半導(dǎo)體量測備行業(yè)壘高，爭格局為集中半導(dǎo)體量測設(shè)備可分為檢（nspecon）和量（eoogy）兩大類別半導(dǎo)體過程控制設(shè)備包括檢測設(shè)備、量測設(shè)備和過程控制設(shè)備，廣義的半導(dǎo)體量測設(shè)備包括了nsecton和Meroogy兩大環(huán)節(jié)半導(dǎo)檢設(shè)備包括了異物缺陷氣泡缺陷和顆粒缺陷而半導(dǎo)體量測設(shè)備主要包括光刻套刻偏移量、薄膜膜厚三維形貌。檢測指在晶圓表面上或電路結(jié)構(gòu)中，檢測其是否出現(xiàn)異質(zhì)情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等對芯片工藝性能具有不良影響的特征性結(jié)構(gòu)缺陷；量測指對被觀測的晶圓電路上的結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關(guān)鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數(shù)的量測。圖：廣義上的半導(dǎo)體量測設(shè)備可分為sectn和Metry兩大類別

圖：過程控制設(shè)備中檢測設(shè)備占比55量測設(shè)備占比34%量測設(shè)檢測設(shè)量測設(shè)檢測設(shè)

過程控制設(shè)備分類及占比中科飛測招股書， 埃芯半導(dǎo)體，隨著半導(dǎo)體先進(jìn)制程的發(fā)展工藝環(huán)節(jié)不斷增加對工控制水平提出了更高的要。檢測和量測環(huán)節(jié)貫穿制造全過程，是保證芯片生產(chǎn)良品率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)28nm工藝節(jié)點的工藝步驟有數(shù)百道工序，由于采用多層套刻技術(shù)14nm及以下節(jié)點工藝步驟增加至近千道工序。圖：半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展對于工藝控制水平提出了更高的要求資料來源：搜狐網(wǎng)，整理因為半導(dǎo)體量測設(shè)備與工藝設(shè)備直接掛鉤，因摩爾定律在一定程度上拉動了半導(dǎo)體量測設(shè)備的技術(shù)迭代。摩爾定律當(dāng)價格不變時集成電路上可容納的元器件數(shù)目約每隔1-24個月便會增加一倍性能也將提升一倍，從而要求集成電路尺寸不斷變小摩爾定律使得集成電路線寬不斷縮，進(jìn)而對于半導(dǎo)體量測技術(shù)的要求不斷提，從而驅(qū)動了半導(dǎo)體量測設(shè)備不斷發(fā)。圖：摩爾定律促進(jìn)了半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，進(jìn)而驅(qū)動量測設(shè)備不斷迭代資料來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察，工藝節(jié)點每縮減一代工藝中產(chǎn)生的致命缺陷數(shù)量會增加0因此每一道工序的良品率都要保持在非常高的水平才能保證最終的良品率。假當(dāng)工序超過50道時，只有保證每一道工序的良品率都超過99.99，最終的良品率方可超過95當(dāng)單道工序的良品率下降至99.8時最終的總良品率會下降至約90此，制造過程中對工藝窗口的戰(zhàn)要求幾乎“零缺陷。圖：半導(dǎo)體量測設(shè)備發(fā)展與制程迭代直接掛鉤資料來源：埃芯半導(dǎo)體，全球半導(dǎo)體量測設(shè)備市場規(guī)保持較快增長6年GR為12.21根據(jù)LIesearch和QYeserch數(shù)據(jù)統(tǒng)計2016年至2020年全球半導(dǎo)體檢測與量測設(shè)備市場規(guī)模的年均復(fù)合增長率為12.21。圖：全球半導(dǎo)體檢測與量測設(shè)備市場規(guī)模6年年均復(fù)合增長率為121%000

