運算比較器電路行業(yè)企業(yè)市場現(xiàn)狀及競爭格局半導(dǎo)體材料景氣持續(xù)，市場空間廣闊半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。無論從科技或經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體都至關(guān)重要。2010年以來，全球半導(dǎo)體行業(yè)從PC時代進(jìn)入智能手機時代，成為全球創(chuàng)新最為活躍的領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于計算機、消費類電子、網(wǎng)絡(luò)通信和汽車電子等核心領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要由集成電路、光電子、分立器件和傳感器組成，據(jù)WSTS世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織預(yù)測，到2022年全球集成電路占比84．22%，光電子器件、分立器件、傳感器占比分別為7．41%、5．10%和3．26%。半導(dǎo)體工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘極高。芯片生產(chǎn)大體可分為硅片制造、芯片制造和封裝測試三個流程。其中硅片制造包括提純、拉單晶、磨外圓、切片、倒角、磨削、CMP、外延生長等工藝，芯片制造包括清洗、沉積、氧化、光刻、刻蝕、摻雜、CMP、金屬化等工藝，封裝測試包括減薄、切割、貼片、引線鍵合、模塑、電鍍、切筋成型、終測等工藝。整體而言，硅片制造和芯片制造兩個環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘極高。硅提純：目前多晶硅廠商多采用三氯氫硅改良西門子法進(jìn)行多晶硅生產(chǎn)。具體工藝是將氯化氫和工業(yè)硅粉在沸騰爐內(nèi)合成三氯氫硅，通過精餾進(jìn)一步提純高純?nèi)葰涔?，后?100℃左右用高純氫還原高純?nèi)葰涔?，生成多晶硅沉積在硅芯上，進(jìn)而得到電子級多晶硅。拉單晶：目前8寸和12寸硅片大多通過直拉法制備，部分6寸和8寸硅片則通過區(qū)熔法制得。直拉法是將高純多晶硅放入石英坩堝內(nèi)，通過外圍的石墨加熱器加熱至1400℃，隨后坩堝帶著多晶硅融化物旋轉(zhuǎn)，將一顆籽晶浸入其中后，由控制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時慢慢地、垂直地由硅融化物中向上拉出，并在拉出后和冷卻后生長成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。區(qū)熔法利用高頻線圈在多晶硅棒靠近籽晶一端形成熔化區(qū)，移動硅棒或線圈使熔化區(qū)超晶體生長方向不斷移動，向下拉出得到單晶硅棒。切片：單晶硅棒研磨成相同直徑，然后根據(jù)客戶要求的電阻率，多采用線切割將晶棒切成約1mm厚的晶圓薄片。倒角：用具備特定形狀的砂輪磨去硅片邊緣鋒利的崩邊、棱角和裂縫等，可防止晶圓邊緣碎裂，增加外延層和光刻膠層在晶圓邊緣的平坦度。磨削：在研磨機上用磨料將切片拋光到所需的厚度，同時提高表面平整度。其目的在于去除切片工序中硅片表面因切割產(chǎn)生的機械應(yīng)力損傷層和各種金屬離子等雜質(zhì)污染。清洗：為了解決硅片表面的沾污問題，實現(xiàn)工藝潔凈表面，多采用強氧化劑、強酸和去離子水進(jìn)行清洗。薄膜沉積：即通過晶核形成、聚集成束、形成連續(xù)的膜沉積在硅片沉底上。薄膜沉積按照原理可分為物理工藝（PVD）和化學(xué)工藝（CVD）。集成電路制造中使用最廣泛的PVD技術(shù)是濺射鍍膜，其基本原理是在反應(yīng)腔高真空度背景下帶正電的氬離子在電場作用下，轟擊到靶材的表面，撞擊出靶材的原子或分子，沉積在硅片表面?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。氧化：清潔完成后將晶圓置于800-1200℃的高溫環(huán)境下，通過氧氣或蒸氣在晶圓表面形成二氧化硅層，以保護(hù)晶圓不受化學(xué)雜質(zhì)影響、避免漏電流進(jìn)入電路、預(yù)防離子植入過程中的擴散以及防止晶圓在刻蝕時滑落。光刻：光刻技術(shù)用于電路圖形生成和復(fù)制，是半導(dǎo)體制造最為關(guān)鍵的技術(shù)，耗時占IC制造50%，成本占IC制造1/3。其主要流程包括清洗、涂膠、前烘、對準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等，在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠發(fā)生變化，顯影后被曝光的光刻膠可以被去除，電路圖形由掩模版轉(zhuǎn)移到光刻膠上，在經(jīng)過刻蝕后電路圖形即由掩模版轉(zhuǎn)移到硅片上。刻蝕：是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵步驟，對于器件的電學(xué)性能十分重要。利用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料，目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模版圖形。