打擊鍵”第七十六頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日55.寄存器已復(fù)原，將停用門電路A－20的地址線。.56.成功地停用A－20的地址線；即將檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)。鍵盤測(cè)試結(jié)束。57.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)檢查了一半；繼續(xù)進(jìn)行。.58.BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)檢查結(jié)束；將清除發(fā)現(xiàn)＜ESC＞信息。非設(shè)置中斷測(cè)試。59.已清除＜ESC＞信息；信息已顯示；即將開(kāi)始DMA和中斷控制器的測(cè)試。.5A..顯示按“F2”鍵進(jìn)行設(shè)置。5B..測(cè)試基本內(nèi)存地址。5C..測(cè)試640K基本內(nèi)存。60設(shè)置硬盤引導(dǎo)扇區(qū)病毒保護(hù)功能。通過(guò)DMA頁(yè)面寄存器的測(cè)試；即將檢驗(yàn)視頻存儲(chǔ)器。測(cè)試擴(kuò)展內(nèi)存。61顯示系統(tǒng)配置表。視頻存儲(chǔ)器檢驗(yàn)結(jié)束；即將進(jìn)行DMA＃1基本寄存器的測(cè)試。.62開(kāi)始用中斷19H進(jìn)行系統(tǒng)引導(dǎo)。通過(guò)DMA＃1基本寄存器的測(cè)試；即將進(jìn)行DMA＃2寄存器的測(cè)試。測(cè)試擴(kuò)展內(nèi)存地址線。第七十七頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日63.通過(guò)DMA＃2基本寄存器的測(cè)試；即將檢查BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)。.64.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)檢查了一半，繼續(xù)進(jìn)行。.65.BIOSROM數(shù)據(jù)區(qū)檢查結(jié)束；將把DMA裝置1和2編程。.66.DMA裝置1和2編程結(jié)束；即將使用59號(hào)中斷控制器作初始準(zhǔn)備。Cache注冊(cè)表進(jìn)行優(yōu)化配置。67.8259初始準(zhǔn)備已結(jié)束；即將開(kāi)始鍵盤測(cè)試。.68..使外部Cache和CPU內(nèi)部Cache都工作。6A..測(cè)試并顯示外部Cache值。6C..顯示被屏蔽內(nèi)容。6E..顯示附屬配置信息。70..檢測(cè)到的錯(cuò)誤代碼送到屏幕顯示。72..檢測(cè)配置有否錯(cuò)誤。74..測(cè)試實(shí)時(shí)時(shí)鐘。76..掃查鍵盤錯(cuò)誤。第七十八頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日7A..鎖鍵盤。7C..設(shè)置硬件中斷矢量。7E..測(cè)試有否安裝數(shù)學(xué)處理器。80.鍵盤測(cè)試開(kāi)始，正在清除和檢查有沒(méi)有鍵卡住，即將使鍵盤復(fù)原。關(guān)閉可編程輸入／輸出設(shè)備。81.找出鍵盤復(fù)原的錯(cuò)誤卡住的鍵；即將發(fā)出鍵盤控制端口的測(cè)試命令。.82.鍵盤控制器接口測(cè)試結(jié)束，即將寫入命令字節(jié)和使循環(huán)緩沖器作初始準(zhǔn)備。檢測(cè)和安裝固定RS232接口（串口）。83.已寫入命令字節(jié)，已完成全局?jǐn)?shù)據(jù)的初始準(zhǔn)備；即將檢查有沒(méi)有鍵鎖住。.84.已檢查有沒(méi)有鎖住的鍵，即將檢查存儲(chǔ)器是否與CMOS失配。檢測(cè)和安裝固定并行口。85.已檢查存儲(chǔ)器的大小；即將顯示軟錯(cuò)誤和口令或旁通安排。

第七十九頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日86.已檢查口令；即將進(jìn)行旁通安排前的編程。重新打開(kāi)可編程I／O設(shè)備和檢測(cè)固定I／O是否有沖突。87.完成安排前的編程；將進(jìn)行CMOS安排的編程。.88.從CMOS安排程序復(fù)原清除屏幕；即將進(jìn)行后面的編程。初始化BIOS數(shù)據(jù)區(qū)。89.完成安排后的編程；即將顯示通電屏幕信息。.8A.顯示頭一個(gè)屏幕信息。進(jìn)行擴(kuò)展BIOS數(shù)據(jù)區(qū)初始化。8B.顯示了信息：即將屏蔽主要和視頻BIOS。.8C.成功地屏蔽主要和視頻BIOS，將開(kāi)始CMOS后的安排任選項(xiàng)的編程。進(jìn)行軟驅(qū)控制器初始化。8D.