06

市場規(guī)模（億元，左軸） （07 08 09 00 01 0

50%00%50%00%.0%.0%-.%VLSIesearc，QYesearch納米圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備、掩膜版缺陷檢測設(shè)備關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備銷售市場占比較高，分別占比為24.7、1.3和10.2。根據(jù)LIesearch的統(tǒng)計在半導(dǎo)體檢測設(shè)市中，納米圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備與掩膜版缺陷檢測設(shè)分別占比24.7和1.3而量測設(shè)市場中關(guān)鍵尺寸量測設(shè)和電子束關(guān)鍵尺寸量測設(shè)分別占比10.2和8.1。表：2020年半導(dǎo)體量測設(shè)備銷售額最大的是納米圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備、掩膜版缺陷檢測設(shè)備和關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備設(shè)備類型銷售額（億美元）占全球銷售額比例納米圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備189247%掩膜版缺陷檢測設(shè)備813%sectn無圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備797%電子束缺陷檢測設(shè)備457%電子束缺陷復(fù)查設(shè)備349%關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備7102%電子束關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備681%套刻精度量測設(shè)備573%圖形晶圓缺陷量測設(shè)備463%Metry晶圓介質(zhì)薄膜量測設(shè)備230%X光量測設(shè)備122%掩膜版關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備113%三維形貌量測設(shè)備009%晶圓金屬薄膜量測設(shè)備005%其他239%合計7651000%資料來源：半導(dǎo)體在線，圖：科磊半導(dǎo)體eS10?電子束圖案化晶圓缺陷檢測設(shè)備 圖：科磊半導(dǎo)體SectrSae?關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備thina， KA官網(wǎng)，12半導(dǎo)體量測設(shè)備市場集中度較高，由美國和日本等海外廠商所主導(dǎo)由于專利技術(shù)被美國和日本等海外廠商所壟斷半導(dǎo)體晶制造設(shè)備以美國和日本等廠商為。由于美國半導(dǎo)體設(shè)備廠商具備先發(fā)優(yōu)勢在專利技術(shù)等方面進(jìn)行技術(shù)封鎖日系半導(dǎo)體設(shè)備公例如E、大福等由于技術(shù)和服務(wù)等方面優(yōu)勢突通過自下而上的方式繞過了技術(shù)專利封逐步成長為第二梯隊領(lǐng)先公。圖：半導(dǎo)體晶圓設(shè)備市場目前被美國和日本等海外廠商主導(dǎo)ONTO官網(wǎng)，公司官網(wǎng)，整理集成電路工藝設(shè)備門檻較高市場集中度高而量測設(shè)備需要與不同的工藝設(shè)備配套對于線上良率提升來說更加明顯，行業(yè)集中度更高，A公司市占率超過了0。晶圓制造工設(shè)備集中度相對較，為65.5而半導(dǎo)體量測設(shè)備格局更加集科磊半導(dǎo)（L一家廠商市占率超過505為82.4。我們認(rèn)為主要是美系制造設(shè)備占比較高而LA在光學(xué)檢測和軟件建等方面具備較大的技術(shù)優(yōu)而另外一方面，測設(shè)備需要與不同的工藝設(shè)備配套，對于線上良率提升來重要更加明顯導(dǎo)致行業(yè)集中度更。圖：晶圓制造廠（）設(shè)備中5為55% 圖：半導(dǎo)體量測設(shè)備5為824，其中A占比51%AMT% 其