按照刻蝕工藝劃分，刻蝕主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕，目前干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占比約90%，而干法刻蝕又可分為化學(xué)去除、物理去除及化學(xué)物理混合去除三種方式，性能各有優(yōu)劣。摻雜：在半導(dǎo)體晶圓制造中，由于純凈硅的導(dǎo)電性能很差，需要加入少量雜質(zhì)使其結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)率發(fā)生變化，從而變成一種有用的半導(dǎo)體，即為摻雜。目前可通過高溫?zé)釘U散法和離子注入法進(jìn)行摻雜，其中離子注入法具備精確控制能量和劑量、摻雜均勻性好、純度高、低溫?fù)诫s等優(yōu)點，目前已成為0．25微米特征尺寸以下和大直徑硅片制造的標(biāo)準(zhǔn)工藝。CMP：是集成電路制造過程中實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝，其主要工作原理是在一定壓力及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對拋光墊做相對運動，借助納米磨料的機械研磨作用與各類化學(xué)試劑的化學(xué)作用之間的高度有機結(jié)合，使被拋光的晶圓表面達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。金屬化：在制備好的元器件表面沉積金屬薄膜，并進(jìn)行微細(xì)加工，利用光刻和刻蝕工藝刻出金屬互連線，然后把硅片上的各個元器件連接起來形成一個完整的電路系統(tǒng)，并提供與外電路連接點的工藝過程。半導(dǎo)體行業(yè)光刻膠：半導(dǎo)體工藝核心材料，道阻且長光刻膠是光刻工藝最重要的耗材。光刻膠是一種通過特定光源照射下發(fā)生局部溶解度變化的光敏材料，主要作用于光刻環(huán)節(jié)，承擔(dān)著將掩模上的圖案轉(zhuǎn)化到晶圓的重要功能。進(jìn)行光刻時，硅片上的金屬層涂抹光刻膠，掩膜上印有預(yù)先設(shè)計好的電路圖案，光線透過掩膜照射光刻膠。如果曝光在紫外線下的光刻膠變?yōu)槿軇?，清除后留下掩膜上的圖案，此為正性膠，反之為負(fù)性膠。光刻膠可以根據(jù)曝光光源波長、顯示效果和化學(xué)結(jié)構(gòu)三種方式進(jìn)行分類。根據(jù)曝光波長的不同，目前市場上應(yīng)用較多的光刻膠可分為g線、i線、KrF、ArF和EUV5種類型。光刻膠波長越短，加工分辨率越高，不同的集成電路工藝在光刻中對應(yīng)使用不同波長的光源。隨著芯片制程的不斷進(jìn)步，每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)與之相匹配。g/i線光刻膠誕生于20世紀(jì)80年代，當(dāng)時主流制程工藝在0．8-1．2μm，適用于波長436nm的光刻光源。到了90年代，制程進(jìn)步到0．35-0．5μm，對應(yīng)波長更短的365nm光源。當(dāng)制程發(fā)展到0．35μm以下時，g/i線光刻膠已經(jīng)無法制程工藝的需求，于是出現(xiàn)了適用于248納米波長光源的KrF光刻膠，和193納米波長光源的ArF光刻膠，兩者均是深紫外光刻膠。EUV（極紫外光）是目前最先進(jìn)的光刻膠技術(shù)，適用波長為13．5nm的紫外光，可用于10nm以下的先進(jìn)制程，目前僅有ASML集團(tuán)掌握EUV光刻膠所對應(yīng)的光刻機技術(shù)。根據(jù)顯示效果的不同，光刻膠可分為正性和負(fù)性。如果光刻膠是正性的，在特定光線照射下光刻膠會發(fā)生反應(yīng)并變成溶劑，曝光部分的光刻膠可以被清除。如果為負(fù)性光刻膠，曝光的光刻膠反應(yīng)不再是溶劑，未曝光的光刻膠被清除。光分解型光刻膠采用含有重氮醌類化合物材料作為感光劑，光線照射后發(fā)生光分解反應(yīng)，由油性變?yōu)樗匀軇?，可制造正性光刻膠。光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯作為光敏材料，光線照射后形成一種網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的不溶物，可起到抗蝕作用，適用于制成負(fù)性光刻膠。化學(xué)放大型光刻膠使用光致酸劑作為光引發(fā)劑，光線照射后，曝光區(qū)域的光致酸劑會產(chǎn)生一種酸，并在后熱烘培工序期間作為催化劑移除樹脂的保護(hù)基團(tuán)，使樹脂變得可溶。化學(xué)放大光刻膠對深紫外光源具有良好的光敏性，具有高對比度、分辨率等優(yōu)點。半導(dǎo)體光刻膠市場增速穩(wěn)定。伴隨芯片制程工藝的升級，光刻膠市場需求量也隨之增加。根據(jù)TECHECT數(shù)據(jù)，2021年全球光刻膠市場規(guī)模約為19億美元，同比增長11%，預(yù)計2022年將達(dá)到21．34億美元，同比增長12．32%。具體來看，在7nm制程的EUV技術(shù)成熟之前，ArFi光刻膠仍是市場主流，占比高達(dá)36．8%，KrF和g/i光刻膠分別占比為35．8%和14．7%。半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)?？焖僭鲩L，本土廠商進(jìn)展順利進(jìn)入21世紀(jì)以來，5G、人工智能、自動駕駛等新應(yīng)用的興起，對芯片性能提出了更高的要求，同時也推動了半導(dǎo)體制造工藝和新材料不斷創(chuàng)新，國內(nèi)外晶圓廠加緊對于半導(dǎo)體新制程的研發(fā)，臺積電已于2020年開啟了5nm工藝的量產(chǎn)，并于2021年年底實現(xiàn)3nm制程的試產(chǎn)，預(yù)計2022年開啟量產(chǎn)。