第七章半導(dǎo)體存儲器第七章半導(dǎo)體存儲器7.1概述能存儲大量二值信息的器件一、一般結(jié)構(gòu)形式輸入/出電路I/O輸入/出控制！單元數(shù)龐大！輸入/輸出引腳數(shù)目有限二、分類1、從存/取功能分：①只讀存儲器(Read-Only-Memory）②隨機(jī)讀/寫（Random-Access-Memory）2、從工藝分：①雙極型②MOS型二、舉例地址數(shù)據(jù)A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)D0Dm兩個概念：存儲矩陣的每個交叉點(diǎn)是一個“存儲單元”，存儲單元中有器件存入“1”，無器件存入“0”存儲器的容量：“字?jǐn)?shù)x位數(shù)”7.2.2可編程ROM（PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同7.2.2可編程ROM（PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同寫入時，要使用編程器PROM：所有的存儲單元均為0或1，可根據(jù)需要改寫一次存入數(shù)據(jù)（編程）的方法：熔斷法，PN結(jié)擊穿法7.2.3可擦除的可編程ROM（EPROM）EPROM：可根據(jù)需要改寫多次，將存儲器原有的信息抹去，再寫入新的信息，允許改寫幾百次方法：利用雪崩擊穿，采用特殊的雪崩注入MOS管或疊柵注入MOS管擦除方式：紫外線照射特點(diǎn)：擦除操作復(fù)雜，速度慢，正常工作時不能隨意改寫一、用紫外線擦除的PROM（UVEPROM）二、電可擦除的可編程ROM（E2PROM）方法：利用隧道效應(yīng)，采用具有兩個柵極的特制NMOS管和一個普通NMOS管擦除方式：加電特點(diǎn)：擦除操作簡單，速度快，正常工作時最好不要隨意改寫總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲單元不同三、快閃存儲器（FlashMemory）為提高集成度，省去T2（選通管）改用疊柵MOS管（類似SIMOS管）三、快閃存儲器（FlashMemory）方法：采用特殊的單管疊柵MOS管，寫入用雪崩注入，擦除利用隧道效應(yīng)擦除方式：加電特點(diǎn)：擦除操作簡單，集成度高，容量大二、SRAM的存儲單元六管N溝道增強(qiáng)型MOS管7.3.2*動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM） 動態(tài)存儲單元是利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理7.4.2字?jǐn)U展方式適用于每片RAM,ROM位數(shù)夠用而字?jǐn)?shù)不夠時1024x8RAM例：用四片256x8位→1024x8位RAM0001110110111011011111107.5用存儲器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)一、基本原理從ROM的數(shù)據(jù)表可見： 若以地址線為輸入變量，則數(shù)據(jù)線即為一組關(guān)于地址變量的邏輯函數(shù)地址數(shù)據(jù)A1A0D3D2D1D000010