半導(dǎo)體專業(yè)詞匯acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)acceptor:受主，如B,摻入Si中需要接受電子ACCESS：一個EDA(EngineeringDataAnalysis)系統(tǒng)Acid:酸Activedevice：有源器件，如MOSFET(非線性,可以對信號放大)Alignmark(key)：對位標記Alloy：合金Aluminum：鋁Ammonia:氨水Ammoniumfluoride：NH4FAmmoniumhydroxide：NH4OHAmorphoussilicon：aSi，非晶硅(不是多晶硅)Analog:模擬的Angstrom：A(lE-10m)埃Anisotropic:各向異性(如POLYETCH)AQL(AcceptaneeQualityLevel)：接受質(zhì)量標準，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標準(不同于可靠性，可靠性要求一定時間后的失效率)ARC(Antireflectivecoating)：抗反射層(用于METAL等層的光刻)Antimony(Sb)銻Argon(Ar)氬Arsenic(As)砷Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷Arsine(AsH3)Asher:去膠機Aspectration：形貌比(ETCH中的深度、寬度比)Autodoping：自攙雜(外延時SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回摻到外延層)Backend：后段(CONTACT以后、PCM測試前)Baseline：標準流程Benchmark：基準Bipolar:雙極Boat：擴散用(石英)舟CD：(CriticalDimension)臨界(關(guān)鍵)尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLYCD為多晶條寬。Characterwindow：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。Chemical-mechanicalpolish(CMP)：化學(xué)機械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。Chemicalvapordeposition(CVD)：化學(xué)汽相淀積。一種通過化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工藝。Chip:碎片或芯片。CIM：computer-integratedmanufacturing的縮寫。用計算機控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。Circuitdesign：電路設(shè)計。一種將各種元器件連接起來實現(xiàn)一定功能的技術(shù)。Cleanroom：—種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。Compensationdoping：補償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個硅襯底上混合制造的工藝。Computer-aideddesign(CAD)：計算機輔助設(shè)計。Conductivitytype：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。Contact:孔。在工藝中通常指孔1,即連接鋁和硅的孔。Controlchart:控制圖。一種用統(tǒng)計數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。Correlation：相關(guān)性。Cp：工藝能力，詳見processcapability。Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見processcapabilityindex。Cycletime：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時間。通常用來衡量流通速度的快慢。Damage：損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺陷在表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。Defectdensity：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。Depletionimplant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。(耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。)Depletionlayer：耗盡層。可動載流子密度遠低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。Depletionwidth:耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個區(qū)域的寬度。Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。Depthoffocus(DOF)：焦深。designofexperiments(DOE)：為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計合理性等目的，所設(shè)計的初始工程批試驗計劃。develop：顯影(通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程)developer：I)顯影設(shè)備；II)顯影液diborane(B2H6)：乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃氣體，常用來作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的硼源dichloromethane(CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學(xué)氣氛中。die：硅片中一個很小的單位，包括了設(shè)計完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。dielectric：I)介質(zhì)，一種絕緣材料；II)用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。diffusedlayer：擴散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴散進入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。disilane(Si2H6):乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會自燃。在生產(chǎn)光電單元時，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。drive-in：推阱，指運用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴散。dryetch干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。effectivelayerthickness有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。EM：electromigration,電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進行的自擴散過程。epitaxiallayer:外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導(dǎo)體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。equipmentdowntime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時間。etch:腐蝕，運用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。exposure:曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。featuresize:特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。