此外臺積電表示已于2021年攻克2nm制程的技術(shù)節(jié)點的工藝技術(shù)難題，并預(yù)計于2023年開始風(fēng)險試產(chǎn)，2024年逐步實現(xiàn)量產(chǎn)。隨著芯片工藝升級，晶圓廠商對半導(dǎo)體材料要求越來越高。目前部分終端需求仍然強勁，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率維持歷史高位，預(yù)計全年來看結(jié)構(gòu)性缺貨狀態(tài)依舊嚴(yán)峻。據(jù)SEMI于2022年3月23日發(fā)布的最新一季全球晶圓廠預(yù)測報告，全球用于前道設(shè)施的晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計將同比增長18%，并在2022年達(dá)到1070億美元的歷史新高。由于半導(dǎo)體材料與下游晶圓廠具有伴生性特點，本土材料廠商將直接受益于中國大陸晶圓制造產(chǎn)能的大幅擴張。成熟制程供需持續(xù)緊張，國內(nèi)晶圓廠擴產(chǎn)規(guī)模維持高位。受益于成熟制程旺盛需求及大陸地區(qū)穩(wěn)定的供應(yīng)鏈，大陸晶圓廠快速擴產(chǎn)。根據(jù)SEMI報告，2022年全球有75個正在進(jìn)行的晶圓廠建設(shè)項目，計劃在2023年建設(shè)62個。2022年有28個新的量產(chǎn)晶圓廠開始建設(shè)，其中包括23個12英寸晶圓廠和5個8英寸及以下晶圓廠。分區(qū)域來看，中國晶圓產(chǎn)能增速全球最快，預(yù)計22年8寸及以下晶圓產(chǎn)能增加9%，12寸晶圓產(chǎn)能增加17%。隨著下游電子設(shè)備硅含量增長，半導(dǎo)體需求快速增長。在半導(dǎo)體工藝升級+積極擴產(chǎn)催化下，半導(dǎo)體材料市場快速增長。據(jù)SEMI報告數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體材料市場收入達(dá)到643億美元，超過了此前2020年555億美元的市場規(guī)模最高點，同比增長15．9%。晶圓制造材料和封裝材料收入總額分別為404億美元和239億美元，同比增長15．5%和16．5%。此外，受益于產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移趨勢，2021年國內(nèi)半導(dǎo)體材料銷售額高達(dá)119．3億美元，同比增長22%，增速遠(yuǎn)高于其他國家和地區(qū)。半導(dǎo)體材料種類繁多，包括硅片、電子特氣、掩模版、光刻膠、濕電子化學(xué)品、拋光液、拋光墊、靶材等。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，硅片為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域規(guī)模最大的品類之一，市場份額占比達(dá)32．9%，排名第一，其次為氣體，占比約14．1%，光掩模排名第三，占比為12．6%。此外，拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、濺射靶材的占比分別為7．2%、6．9%、6．1%、4%和3%。半導(dǎo)體材料為芯片之基，覆蓋工藝全流程半導(dǎo)體材料包括晶圓制造材料和封裝材料。其中晶圓制造材料包括硅片、掩模版、電子氣體、光刻膠、CMP拋光材料、濕電子化學(xué)品、靶材等，封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結(jié)材料和其他封裝材料。具體來說，在芯片制造過程中，硅晶圓環(huán)節(jié)會用到硅片；清洗環(huán)節(jié)會用到高純特氣和高純試劑；沉積環(huán)節(jié)會用到靶材；涂膠環(huán)節(jié)會用到光刻膠；曝光環(huán)節(jié)會用到掩模板；顯影、刻蝕、去膠環(huán)節(jié)均會用到高純試劑，刻蝕環(huán)節(jié)還會用到高純特氣；薄膜生長環(huán)節(jié)會用到前驅(qū)體和靶材；研磨拋光環(huán)節(jié)會用到拋光液和拋光墊。在芯片封裝過程中，貼片環(huán)節(jié)會用到封裝基板和引線框架；引線鍵合環(huán)節(jié)會用到鍵合絲；模塑環(huán)節(jié)會用到硅微粉和塑封料；電鍍環(huán)節(jié)會用到錫球。半導(dǎo)體行業(yè)面臨的機遇與挑戰(zhàn)（一）半導(dǎo)體行業(yè)面臨的機遇1、國家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，也是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的支柱性產(chǎn)業(yè)，在實現(xiàn)制造業(yè)升級、保障國家安全等方面發(fā)揮著重要的作用。但我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步較晚，自給率偏低，長期依賴于進(jìn)口。在我國經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展需求和全球貿(mào)易爭端的背景下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得到了國家和社會各界越來越多的重視。