應(yīng)用材料

新星測儀器阿斯

康特科技 其他% 日立泰瑞達(dá)迪迪愛德

阿斯麥

麥 創(chuàng)新技% 雷泰光電% 日立

科磊半導(dǎo)體科磊半導(dǎo)萬測士 試體 東京電子%

拉姆研究

應(yīng)用材料VLSIesearch，QYesearch，中商產(chǎn)業(yè)研究院， VLSIesearch，QYesearch，中商產(chǎn)業(yè)研究院，半導(dǎo)體量測設(shè)備的no-how需要與半導(dǎo)體制造工藝相匹配國產(chǎn)量測設(shè)備的發(fā)展需要國產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備突破作為前提由國內(nèi)半導(dǎo)體制造設(shè)備國產(chǎn)化較低因此目前半導(dǎo)體量測設(shè)備行業(yè)發(fā)展仍然處于初步階段。我國本土晶圓廠設(shè)備中去膠設(shè)備國產(chǎn)化率最高能夠達(dá)到90以其他設(shè)備如清洗設(shè)備刻蝕設(shè)備、熱處理設(shè)備的國產(chǎn)化率均在20左右，D設(shè)備和P設(shè)備國產(chǎn)率僅有10左右國產(chǎn)量測設(shè)備的發(fā)展需要國產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備突破作為前，因此國半導(dǎo)體量測設(shè)備行業(yè)發(fā)展處于初步階。表：中國主要本土晶圓廠設(shè)備的國產(chǎn)化率相對較低設(shè)備名稱國產(chǎn)化率國內(nèi)主要廠家去膠設(shè)備90%以上北京屹唐半導(dǎo)體科技有限公司清洗設(shè)備20%左右盛美半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)刻蝕設(shè)備20%左右中微公司、北方華創(chuàng)、北京屹唐半導(dǎo)科技有限公司熱處理設(shè)備20%左右北方華創(chuàng)、北京屹唐半導(dǎo)體科技有限司PD設(shè)備10%左右北方華創(chuàng)CP設(shè)備10%左右天津華海清科機(jī)電科技有限公司盛美上海招股書，復(fù)盤半導(dǎo)量測設(shè)龍頭成之我們認(rèn)國內(nèi)量設(shè)有實自可控復(fù)盤科磊半導(dǎo)體成長之路，我們得到了哪些結(jié)論？科磊半導(dǎo)體成立于1976年，是過程控制領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者，同時也是一家為多個行業(yè)提供工藝支持解決方案的供應(yīng)商下游包括半導(dǎo)體印刷電路（和顯示器公司為硅集成電路封裝發(fā)光二極管、功率器件、化合物半導(dǎo)體器件、微電子機(jī)械系統(tǒng)、數(shù)據(jù)存儲、印刷電路板、平板和柔性面板顯示等領(lǐng)提供解決方案。圖：科磊半導(dǎo)體——多元化過程控制領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者A官網(wǎng)科磊公產(chǎn)品矩陣豐富覆蓋幾乎全部量測設(shè)備品類在晶圓形貌檢測無圖形缺陷檢測掩膜版檢測套刻誤差檢測等領(lǐng)域具有較強(qiáng)的競爭優(yōu)勢。表：科磊半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣豐富，覆蓋幾乎全部品類的量測設(shè)備功能分類 產(chǎn)品名稱產(chǎn)品類別簡介eSL10?e-Bem圖案晶圓檢測系統(tǒng)利用業(yè)界很高的有效著陸電壓與高分辨率捕獲小的物理缺陷和高縱橫比的缺陷，支持高級邏輯、DRAM和NND器件產(chǎn)品制程開發(fā)和生產(chǎn)過程的監(jiān)測。39x超分辨率寬光譜等提供晶圓級別的缺陷檢測、良率改進(jìn)以及對于≤7m設(shè)離子圖案晶圓缺陷計節(jié)點的邏輯及領(lǐng)先內(nèi)存的在線監(jiān)測。檢測系統(tǒng)檢測 29x寬光譜等離子圖案可在≤7m設(shè)計節(jié)點的邏輯和領(lǐng)先內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)影響良率晶圓缺陷檢測系統(tǒng)的關(guān)鍵缺陷。C205寬帶等離子圖案晶C205采用可調(diào)諧寬帶光學(xué)照射先進(jìn)的光學(xué)組件和低圓缺陷檢測系統(tǒng)噪傳感器，可以捕獲系統(tǒng)性缺陷并在研發(fā)過程中加速新工藝、設(shè)計節(jié)點和設(shè)備的表征和優(yōu)化。oager?激光掃描圖案晶圓能夠在先進(jìn)邏輯和內(nèi)存芯片制造的量產(chǎn)提升期間實現(xiàn)缺缺陷檢測系統(tǒng)陷監(jiān)控。