field-effecttransistor(FET)：場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動而工作，多子流由柵下的橫向電場控制。film:薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。flat:平邊f(xié)latbandcapacitanse：平帶電容flatbandvoltage:平帶電壓flowcoefficicent:流動系數(shù)flowvelocity:流速計flowvolume:流量計flux:單位時間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)forbiddenenergygap:禁帶four-pointprobe：四點探針臺functionalarea：功能區(qū)gateoxide:柵氧glasstransitiontemperature玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度gowning：凈化服grayarea:灰區(qū)grazingincideneeinterferometer：切線入射干涉儀hardbake:后烘heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法high-currentimplanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒host：主機hotcarriers：熱載流子hydrophilic:親水性hydrophobic:疏水性impurity:雜質(zhì)inductivecoupledplasma(ICP)：感應(yīng)等離子體inertgas：惰性氣體initialoxide：一氧insulator：絕緣isolatedline：隔離線implant:注入impurityn:摻雜junction:結(jié)junctionspikingn:鋁穿刺kerf:劃片槽landingpadnADlithographyn制版maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能maintenancen:保養(yǎng)majoritycarriern:多數(shù)載流子masks,deviceseriesofn:一成套光刻版materialn:原料matrixn1:矩陣meann:平均值measuredleakraten:測得漏率mediann:中間值memoryn:記憶體metaln:金屬nanometer(nm)n：納米nanosecond(ns)n：納秒nitrideetchn：氮化物刻蝕128.nitrogen(N2)n：氮氣，一種雙原子氣體n-typeadj：n型ohmspersquaren：歐姆每平方：方塊電阻orientationn：晶向，一組晶列所指的方向overlapn：交迭區(qū)oxidationn:氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進行的化學(xué)反應(yīng)phosphorus(P)n：磷，一種有毒的非金屬元素photomaskn：光刻版，用于光刻的版photomask,negativen：反亥Uimages:去掉圖形區(qū)域的版photomask,positiven：正亥Upilotn：先行批，用以驗證該工藝是否符合規(guī)格的片子plasman：等離子體，用于去膠、亥蝕或淀積的電離氣體plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n：等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝pnjunctionn：pn結(jié)pockedbeadn：麻點，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠polarizationn：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)polycrystallinesilicon(poly)n多晶硅，高濃度摻雜(>5E19)的硅，能導(dǎo)電。polymorphismn：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象probern：探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。processcontroln：過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。proximityX-rayn：近X射線：一種光亥技術(shù)，用X射線照射置于光亥膠上方的掩膜版，從而使對應(yīng)的光亥膠暴光。purewatern：純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。quantumdevicen：量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。quartzcarriern：石英舟。randomaccessmemory(RAM)n：隨機存儲器。randomlogicdevicen：隨機邏輯器件。rapidthermalprocessing(RTP)n：快速熱處理(RTP)。reactiveionetch(RIE)n：反應(yīng)離子亥蝕(RIE)。reactorn：反應(yīng)腔。反應(yīng)進行的密封隔離腔。recipen：菜單。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。resistn：光亥膠。scanningelectronmicroscope(SEM)n：電子顯微鏡(SEM)。scheduleddowntimen：(設(shè)備)預(yù)定停工時間。Schottkybarrierdiodesn：肖特基二極管。scribelinen：劃片槽。sacrificialetchbackn：犧牲腐蝕。semiconductorn：半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。sheetresistance(Rs)(orpersquare)n：薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。sideload：邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer：外延是藍寶石襯底硅的原片smallscaleintegration(SSI)：小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個圖案的布局。sourcecode:原代碼，機器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計語言里或編碼器的代碼。spectralline:光譜線，光譜鑷制機或分光計在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細絲狀的剩余物。sputteretch:濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。stackingfault:堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯誤。steambath:蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。stepresponsetime:瞬態(tài)特性時間，大多數(shù)流量控制器實驗中，普通變化時段到氣流剛到達特定地帶的那個時刻之間的時間。stepper:步進光刻機(按BLOCK來曝光)stresstest:應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓(沒有特指的情況下)。symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認識。tackweld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點進行的點焊(用于連接蓋子)。Taylortray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。temperaturecycling溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。testability:易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。thermaldeposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。