近年來，國家為支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，出臺了一系列財稅減免、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)相關(guān)的政策法規(guī)，具體包括《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》《制造業(yè)設(shè)計能力提升專項行動計劃（2019-2022年）》《關(guān)于集成電路設(shè)計和軟件產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅政策的公告》《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》等，政策法規(guī)為業(yè)內(nèi)企業(yè)的發(fā)展提供了充分的保障和支持，為行業(yè)發(fā)展注入了新動能。2、半導(dǎo)體行業(yè)下游市場需求持續(xù)增長隨著數(shù)字化浪潮的到來，傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級產(chǎn)生了大量對半導(dǎo)體產(chǎn)品的應(yīng)用需求，下游廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)定支撐著半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、VR/AR等新一輪科技逐漸走向產(chǎn)業(yè)化，未來十年中國半導(dǎo)體行業(yè)有望迎來進(jìn)口替代與成長的黃金時期，逐步在全球半導(dǎo)體市場的結(jié)構(gòu)性調(diào)整中占據(jù)舉足輕重的地位。3、全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國大陸轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體行業(yè)歷史上已經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次為上世紀(jì)70代從美國向日本轉(zhuǎn)移，第二次為上世紀(jì)80年代向韓國與中國臺灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，半導(dǎo)體行業(yè)正在迎來第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向中國大陸轉(zhuǎn)移。下游市場需求、行業(yè)發(fā)展和政策支持等因素是推動產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的重要因素。隨著第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的不斷深入，我國半導(dǎo)體行業(yè)將迎來一輪發(fā)展機遇期，不斷實現(xiàn)不同領(lǐng)域產(chǎn)品的進(jìn)口替代。（二）半導(dǎo)體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)1、半導(dǎo)體行業(yè)國際競爭力有待提升半導(dǎo)體行業(yè)國際巨頭經(jīng)歷了漫長的發(fā)展歷程，在技術(shù)儲備、口碑積淀、管理經(jīng)驗、市場占有率等方面具有先發(fā)優(yōu)勢。國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)提升國際競爭力，追趕國際巨頭需要付出更多的努力并經(jīng)歷一定的時間周期。2、半導(dǎo)體行業(yè)高端人才存在一定缺口半導(dǎo)體行業(yè)是典型的技術(shù)密集型行業(yè)，且涉及的技術(shù)橫跨多個學(xué)科領(lǐng)域，對研發(fā)人員的專業(yè)水平、創(chuàng)新能力和研發(fā)經(jīng)驗的要求較高。我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)起步較晚，各領(lǐng)域的人才儲備嚴(yán)重不足，盡管隨著國家對半導(dǎo)體行業(yè)愈發(fā)重視，相關(guān)人才的培養(yǎng)和引進(jìn)力度不斷加大，但較長的人才培養(yǎng)周期決定了我國在未來一段時間內(nèi)高端專業(yè)人才儲備缺口仍然較大，這在一定程度上制約了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在高端領(lǐng)域的發(fā)展。中國為全球最大半導(dǎo)體市場，國產(chǎn)化提升大勢所趨復(fù)盤半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷史，共經(jīng)歷三次轉(zhuǎn)移。第一次轉(zhuǎn)移：1973年爆發(fā)石油危機，歐美經(jīng)濟(jì)停滯，日本趁機大力發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，實施超大規(guī)模集成電路計劃。1986年，日本半導(dǎo)體產(chǎn)品已經(jīng)超越美國，成為全球第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)大國；第二次轉(zhuǎn)移：20世紀(jì)90年度，日本經(jīng)濟(jì)泡沫破滅，韓國通過技術(shù)引進(jìn)實現(xiàn)DRAM量產(chǎn)。