8Series高產(chǎn)率多用途圖案8Seris為1mm、2mm或3mm的硅及非硅襯晶圓檢測系統(tǒng)底提供經(jīng)濟(jì)高效的缺陷監(jiān)控。Puma?激光掃描圖案晶缺陷檢測系統(tǒng)Puma?980激光掃描檢測系統(tǒng)增強(qiáng)了多項靈敏度和速度功能幫助1nm的先進(jìn)邏輯器件和先進(jìn)RM3DNND內(nèi)存器件的批量制造捕獲關(guān)鍵缺陷(D)。CRCL?全表面晶圓缺陷測、量測和檢視群系統(tǒng)最新一代的CRCL5系統(tǒng)模塊包括：晶圓正面缺陷檢測晶圓邊緣缺陷檢測輪廓量測和檢查;晶圓背面缺陷檢測和檢查;以及晶圓正面缺陷的光學(xué)檢查和分類。Surscan?無圖案晶圓缺陷檢使用DUV激光器和優(yōu)化的檢查模式，SurscanSP7P測系統(tǒng)為先進(jìn)技術(shù)節(jié)點研發(fā)和生產(chǎn)能力提供了最高的靈敏度，并支持大批量生產(chǎn)。Surscan?SPx無圖案晶圓缺陷檢SurscnSPAx系統(tǒng)采用深紫外（DU）激光和優(yōu)化的測系統(tǒng)檢測模式，能以其所需的靈敏度協(xié)助晶圓廠執(zhí)行缺陷減少策略。eDR7?電子束晶圓缺陷視和分類系統(tǒng)eDR380內(nèi)置多種電子光學(xué)元件和專用的鏡頭內(nèi)探測器對包括脆弱的EUV光刻層高寬比溝槽層和電壓比層等在內(nèi)的各個不同的制程步驟提供缺陷可視化支持。rcher?套刻量測系統(tǒng)rcher?750套刻量測系統(tǒng)提供對產(chǎn)品套刻誤差的準(zhǔn)確反饋，能實現(xiàn)快速的技術(shù)升級，穩(wěn)定生產(chǎn)先進(jìn)的存儲器和邏輯器件產(chǎn)品。L?基于L100?（精確可調(diào)諧激光器散射測量的套刻量系統(tǒng)可以為≤7nm設(shè)計節(jié)點的開發(fā)和批量制造提供套刻控制。ion?X射線關(guān)鍵尺寸可對先進(jìn)的3DNND和RM芯片中使用的高深寬(CD)和形狀量測比結(jié)構(gòu)進(jìn)行高分辨率快速準(zhǔn)確精確無損的3D形系統(tǒng)狀測量。SpecraShape?光學(xué)臨界尺CD和形狀量測系統(tǒng)用于全面表征和監(jiān)控inET的關(guān)鍵尺寸（CD）及其維形狀垂直堆疊的NND和DRM結(jié)構(gòu)以及前沿設(shè)計節(jié)點上集成電路的其他復(fù)雜功能。Specrailm?薄膜量測系統(tǒng)為各種薄膜層提供高精度薄膜測量從而在7m一下的量測邏輯和領(lǐng)先內(nèi)存設(shè)計節(jié)點上協(xié)助實現(xiàn)嚴(yán)格的工藝允許誤差。leris?為32m節(jié)點及以下節(jié)點提供可靠的精確的薄膜厚度、折射率、應(yīng)力以及成分測量。P?圖案化的晶圓幾形貌（PG）量測為高級3DNNDRM和邏輯器件產(chǎn)品制造商提供全面的晶圓平坦度和雙面納米級形貌數(shù)據(jù)。系統(tǒng)CPRES微尺寸方塊電阻探基于傳統(tǒng)的且已被證明的可靠的寬間距四探針技術(shù)，microRSP?測CPRES301microRS?提供了一個直接簡單的轉(zhuǎn)換：從通用的線下測試晶圓的阻值測量轉(zhuǎn)向線上的產(chǎn)品晶圓的方塊電阻特性描述。CPRESCPech?電磁性能量測CPRES301CPech?和CPRESCPech-300量測設(shè)備可以直接在RA、SRA、磁記錄頭和傳感器等器件的無圖形磁隧道結(jié)(J)堆疊結(jié)構(gòu)上測量至關(guān)重要的磁阻和隧道電阻(R和R)。herma-Probe?離子摻雜量測系統(tǒng)herma-Proe?60P離子注入/退火量測系統(tǒng)可對2nm/1nm設(shè)計節(jié)點進(jìn)行在線劑量監(jiān)測。icroSense?PKRM用于 RAM的300毫米可用的非接觸式磁性量測icroSense?PKRAM系統(tǒng)利用極性磁光克爾效應(yīng)(KE)表征多層晶圓的磁性，以用于開發(fā)和制造垂直R。統(tǒng)icroSense?Kerrapper縱向磁光克爾效系統(tǒng)Kerrapper產(chǎn)品系列利用縱向磁光克爾效應(yīng)(KE)表征用于數(shù)據(jù)存儲、RM和其他磁傳感器上的多層磁性薄膜沉積后的晶片的磁性特性。mniap?R-200薄層電阻量測系統(tǒng)mniap?R20電阻率測繪系統(tǒng)采用了成熟的工業(yè)電阻率測繪標(biāo)準(zhǔn)，可為45m及以下的測量提供準(zhǔn)確可靠的薄層電阻測量。CRCL?全表面晶圓缺陷檢CRCL?集群設(shè)備包含四個模塊可以檢測所有晶圓表測、量測和檢視集面并同步采集數(shù)據(jù)，從而實現(xiàn)高產(chǎn)量和高效率的工藝控群系統(tǒng)制。輪廓儀產(chǎn)品系列探針式與光學(xué)輪儀一系列探針式和光學(xué)輪廓儀支持半導(dǎo)體C功率器件LED光子技術(shù)ESCPV太陽能HDD和顯示器制造的表面量測測量。