..WordWord資料一、簡答題：差.套準(zhǔn)精度是測(cè)量對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)把版圖套準(zhǔn)到硅片上圖形的能力。套準(zhǔn)容差描述要形成圖形層和前層的最大相對(duì)位移。一般，套準(zhǔn)容差大約是關(guān)鍵尺寸的三分之一。亞波長結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性。亞波長結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性：--光波通過亞波長結(jié)構(gòu)時(shí)，光的衍射消失，僅產(chǎn)生零級(jí)反射和透射，等效為薄膜，可用于抗反射元件和雙折射元件；--采用空間連續(xù)變化的亞波長結(jié)構(gòu)可獲得偏振面的衍射，形成新型偏振器件；--表面等離子波亞波長光學(xué)利用表面等離子體波共振（SPR）小孔增強(qiáng)，局域增強(qiáng)等集成電路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸縮小集成電路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸縮小倍，這就是摩爾定律單晶、多晶和非晶的特點(diǎn)各是什么？單晶：幾乎所有的原子都占據(jù)著安排良好的規(guī)則的位置，即晶格位置；——有源器件的襯底非晶：如SiO2,原子不具有長程有序，其中的化學(xué)鍵，鍵長和方向在一定的范圍內(nèi)變化；多晶：是彼此間隨機(jī)取向的小單晶的聚集體，在工藝過程中，小單化。半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)；當(dāng)受外界光和熱作用時(shí)，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能明顯變化 ; 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜可以使半體的導(dǎo)電能力發(fā)生數(shù)量級(jí)的變化。波？對(duì)于光滑的金屬表面，因?yàn)楸砻娴入x子體波的波矢大于光波的波矢，所以不能激發(fā)表面等離子體波。磁控濺射鍍膜工藝中，加磁場(chǎng)的主要目的是什么？高與氣體分子碰撞和電離的幾率諧衍射光學(xué)元件的優(yōu)點(diǎn)是什么？高衍射效率、優(yōu)良的色散功能、減小微細(xì)加工的難度、獨(dú)特的光學(xué)功能K1isthesystemconstant工藝因子：0.6～0.8K1isthesystemconstant工藝因子：0.6～0.8NA=2ro/D,數(shù)值孔徑改進(jìn)分辨率的方法增加NA減小波長減小K1什么是等離子體去膠，去膠機(jī)的目的是什么？CO2、H2O目的是去除光刻后殘留的聚合物的？通過控制F/C的比例，形成聚合物，在側(cè)壁上生成抗腐蝕膜折衍混合光學(xué)的特點(diǎn)是什么？像質(zhì)量減小系統(tǒng)體積和質(zhì)量等諸多方面表現(xiàn)出傳統(tǒng)光學(xué)不可比擬的優(yōu)勢(shì)刻蝕工藝有哪兩種類型？簡單描述各類刻蝕工藝。干法刻蝕：在氣態(tài)等離子體中，通過發(fā)生物理或化學(xué)作用進(jìn)行刻蝕暴露得材料腐蝕掉設(shè)計(jì) d>=10λ 的微納光學(xué)器件；矢量衍射理論適用于設(shè)計(jì) d～λ的微納光學(xué)器件；等效介質(zhì)折射理論適用于設(shè)計(jì) d<=λ/10的微納光學(xué)器件。在紫外光刻中，正性光刻膠曝光后顯影時(shí)將被溶解 負(fù)性光刻膠曝光后顯影時(shí)將被保留下來.光刻中，g線波長是指_436_nm,i線是指_365_nm。干法刻蝕中的負(fù)載效應(yīng)是指_.