與此同時，半導(dǎo)體廠商從IDM模式向設(shè)計+制造+封裝模式轉(zhuǎn)變，催生代工廠商大量興起，以臺積電為首的中國臺灣廠商抓住了半導(dǎo)體行業(yè)垂直分工轉(zhuǎn)型機遇；第三次轉(zhuǎn)移：2010年后，伴隨國內(nèi)手機廠商崛起、貿(mào)易摩擦背景下國家將集成電路的發(fā)展上升至國家戰(zhàn)略，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈逐漸向國內(nèi)轉(zhuǎn)移。中國為全球最大半導(dǎo)體市場，占比約1/3。隨著中國經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，在手機、PC、可穿戴設(shè)備等消費電子，以及新能源、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域的快速推動下，中國半導(dǎo)體市場快速增長。據(jù)WSTS數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體銷售達(dá)到5559億美元，而中國仍然為全球最大的半導(dǎo)體市場，2021年銷售額為1925億美元，占比34．6%。國產(chǎn)化率極低，提升自主能力日益緊迫。近年來，隨著產(chǎn)業(yè)分工更加精細(xì)化，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以市場為導(dǎo)向的發(fā)展態(tài)勢愈發(fā)明顯。從生產(chǎn)環(huán)節(jié)來看，制造基地逐步靠近需求市場，以減少運輸成本；從產(chǎn)品研發(fā)來看，廠商可以及時響應(yīng)用戶需求，加快技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品迭代。我國作為全球最大的半導(dǎo)體消費市場，半導(dǎo)體封測經(jīng)過多年發(fā)展在國際市場已經(jīng)具備較強市場競爭力，而在集成電路設(shè)計和制造環(huán)節(jié)與全球領(lǐng)先廠商仍有較大差距，特別是半導(dǎo)體設(shè)備和材料。SIA數(shù)據(jù)顯示，2020年國內(nèi)廠商在封測、設(shè)計、晶圓制造、材料、設(shè)備的全球市占率分別為38%、16%、16%、13%、2%，半導(dǎo)體材料與設(shè)備的重要性日益凸顯。半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況及前景（一）全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況及前景過去五年，隨著智能手機平板電腦為代表的新興消費電子市場的快速發(fā)展，以及汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)等科技產(chǎn)業(yè)的興起，強力帶動了整個半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模迅速增長。2020年受疫情影響全球經(jīng)濟(jì)出現(xiàn)了衰退。國際貨幣基金組織估計，2020年全球GDP增長率按購買力平價（PPP）計算約下降了4．4％。這是二戰(zhàn)結(jié)束以來世界經(jīng)濟(jì)最大幅度的產(chǎn)出萎縮。但是全球半導(dǎo)體市場在居家辦公學(xué)習(xí)、遠(yuǎn)程會議等需求驅(qū)動下，逆勢增長。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織統(tǒng)計，全球半導(dǎo)體行業(yè)2020年市場規(guī)模達(dá)到4，424．09億美元，較2019年增長約6．78%。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計預(yù)測，2021年度和2022年度，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模仍將保持增長趨勢，預(yù)計增速分別為24．52和10．09%。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織統(tǒng)計，2020年美國半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模約為953．66億美元，占全球市場的21．65%；歐洲半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模約為375．20億美元，約占全球市場的8．52%，日本半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模約為364．71億美元，約占全球市場的8．28%，亞太地區(qū)（除日本外）市場規(guī)模達(dá)2，710．32億美元，已占據(jù)全球市場61．54%的市場份額。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織預(yù)測，2021年度和2022年度，美國半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模將分別上漲21．