公司官，光學(xué)技術(shù)和軟件粘性構(gòu)筑較高的技術(shù)壁。由于-、膜厚量測和缺陷檢測系統(tǒng)均需要用到光學(xué)原，需要使用光學(xué)建模和仿，因此對于技術(shù)人員和研發(fā)人員的知識結(jié)構(gòu)和學(xué)習(xí)能力提出了非常高的要；另外一方面半導(dǎo)體量測結(jié)的一致性和穩(wěn)定性對于軟件的定制化能力以及I算法能力也提出了較高要?？评诎雽?dǎo)體通過收購和整合進(jìn)行市場擴(kuò)，我們分析A公司的成長之，一方面是公司深耕半導(dǎo)體量測領(lǐng)域，不斷挖掘客戶需，獲得產(chǎn)品kowhow來拓展產(chǎn)品的深度與廣；另外一方面公司通過不收購細(xì)分子領(lǐng)域“隱形冠軍來豐富公司的產(chǎn)品結(jié)。自198年起，科磊半導(dǎo)體通過一系列外延并購整合行業(yè)內(nèi)資源，提高市場占有。圖：A通過不斷并購來拓展半導(dǎo)體量測業(yè)務(wù)資料來源：美股百科，通過對A在半導(dǎo)體領(lǐng)域收購進(jìn)行復(fù)盤研主要得到以下結(jié)①A收購一般來說體量不是很，除了與enor強(qiáng)強(qiáng)合聯(lián)另外還有34億美元收購Obech來拓展面板B和MMS領(lǐng)域客之，其他收購對大多是細(xì)分領(lǐng)域“隱形冠軍，通過并購技術(shù)和客戶方面都得到了補足；②A在適當(dāng)時候收購競爭對手Oafer和enrray公司，成為當(dāng)唯一一家提供晶圓級量測設(shè)備的廠商。表：科磊半導(dǎo)體部分并購案例時間并購標(biāo)的核心技術(shù)業(yè)務(wù)收購價格（億美元）2004nspexncorporaed晶片檢查0435Blue29Corporaion化學(xué)金屬沉積Candelansrumes為數(shù)據(jù)存儲行業(yè)優(yōu)化的基激光的表面檢測系統(tǒng)2006DECorporaion晶圓量測和檢測系統(tǒng)32007naerechnologies,nc.擴(kuò)大計量解決方案的供應(yīng)范1SensrrayCorporaion 圍herma-ae,nc.JapanDE,LdDE產(chǎn)品在日本的經(jīng)銷商2008CSisionSsemsCorporaionNV擴(kuò)大公司在半導(dǎo)體封裝檢測489方面的產(chǎn)品組合并進(jìn)入太陽能電池檢測和發(fā)光二極管（LED）晶圓檢測市場2009isecSmicnducorSsms微電子檢測設(shè)備業(yè)務(wù)部門（“E業(yè)務(wù)部門”）掩模配準(zhǔn)測量工具基于掃電子顯微“SE”的掩模1414關(guān)鍵尺寸測量工具和宏觀缺陷檢測系統(tǒng)2010mbiosechnology世界上發(fā)展最快的表面輪廓-儀制造商2014Luminescentechnolgis發(fā)光器、全片反光刻-2018rboech產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于印刷電路板(PCB)平板液晶顯示器先34封裝、微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域A公告，受益于中國大陸以及臺灣地區(qū)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)，而國產(chǎn)量測設(shè)備尚大規(guī)模導(dǎo)入客，A在中國的收入占比提升至0以上中國收入快速增長支撐A公司業(yè)績保持較快增202年科磊半導(dǎo)體在中國地區(qū)的銷售額達(dá)到266億美元，同比長31.6，占222年總營業(yè)收的29。其他地區(qū)按照銷售額排名分別為中國臺灣、韓國、南美、日本、歐洲和以色列以及亞洲其他地區(qū)，營業(yè)收入分別為25.3億美元14.3億美元9.28億美元7.5億美元6.7億美元3.03億美元分別占總營業(yè)收入的2716108、7、3。表：近三年科磊半導(dǎo)體營業(yè)收入各地區(qū)占比（千美元）2022占比2021占比2020占比中國大陸266043829%183144626%149597726%中國臺灣252848227%169055825%159820127%韓國143049516%134347319%9184816%南美92804310%7659741%6513281%日本7247738%6393819%6607721%歐洲和以色列6366647%3964226%3220856%亞洲其他地區(qū)3029883%2514804%1662133%KLA年報，圖：A公司在中國大陸地區(qū)的收入快速增長 圖：A公司在臺灣地區(qū)收入也保持相對較快增長中國大陸收入億美元） 5000 01 02