連續(xù)面形浮雕結(jié)構(gòu)的制作方法有： 基于灰階掩膜的投影法和采用電子束或激光束的束能直寫法.產(chǎn)生的原因和解決辦法。下來在光刻膠曝光的過程中，透射光與反射光（在基底或者表面）、后烘和硬烘。為什么說表面等離子體光學(xué)可以突破衍射極限？等離子體中粒子的各種集體運(yùn)動(dòng)模式棱鏡耦合波導(dǎo)結(jié)構(gòu)衍射光柵結(jié)構(gòu)強(qiáng)聚焦光束近場(chǎng)激發(fā)垂直方向的傳播是倏逝場(chǎng)為什么鍍膜時(shí)鍍膜室內(nèi)要具有一定的真空度？反應(yīng)（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。反應(yīng)（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。何為反應(yīng)濺射鍍膜？對(duì)薄膜的成分和性質(zhì)進(jìn)行控制制備連續(xù)浮雕面型結(jié)構(gòu)有哪些方法？基于灰階掩膜的投影法采用電子束或激光束的束能直寫法同的顏色。簡述采用BOSCH工藝制作高深寬比結(jié)構(gòu)的技術(shù)原理。二、論述題：主要制作步驟。..WordWord資料上圖為八相位微透鏡陣列制作原理圖。光，之后再進(jìn)行顯影，反復(fù)多次就可以得到所需的透鏡陣列。論述折衍混合光學(xué)元件的消色差和消熱差原理。消色差原理：衍射光學(xué)元件具有負(fù)等效Abbe何謂光子晶體？介紹光子晶體特點(diǎn)和應(yīng)用。會(huì)現(xiàn)類似于半導(dǎo)體禁帶的“光子禁帶bandgap)，通過設(shè)計(jì)可以人為調(diào)控經(jīng)典波的傳輸。特點(diǎn)嚴(yán)格禁止傳播的子會(huì)被局限在缺陷位置，而不能向空間傳播③光子晶體反射器件，偏振片，發(fā)光二極管，濾波器，光纖，非線性開關(guān)和放大器，激光器試述相移掩膜方法提高光刻分辨率的原理。示意圖：增加一層相移層能夠使相鄰掩膜移相180°從而實(shí)現(xiàn)相移掩膜。深硅干法刻蝕過程中形成高深寬比的方法。高密度等離子體。..WordWord資料試述數(shù)字微鏡器件（DMD）的結(jié)構(gòu)和工作原理。DMDSi22DMD每個(gè)像素都是一個(gè)可以繞軸轉(zhuǎn)動(dòng)的微鏡，微鏡位置不同，反射光的反射角就不同。微鏡的作用就相當(dāng)于一個(gè)光開關(guān)。試述微測(cè)輻射熱計(jì)器件采用熱隔離結(jié)構(gòu)的原因。機(jī)械支撐方面，支撐微輻射熱計(jì)器件的敏感探測(cè)元件。作為電子學(xué)通道，將熱成像電子信號(hào)傳遞并讀出。熱量傳導(dǎo)時(shí)，是熱量損失的重要通道。畫圖解釋剝離（Lift-off）工藝。..WordWord資料電子束蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)缺點(diǎn)。設(shè)計(jì)采用兩種不同工藝制備周期為500nm，占空比為50%的金屬一維光柵的工藝方法。論述微透鏡陣列光學(xué)掃描器的原理。論述微納結(jié)構(gòu)等效介質(zhì)模型的主要內(nèi)容。三、分析計(jì)算題：采用解析法設(shè)計(jì)一個(gè)主焦距長度為1mm,通光口徑為0.3mm的硅菲涅爾衍射微透鏡,采用4，硅的折射率為3.42,設(shè)成像空間折射率n=1。制作一個(gè)如下圖的開孔結(jié)構(gòu)，開孔口的寬度為<100>晶向的硅晶圓片，各向異性腐蝕方法制作。試決定硅晶圓片背面的窗口尺寸w.利用熱熔技術(shù)制作一個(gè)口徑為60微米,空氣中焦距為200微米的膠微透鏡，假設(shè)膠體材料的加熱后的體積收縮率為5%，而口徑?jīng)]有改變，膠體熱熔后材料折射率為試設(shè)計(jì)熱熔前膠體的尺寸（直徑和厚度。如下圖，將折射率為3.5的無損耗電介質(zhì)用作為法布里-珀羅干涉儀，（1）計(jì)算自由譜范圍（軸向橫間隔）和干涉儀