thinfilm:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。titanium(Ti):鈦。toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。tungsten(W):鎢。tungstenhexafluoride(WF6):氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。tinning:金屬性表面覆蓋焊點的薄層。totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負獲得電荷密度(Nit)。watt(W):瓦。能量單位。waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向。ACAAnisotropicConductiveAdhesive各向異性導(dǎo)電膠ACAFAnisotropicConductiveAdhesiveFilm各項異性導(dǎo)電膠膜AlAluminium鋁ALIVHAllInnerViaHole完全內(nèi)部通孔AOIAutomaticOptialInspection自動光學(xué)檢查ASICApplicationSpecificIntegratedCircuit專用集成電路ATEAutomaticTestEquipment自動監(jiān)測設(shè)備AUGold金B(yǎng)CBBenzocyclohutene,BenzoCycloButene苯丙環(huán)丁烯BEOBerylliumOxide氧化鈹BISTBuilt-InSelf-Test(Function)內(nèi)建自測試(功能)BITBipolarTransistor雙極晶體管BTABBumpedTapeAutomatedBonding凸點載帶自動焊BGABallGridArray焊球陣列BQFPQuadFlatPackageWithBumper帶緩沖墊的四邊引腳扁平封裝C4ControlledCollapsedChipConnection可控塌陷芯片連接CADComputerAidedDesign計算機輔助設(shè)計CBGACeramicBallGridArray陶瓷焊球陣列CCGACeramicColumnGridArray陶瓷焊柱陣列CLCCCeramicLeadedChipCarrier帶引腳的陶瓷片式載體CMLCurrentModeLogic電流開關(guān)邏輯CMOS ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor互補金屬氧化物半導(dǎo)體COBChiponBoard板上芯片COCChiponChip疊層芯片COGChiponGlass玻璃板上芯片CSPChipSizePackage芯片尺寸封裝CTECoefficientofThermalExpansion熱膨脹系數(shù)CVDChemicalVaporDepositon化學(xué)汽相淀積DCADirectChipAttach芯片直接安裝DFPDualFlatPackage雙側(cè)引腳扁平封裝DIPDoubleIn-LinePackage雙列直插式封裝DMSDirectMetallizationSystem直接金屬化系統(tǒng)DRAMDynamicRandomAccessMemory動態(tài)隨機存取存貯器DSODualSmallOutline雙側(cè)引腳小外形封裝DTCPDualTapeCarrierPackage雙載帶封裝3DThree-Dimensional三維2DTwo-Dimensional二維EBElectronBeam電子束ECLEmitter-CoupledLogic射極耦合邏輯FCFlipChip倒裝片法FCBFlipChipBonding倒裝焊FCOBFlipChiponBoard板上倒裝片F(xiàn)EMFiniteElementMethod有限元法FPFlatPackage扁平封裝FPBGAFinePitchBallGridArray窄節(jié)距BGAFPDFinePitchDevice窄節(jié)距器件FPPQFPFinePitchPlasticQFP窄節(jié)距塑料QFPGQFPGuard-RingQuadFlatPackage帶保護環(huán)的QFPHDIHighDensityInterconnect高密度互連HDMIHighDensityMultilayerInterconnect高密度多層互連HICHybirdIntegratedCircuit混合集成電路HTCCHighTemperatureCo-FiredCeramic高溫共燒陶瓷HTSHighTemperatureStorage高溫貯存ICIntegratedCircuit集成電路IGBTInsulatedGateBipolarTransistor絕緣柵雙極晶體管ILBInner-LeadBond內(nèi)引腳焊接I/OInput/Output輸入/輸出IVHInnerViaHole內(nèi)部通孔JLCCJ-LeadedChipCarrierJ形引腳片式載體KGDKnownGoodDie優(yōu)質(zhì)芯片LCCLeadlessChipCarrier無引腳片式載體LCCCLeadlessCeramicChipCarrier無引腳陶瓷片式載體LCCPLeadChipCarrierPackage有引腳片式載體封裝LCDLiquidCrystalDisplay液晶顯示器LCVDLaserChemicalVaporDeposition激光化學(xué)汽相淀積LDILaserDirectImaging激光直接成像LGALandGridArray焊區(qū)陣列LSILargeScaleIntegratedCircuit大規(guī)模集成電路LOCLeadOverChip芯片上引線健合LQFPLowProfileQFP薄形QFPLTCCLowTemperatureCo-FiredCeramic低溫共燒陶瓷MBGAMetalBGA金屬基板BGAMCAMultipleChannelAccess多通道存取MCMMultichipModule多芯片組件MCM-CMCMwithCeramicSubstrate陶瓷基板多芯片組件MCM-DMCMwithDepositedThinFilmInteconnectSubstrate淀積薄膜互連基板多芯片組件MCM-LMCMwithLaminatedSubstrate疊層基板多芯片組件MCPMultichipPackage多芯片封裝MELFMetalElectrodeFaceBonding金屬電極表面健合MEMSMicroelectroMechanicalSystem微電子機械系統(tǒng)MFPMiniFlatPackage微型扁平封裝MLCMulti-LayerCeramicPackage多層陶瓷封裝MMICMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit微波單片集成電路MOSFETMetal-Oxide-SiliconField-EffectTransistor金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MPUMicroprocessorUnit微處理器MQUADMetalQuad金屬四列引腳MSIMediumScaleIntegration中規(guī)模集成電路OLBOuterLeadBonding外引腳焊接PBGAPlasticBGA塑封BGAPCPersonalComputer個人計算機PFPPlasticFlatPackage塑料扁平封裝PGAPinGridArray針柵陣列PIPolymide聚酰亞胺PIHPlug-InHole通孔插裝PTFPlasticLeadedChipCarrier塑料有引腳片式載體PTFPolymerThickFilm聚合物厚膜PWBPrintedWiringBoard印刷電路板PQFPPlasticQFP塑料QFPQFJQuadFlatJ-leadedPackage四邊J形引腳扁平封裝QFPQuadFlatPackage四邊引腳扁平封裝QIPQuadIn-LinePackage四列直插式封裝RAMRandomAccessMemory隨機存取存貯器SBBStud-BumpBonding釘頭凸點焊接SBCSolder-BallConnection焊球連接SCIMSingleChipIntegratedModule單芯片集成模塊SCMSingleChipModule單芯片組件SLIMSingleLevelIntegratedModule單級集成模塊SDIPShrinkageDualInlinePackage窄節(jié)距雙列直插式封裝SEMSweepElectronMicroscope電子掃描顯微鏡SIPSingleIn-LinePackage單列直插式封裝SIPSystemInaPackage系統(tǒng)級封裝SMCSurfaceMountComponent表面安裝元件SMDSurfaceMountDevice表面安裝器件SMPSurfaceMountPac