0%5%0%5%0%5%0%5%0%

臺灣地區(qū)收入億美元） 5000 01 02

0%0%0%0%0%0%A年報， A年報，科磊半導(dǎo)體研發(fā)費用逐年增，02年科磊半導(dǎo)體研發(fā)費用為1.5億美元同比增長19.4，占總營業(yè)收入的122019-202年科磊半導(dǎo)體研發(fā)費用逐增分為7.1億美元8.4億美元9.8億美元、1.05億美元。2022年科磊半導(dǎo)體研發(fā)費用為.05億美元，同比增長1.04，占總營業(yè)收入的1。圖：科磊半導(dǎo)體研發(fā)費用保持較快增長，222年公司研發(fā)費用占收入的12%inD順應(yīng)天時地利人和，國產(chǎn)半導(dǎo)體量測設(shè)備迎發(fā)展良機(jī)天：半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)增長為量測設(shè)備發(fā)展提供快車道，國家政策頻出解決卡脖子問題全球半導(dǎo)體市場持續(xù)保持增隨著G物聯(lián)網(wǎng)人工智能等產(chǎn)業(yè)興起給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來新發(fā)機(jī)遇。根據(jù)TS統(tǒng)計數(shù)據(jù)，自205年以來，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模整保持增，202年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到5735億美元，較2021年增長3.2。圖：全球半導(dǎo)體市場保持持續(xù)增長SS得益于全球半導(dǎo)體行業(yè)需求增，全球半導(dǎo)體資本開支整呈現(xiàn)上升趨勢。據(jù)Csghts統(tǒng)計201年全球半導(dǎo)體資本開支為1855億美元，同比增長321。圖：全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開支不斷增大ICisights，半導(dǎo)體設(shè)備是整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重底層支撐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展不斷推動著半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模增長。半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上游為半導(dǎo)體材料和設(shè)備配套產(chǎn)業(yè)鏈，其半導(dǎo)體設(shè)備涉及技術(shù)領(lǐng)域廣且具有研發(fā)期長、投入大、技術(shù)突破困難等特點，性能直接影響下游客戶的產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率，因此在規(guī)模化量產(chǎn)前需經(jīng)過嚴(yán)格的測試以及客戶驗證，設(shè)備的驗證壁壘高。得益于全球半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)增長，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額保持明顯增長根據(jù)MI數(shù)，2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為106億美元，同比增長4.1。圖：2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額接近100億美元EMI政策暖風(fēng)頻吹，半導(dǎo)體集成電路迎來快速發(fā)展機(jī)。國家“十三五”規(guī)劃中多次提及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要性，強(qiáng)調(diào)要著力補齊核心技術(shù)短板，加快科技創(chuàng)新成果向現(xiàn)實生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化，攻克集成電路裝備等關(guān)鍵核心技；在“十四五”規(guī)劃進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)了發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)對強(qiáng)化國家戰(zhàn)略科技力量的意義。國家在頂層設(shè)計上推動半導(dǎo)體集成電路行業(yè)發(fā)，我們認(rèn)為半導(dǎo)體設(shè)，尤其是半導(dǎo)體量測設(shè)備的突圍與彎道超成解決卡脖子問題的關(guān)鍵之。表：國內(nèi)集成電路最新政策匯總時間頒布部門法規(guī)及政策名稱相關(guān)內(nèi)容201年1月工業(yè)和信息《關(guān)于加強(qiáng)產(chǎn)融合作推動工業(yè)綠做強(qiáng)做優(yōu)現(xiàn)有綠色產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金鼓勵國家集成電路產(chǎn)化部中國人色發(fā)展的指導(dǎo)意見（工信部聯(lián)財業(yè)投資基金國家制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級基金國家中小企業(yè)民銀行銀保2021159號）發(fā)展基金等國家級基金加大對工業(yè)綠色發(fā)展重點領(lǐng)域監(jiān)會證監(jiān)會的投資力度2021年5月國務(wù)院《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035培育先進(jìn)制造業(yè)集群推動集成電路航空航天船與海洋工程裝備機(jī)器人先進(jìn)軌道交通裝備先進(jìn)年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》力裝備工程機(jī)械高端數(shù)控機(jī)床醫(yī)藥及醫(yī)療設(shè)備等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展2020年8月國務(wù)院《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟從財稅投融資研究開支進(jìn)出口人才知識產(chǎn)權(quán)、件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策》市場應(yīng)用及國際合作等八個方面提出支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)的股利政策2016年5月發(fā)改委《關(guān)于印發(fā)國家規(guī)劃布局內(nèi)重點為貫徹落《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集軟件和集成電路設(shè)計領(lǐng)域的通知》成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知，明確重點集成電路(發(fā)改高技20161056號)設(shè)計領(lǐng)域范圍2015年5月國務(wù)院《中國制造2025》以“中國制造2025”戰(zhàn)略的實施帶動集成電路產(chǎn)業(yè)的跨越發(fā)展以集成電路產(chǎn)業(yè)核心能力的提升推“中國制造2025戰(zhàn)略目標(biāo)的實現(xiàn)并提出200年國內(nèi)芯片自給率要達(dá)到40%，2025年達(dá)到70%的發(fā)展目標(biāo)2014年6月國務(wù)院《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱以設(shè)計制造封裝測試以及裝備材料等環(huán)節(jié)作為集成要》電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點，提出從金融、稅收、推廣、人才、對外合作等方面對集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)行全方位支持2010年10月國務(wù)院《國務(wù)院關(guān)于加快培育和發(fā)展戰(zhàn)確定重點發(fā)展的戰(zhàn)略性新新產(chǎn)業(yè)包括新一代信息技術(shù)時時間 頒布部門 法規(guī)及政策名稱 相關(guān)內(nèi)容資料來源：