已經(jīng)安排任選項(xiàng)編程，接著檢查滑了鼠和進(jìn)行初始準(zhǔn)備。.8E.檢測(cè)了滑鼠以及完成初始準(zhǔn)備；即將把硬、軟磁盤復(fù)位。.8F.軟磁盤已檢查，該磁碟將作初始準(zhǔn)備，隨后配備軟磁碟。.第八十頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日90.軟磁碟配置結(jié)束；將測(cè)試硬磁碟的存在。硬盤控制器進(jìn)行初始化。91.硬磁碟存在測(cè)試結(jié)束；隨后配置硬磁碟。局部總線硬盤控制器初始化。92.硬磁碟配置完成；即將檢查BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)。跳轉(zhuǎn)到用戶路徑2。93.BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)已檢查一半；繼續(xù)進(jìn)行。.94.BIOSROM的數(shù)據(jù)區(qū)檢查完畢，即調(diào)定基本和擴(kuò)展存儲(chǔ)器的大小。關(guān)閉A－20地址線。95.因應(yīng)滑鼠和硬磁碟47型支持而調(diào)節(jié)好存儲(chǔ)器的大小；即將檢驗(yàn)顯示存儲(chǔ)器。.96.檢驗(yàn)顯示存儲(chǔ)器后復(fù)原；即將進(jìn)行C800：0任選ROM控制之前的初始準(zhǔn)備?！癊S段”注冊(cè)表清除。97.C800：0任選ROM控制之前的任何初始準(zhǔn)備結(jié)束，接著進(jìn)行任選ROM的檢查及控制。.第八十一頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日98.任選ROM的控制完成；即將進(jìn)行任選ROM回復(fù)控制之后所需的任何處理。查找ROM選擇。99.任選ROM測(cè)試之后所需的任何初始準(zhǔn)備結(jié)束；即將建立計(jì)時(shí)器的數(shù)據(jù)區(qū)或打印機(jī)基本地址。.9A.調(diào)定計(jì)時(shí)器和打印機(jī)基本地址后的返回操作；即調(diào)定RS－232基本地址。屏蔽ROM選擇。9B.在RS－232基本地址之后返回；即將進(jìn)行協(xié)處理器測(cè)試之初始準(zhǔn)備。.9C.協(xié)處理器測(cè)試之前所需初始準(zhǔn)備結(jié)束；接著使協(xié)處理器作初始準(zhǔn)備。建立電源節(jié)能管理。9D.協(xié)處理器作好初始準(zhǔn)備，即將進(jìn)行協(xié)處理器測(cè)試之后的任何初始準(zhǔn)備。.9E.完成協(xié)處理器之后的初始準(zhǔn)備，將檢查擴(kuò)展鍵盤，鍵盤識(shí)別符，以及數(shù)字鎖定。開(kāi)放硬件中斷。9F.已檢查擴(kuò)展鍵盤，調(diào)定識(shí)別標(biāo)志，數(shù)字鎖接通或斷開(kāi)，將發(fā)出鍵盤識(shí)別命令。.第八十二頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日A0.發(fā)出鍵盤識(shí)別命令；即將使鍵盤識(shí)別標(biāo)志復(fù)原。設(shè)置時(shí)間和日期。A1.鍵盤識(shí)別標(biāo)志復(fù)原；接著進(jìn)行高速緩沖存儲(chǔ)器的測(cè)試。.A2.高速緩沖存儲(chǔ)器測(cè)試結(jié)束；即將顯示任何軟錯(cuò)誤。檢查鍵盤鎖。A3.軟錯(cuò)誤顯示完畢；即將調(diào)定鍵盤打擊的速率。.A4.調(diào)好鍵盤的打擊速率，即將制訂存儲(chǔ)器的等待狀態(tài)。鍵盤重復(fù)輸入速率的初始化。A5.存儲(chǔ)器等候狀態(tài)制定完畢；接著將清除屏幕。.A6.屏幕已清除；即將啟動(dòng)奇偶性和不可屏蔽中斷。.A7.已啟用不可屏蔽中斷和奇偶性；即將進(jìn)行控制任選的ROM在E000：0之所需的任何初始準(zhǔn)備。.更換內(nèi)存插槽位置。BIOS還原。A8.控制ROM在E000：0之前的初始準(zhǔn)備結(jié)束，接著將控制E000：0之后所需的任何初始準(zhǔn)備。清除“F2”鍵提示。第八十三頁(yè)，共一百零九頁(yè)，2022年，8月28日A9.從控制E000：0ROM返回，即將進(jìn)行控制E000：0任選ROM之后所需的任何初始準(zhǔn)備。.AA.在E000：0控制任選ROM之后的初始準(zhǔn)備結(jié)束；即將顯示系統(tǒng)的配置。掃描“F2”鍵打擊。AC..進(jìn)入設(shè)置.AE..清除通電自檢標(biāo)志。B0..檢查非關(guān)鍵性錯(cuò)誤。B2..通電自檢完成準(zhǔn)備進(jìn)入操作系統(tǒng)引導(dǎo)。B4..蜂鳴器響一聲。B6..檢測(cè)密碼設(shè)置（可選）。B8..清除全部描述表。BC..清除校驗(yàn)檢查值。BE程序缺省值進(jìn)入控制芯片，符合可調(diào)制二進(jìn)制缺省值表。.清除屏幕（可