微電子器件封裝

-封裝材料與封裝技術

朱路平城市建設與環(huán)境工程學院Email：

QQ：422048712

WaferPackageSingleICAssemblyPackaging&AssemblyistheBridgeBetweenICandSystem！本課程為材料專業(yè)本科學生的一門必修課，涉及靜態(tài)和動態(tài)兩方面，即電子封裝材料的種類、性質(zhì)和功能，以及電子封裝工藝的設計、控制等技術。通過本課程的學習，初步地掌握電子封裝的一些基本理論和工藝，為綠色電子材料的設計、加工及應用打下良好的基礎。一、課程性質(zhì)與任務二、內(nèi)容提要《微電子器件封裝-封裝材料與封裝技術》從封裝用的材料著手，較詳細地介紹了微電子器件封裝用的各類材料，包括高分子材料、陶瓷材料、金屬焊接材料、密封材料及黏合劑等材料，闡述了半導體芯片、集成電路器件等的封裝制造工藝，講述了微電子器件封裝的電子學和熱力學設計的基礎理論。三、課程內(nèi)容微電子器件封裝概述封裝的電設計封裝的熱控制陶瓷封裝材料聚合物材料封裝引線框架材料金屬焊接材料高分子環(huán)氧樹脂IC芯片貼裝與引線鍵合可靠性設計

熟練掌握電子封裝用的五大材料：高分子材料、陶瓷材料、金屬焊接材料、密封材料及黏合劑的性質(zhì)和功能；掌握半導體芯片、集成電路器件等的封裝制造工藝；理解微電子器件封裝的電子學和熱力學設計的基礎理論。四、課程基本要求課外閱讀書籍1.(美)查爾斯A.哈珀|譯者:沈卓身//賈松良.《電子封裝材料與工藝》,化學工業(yè)出版社,2006年第1版2.(美國)C.A.哈珀編//賈松良.《電子組裝制造:芯片·電路板·封裝及元器件(精裝)》,科學出版社,2005年第1版3.田民波編.《電子封裝工程》,清華大學出版社,2003年第1版4.中國電子學會生產(chǎn)技術學分會叢書編委會組編.《微電子封裝技術》,中國科學技術大學出版社,2003年第1版考核采用綜合評價的方式進行：其中考試占70%；平時作業(yè)、提問、考勤占30%?？己朔绞降谝徽挛㈦娮悠骷庋b概述什么是封裝？所謂“封裝”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包。1.1微電子封裝的意義及作用（為什么需要進行封裝？）封裝為半導體提供環(huán)境的保護；封裝為半導體提供機械支撐；封裝為半導體所產(chǎn)生的熱量提供一種耗散途徑；封裝為半導體提供與下一級封裝的互連；1.2微電子基礎1.2.1微電子技術的發(fā)展史

微電子技術是以集成電路為核心的電子技術，在19世紀末無線電發(fā)明之后，在電子元器件小型化、微型化的過程中發(fā)展起來的一門重要學科?！?0世紀初：真空電子管（通訊、測量、自動控制等）◆20世紀40年代：晶體管（1947年）--微電子工業(yè)實現(xiàn)革命化，開創(chuàng)了微電子技術新紀元。?與電子管相比：體積小、重量輕、功耗低、壽命長◆20世紀60年代：集成電路

SSI---→MSI---→LSI---

→ULSI

---→GSI…….(4個晶體管)…….（超大型集成）（十億級集成）微電子技術的發(fā)展演變晶體管(1947)中/小規(guī)模集成電路(1950’s)大規(guī)模/超大規(guī)模集成電路(1970’s)電子管(1904)■真空管---------第一代微電子器件■晶體管---------第二代微電子器件■中小規(guī)模集成電路---------第三代微電子器件■大規(guī)模集成電路---------第四代微電子器件■超大規(guī)模集成電路---------第五代微電子器件……SOC（SystemOnChip）：將系統(tǒng)所有的器件集成到一個單一的芯片上，實現(xiàn)電子產(chǎn)品的極小型化和高性能。材料絕緣體導體半導體良的導體：銀、銅、金、鋁等單質(zhì)：硅（Si）、鍺（Ge）化合物：砷化鎵（GaAs）(a)(b)(c)空帶滿帶化合物，如塑料等1.2.2半導體理論圖中?代表電子，Ev稱為價帶頂，它是價帶電子的最高能量。在一定溫度下，價電子有可能依靠熱激發(fā)，獲得能量脫離共價鍵，在晶體中自由運動，成為準自由電子。它們也就是能帶圖中導帶上的電子。脫離共價鍵所需的最小能量就是禁帶寬度Eg，Ec稱為導帶底，它是導帶電子的最低能量。本征激發(fā)：價帶電子激發(fā)成為導帶電子的過程。半導體分類?本征半導體：純硅（Si）、鍺（Ge）等；摻雜：向本征半導體中加入不同元素或雜質(zhì)而制造自由電子的方法；被摻雜的半導體稱為非本征半導體。?非本征半導體：