略性新興產(chǎn)業(yè)的決定》(國發(fā)201032號)

在內(nèi)的七大方向其中新一代信息技術(shù)領(lǐng)域重點包括集成電路產(chǎn)業(yè)、以及物聯(lián)網(wǎng)、三網(wǎng)融合等領(lǐng)域地：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移疊加產(chǎn)業(yè)基金扶持，為量測設(shè)備本土化落地提供沃土隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，中國大陸晶圓廠市場份額從205年的6.7，預(yù)計224年提升至19，其中2022年大陸晶圓自給率提升至5.61。圖：中國大陸晶圓廠產(chǎn)能占比持續(xù)提升，預(yù)計224年達(dá)19%

圖：2022年大陸晶圓自給率為256%.2.5.1.5

大陸晶圓廠市份額095

05

05

00

04ICInsights，歐洲半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會 InternationalBusinessStrategies，芯智訊，受益于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移的行業(yè)大趨勢中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市規(guī)?？焖僭?，201年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為199.35億，同比增長8.1。中大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模增速明顯，從2017年的554.18億元增長至2021年的1993.35億，中國半導(dǎo)體設(shè)備市已成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)銷市場。圖：中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模快速增長SEM，近年來一級市場對于半導(dǎo)體量測設(shè)備賽道的投融資活動非活躍國內(nèi)優(yōu)良的融資環(huán)境大大促進(jìn)半導(dǎo)體量測行業(yè)實現(xiàn)no-o從而更好解決卡脖子問。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基國資等產(chǎn)業(yè)基金持續(xù)加碼對于半導(dǎo)體量測設(shè)備行業(yè)的投資，資本與技術(shù)共振為量測設(shè)備本土化落地提供沃。表：產(chǎn)業(yè)資本積極加碼半導(dǎo)體量測設(shè)備投資，優(yōu)質(zhì)標(biāo)的積極涌現(xiàn)公司名公司名稱 公司產(chǎn)品與技術(shù) 投融資事件 投資方精測電子（海精測）精測電子（積微）賽騰股（pima）中科飛測中微公司（勵儀器）御微半導(dǎo)體昂坤視覺魅杰科技東方晶源埃芯半導(dǎo)體

主要產(chǎn)品有12寸獨立式光學(xué)線測量設(shè)（CD全自動電子束晶圓缺陷復(fù)查設(shè)備明場晶圓有圖形缺陷檢測設(shè)備域相關(guān)產(chǎn)品的研究開發(fā)以及生制造主要產(chǎn)品有硅片邊緣缺陷自動檢測設(shè)備晶圓片用背面檢測設(shè)備邊緣表背面復(fù)合檢測設(shè)備產(chǎn)品主要包括無圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備系列、圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備系列、三維形貌量測設(shè)備系列、薄膜膜厚量測設(shè)備系列等產(chǎn)品，已應(yīng)用于國內(nèi)28m及以制程的集成電路制造產(chǎn)線。集成電路生產(chǎn)前道工藝檢測領(lǐng)設(shè)備，CD設(shè)備御微半導(dǎo)體形成了掩模版檢測晶圓檢測、泛半導(dǎo)體檢測、晶測量四大領(lǐng)域六大類量檢測品。其推出的全國首臺集成電掩模缺陷檢測產(chǎn)品，關(guān)鍵性能經(jīng)達(dá)到國際領(lǐng)先水平公司致力于為化合物半導(dǎo)體、電子和集成電路產(chǎn)業(yè)提供光學(xué)量和光學(xué)檢測設(shè)備及解決方案主要產(chǎn)品有套刻精度量測億、圓缺陷自動檢測儀、光學(xué)關(guān)鍵寸量測儀、全場曝光機(jī)，主要用在第三代半導(dǎo)體、濾波器、基LED和CS先進(jìn)封裝領(lǐng)域計算光刻軟（PC納米級子束檢測裝備（EB、關(guān)鍵尺寸量測裝備（D-M）等三款核心產(chǎn)品，填補多項國內(nèi)市場空白公司產(chǎn)品涵蓋光學(xué)薄膜量測、學(xué)關(guān)鍵尺寸量測、X射線薄膜測X射線材料性能量測X射成分及表面污染量測等系列產(chǎn)及解決方案