50%和12．00%，亞太地區(qū)（除日本外）市場規(guī)模將分別上漲27．16%和10．16%，至2022年度，亞太地區(qū)（除日本外）市場規(guī)模占比將繼續(xù)升高至62．60%。（二）中國半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況及前景十三五規(guī)劃以來，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生了重大變化。首先，得益于近年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》等重要文件的出臺，以及社會各界對半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的日益重視。中國近年來集成電路市場規(guī)模逐步增長，我國半導(dǎo)體行業(yè)正站在國產(chǎn)化的起跑線上。其次，由于2019年底爆發(fā)并延續(xù)至2020年的新冠疫情，對于世界整體的經(jīng)濟(jì)格局造成巨大影響，疫情仍是影響全球經(jīng)濟(jì)走向的關(guān)鍵變量，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)性發(fā)展將面臨挑戰(zhàn)。同時，在近年來國際形勢的變化和地緣沖突的加劇等緊張形勢下，中國正在抓緊提升集成電路產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新能力和產(chǎn)業(yè)完整性，加快產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)、加強人才培養(yǎng)、整合產(chǎn)業(yè)鏈。1、國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)需求保持快速增長根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，最近五年，我國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額始終保持快速增長。2020年度，我國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額為11，814．3億元，較上年同期增長14．3%。自2015年度至2020年度，我國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額復(fù)合增長率達(dá)到16．77%。2、國內(nèi)半導(dǎo)體市場供給和需求之間仍存在明顯差距我國集成電路的供給和需求之間，仍存在較大的差距，根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計及預(yù)測，雖然在我國產(chǎn)業(yè)政策鼓勵下，半導(dǎo)體市場需求和供給之間差距有所減小，但二者仍有較大差距。2020年度，我國半導(dǎo)體市場需求金額為19，270．3億元，和我國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額差距為7，456億元。3、我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長空間巨大我國半導(dǎo)體市場需求和供給之間的差異，也導(dǎo)致我國半導(dǎo)體進(jìn)口長期處于高位。2020年度，我國進(jìn)口半導(dǎo)體器件3，767．8億美元，較上年同期增加13．6%，出口半導(dǎo)體器件1，522．8億美元，較上年同期增加11．0%，凈進(jìn)口金額2，245．0億美元，較上年同期增加14．79%。從國產(chǎn)化率角度來看，我國半導(dǎo)體產(chǎn)品供給和需求差異更為顯著。根據(jù)ICInsight統(tǒng)計，2020年度，中國大陸集成電路市場需求為1，434億美元，而本土企業(yè)的集成電路制造產(chǎn)值僅為83億美元，而在中國大陸建廠的外國企業(yè)如臺積電、三星、SK海力士、英特爾等在國內(nèi)生產(chǎn)集成電路產(chǎn)品的產(chǎn)值達(dá)到了144億美元，本土企業(yè)的集成電路產(chǎn)值僅為國內(nèi)制造集成電路產(chǎn)值227億元的36．5%，更只占中國大陸集成電路需求的5．9%。雖然我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給率有所上升，但供給和需求仍存在較大差距，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依然有很大的成長空間。隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、VR/AR等新一輪科技逐漸走向產(chǎn)業(yè)化，未來十年中國半導(dǎo)體行業(yè)有望迎來進(jìn)口替代與成長的黃金時期，逐步在全球半導(dǎo)體市場的結(jié)構(gòu)性調(diào)整中占據(jù)舉足輕重的地位。半導(dǎo)體行業(yè)工藝制程持續(xù)升級，CMP市場穩(wěn)定增長半導(dǎo)體行業(yè)高景氣帶動CMP市場穩(wěn)定增長。伴隨半導(dǎo)體材料行業(yè)景氣度向上，CMP材料市場有望受下游市場驅(qū)動，保持穩(wěn)健增速。2020年全球拋光液和拋光墊全球市場規(guī)模分別為13．4和8．2億美元。中國CMP材料市場漲幅趨勢與國