N型半導體，指硅摻雜了第VA族的元素P、As、Sb等；P型半導體,指硅摻雜了第III族的元素B、In等；?化合物半導體：

二元：砷化鎵（GaAs），銻化銦（InSb）；三元：GaAsP、AlGaAs；四元：

AlGaAsPSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSipSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiBSiSiSiSiSiSiB-+1.2.3微電子元件（1）P-N結二極管P-N結：將P型和N型的半導體材料連接在一起，就可以形成P-N結。源極漏極襯底柵極典型的MOSFET(MOS)結構示意圖（2）金屬氧化物半導體場效應三極管（MOSFET）1.2.4微電子封裝和互連接的等級?0級封裝互連接：半導體芯片內(nèi)部的互連接；?1級封裝：密閉封裝，就是將芯片密封，封裝成為電子集成電路塊；?1.5級封裝：多芯片和圓晶級混合集成電路的裝配；?2級封裝：印刷電路板的封裝和裝配；?3級封裝：插件接口、主板及組件之間的互連接；?4級封裝：微電子系統(tǒng)的布線和互連接。1.2.擠5集成模電路（I胸C）及其供封裝的種雹類什么是久集成電絲式路？集成電路(Int號egra召ted絡Circ富uit，利簡稱IC丑)：以半導體史單晶片作強為基片,建采用平面辛工藝，將糠晶體管、柜電阻、電醬容等元器蜘件及其連沃線所構成榆的電路制虎作在基片滿上所構成衫的一個微土型化的電懸路或系統(tǒng)更.優(yōu)點：體積小、至重量輕功耗小以、成本昆低速度快齒、可靠棄性高超大規(guī)模集成電路小規(guī)模集成電路集成電路帥的制造流辯程晶圓硅平面工藝硅平面工藝包括氧化、光刻、摻雜和互連等工序，最終在硅片上制成包含多層電路及電子元件的集成電路。通常每一硅拋光片上可制作成百上千個獨立的集成電路，這種整整齊齊排滿了集成電路的硅片稱作“晶圓”芯片檢測、分類集成電路封裝對晶圓上的每個電路進行檢測，然后將晶圓切開成小片，把合格的電路分類，再封裝成一個個獨立的集成電路成品測試成品進行成品測試，按其性能參數(shù)分為不同等級，貼上規(guī)格型號及出廠日期等標簽，成品即可出廠拋光切片單晶硅錠經(jīng)切割、研磨和拋光后制成鏡面一樣光滑的圓形薄片。單晶硅絲式錠拋光切片布圖刻蝕劃片芯片封拉裝、測縮慧試IC制蛙造工藝霉過程晶錠的生戒長切克勞飄斯基【胃Czo等chr熔als宵ki（吸CZ）攻】法1.2檔.5臉集成電杜路（I確C）及蔽其封裝弓的種類集成程度：集成到佛一個單豈一芯片捐上的元鞭件的數(shù)羨量。封裝材嶄料：金屬、陶株瓷、塑料潤等集成電路芯片的封鞏裝插孔型封裝表面安裝封裝雙列直插（DIP）,小雙列直插（SH-DIP）瘦雙列直插（SK-DIP

）,單列直插（SIP）鋸齒式直插（ZIP），針柵陣列（PGA）小外型（SOP）,四邊扁平（QFP）無引線芯片（LCC）,塑料有引線（PLCC）球柵陣列（BGA），載帶自動焊（TAB）封裝的評膚價參數(shù)?輸入輸溝出終端數(shù)租目；終端數(shù)目清越大，封離裝引出線腐間距離就遷越小。?集成席電路芯秘片的尺閘寸；其關系到步集成電路裹芯片與封壞裝連接的貧可靠性。?功率撐；器控制集淺成電路芯泡片及系統(tǒng)惕包裝的散核熱功率。封裝趨槍勢：◆封裝尺寸敗逐漸接近代集成電路脈芯片的尺球寸；◆封裝引基線間距離茂不斷縮小喉，以適應憤越來越多割的終端數(shù)淘目；◆最大為工作效但率及散窮熱方式喜的調(diào)整候。Ele跌ctr查oni催cp兄ack矮agi頃ng1.3奪微電子整守機系統(tǒng)封窯裝主要有：◆計算機系卻統(tǒng)封裝，要求最失高的信唉號傳輸明速度和籌電子性能；◆通訊撓系統(tǒng)封阿裝，要求最高收的帶寬；帶寬：輸朽出的平行嗓比特（b吊it）數(shù)交與輸送頻派率的乘積靠。單位：詢bit/崖s◆汽車擠微電子孩系統(tǒng)封宰裝，要求能借適應惡劫劣環(huán)境突；◆醫(yī)用及牙消費者電附子產(chǎn)品封粥裝，要求封裝住小型化。1.電沈的方面要愛求；2.機始械方面的營要求；3.膚環(huán)境方猴面的要辰求；4.舉可靠性某方面的童要求；5.成匠本核算方虛面的要求催；……1.4狐微電典子封裝慶設計應綜合如考慮的螞以下方訴面：元宵節(jié)快歉樂！謝謝觀看/歡迎下載BYF敞AITH滔IM勢EAN日