2019年9月，上海精測、進(jìn)行第次增資，12月增資完成，注冊資本由1億增至65億大基金目前持73%；2022年精積微半導(dǎo)體完成了3億戰(zhàn)略融資投資方為上海半導(dǎo)體裝備材料基金海望資本張江浩珩同鑫力誠、上海精望、上海精測等賽騰通過增資及股權(quán)收購的方式合計4億rmb收購pma股權(quán)目持股7410%2020年9月，哈勃投資出資認(rèn)繳科飛測公司新增注冊資本32790元，哈勃投資持股比例為33%。2020年1月，上海睿勵完成增資注冊資本由12億增至約31億，基金出資額為37584萬元持股例為1212%203年公司完成B輪融資，預(yù)計資數(shù)億元招商致遠(yuǎn)資本旗下基金領(lǐng)投昌發(fā)及多家產(chǎn)業(yè)投資方跟投2023年卓?？萍?、國弘建元提升股比例2022年1月東方晶源正式完成新輪近10億元股權(quán)融資2022年1月7日，埃芯半導(dǎo)體獲近億人民幣的天使輪融資投資方英諾天使基金。

集成電路產(chǎn)業(yè)基金上海半導(dǎo)體裝備材基金上海半導(dǎo)體裝備材基金、海望資本賽騰股份芯動能基金深創(chuàng)投哈勃投資、國投創(chuàng)業(yè)等張江創(chuàng)投、集成電產(chǎn)業(yè)基金合肥高投合肥創(chuàng)投中科創(chuàng)星、上?？苿?chuàng)投集團(tuán)(上?？苿?chuàng))、紅杉資本中國中微公司金浦創(chuàng)投晶盛機(jī)電聯(lián)電、長江國弘、海科技興橙資本諾華資本亦莊創(chuàng)投、中地信基金、京國盛基金、數(shù)文基金、絲路華創(chuàng)、紅馬資本、五?？毓捎⒅Z創(chuàng)易、深創(chuàng)投公司名公司名稱 公司產(chǎn)品與技術(shù) 投融資事件 投資方中安半導(dǎo)體優(yōu)睿譜微崇半導(dǎo)體匠嶺半導(dǎo)體蓋澤半導(dǎo)體

開發(fā)半導(dǎo)體硅片平整度和三維形貌檢測設(shè)備從事開發(fā)20mm30mm硅片平整度和三維形貌檢測設(shè)備6&8寸外延層膜厚測量6&8硅基外延層膜厚測量、12寸元與外延膜厚測量自動設(shè)備公司的非線性光學(xué)晶圓缺陷檢系統(tǒng)可以提供晶圓級別的缺陷測、膜層質(zhì)量及界面態(tài)的綜合試分析、良率提升和先進(jìn)制程在線監(jiān)測主要產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體薄膜和光學(xué)線寬量測機(jī)臺、半導(dǎo)體icro-Bump三維檢測機(jī)臺和半導(dǎo)體宏觀缺陷檢測機(jī)臺等公司已突破4英寸6英8寸、12英寸晶圓前道量測技術(shù)覆蓋R膜厚量測技術(shù)、元素濃度量測技術(shù)EDRFX射線量測技術(shù)等，可應(yīng)用于硅、碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等材料晶圓的量檢需求

2022年完成A輪2億元融資，由中芯聚源、元禾璞華領(lǐng)投，江北科投紅杉資本以及老股東華登國際金茂資本參與跟投2022年公司完成數(shù)千萬元Pe-A輪融資本輪融資由弘卓資本領(lǐng)投珠資本南京信達(dá)誠惠以及合肥眾余等跟投公司宣布完成數(shù)千萬元e-+輪、e-++輪融資其中e-+輪融資由中芯聚源獨家戰(zhàn)略投資e-++輪融資由臨芯投資領(lǐng)投200年A輪融資數(shù)千萬，投資方為深圳高新投、正軒投資、鵬瑞集團(tuán)202年或中芯聚源和馮源資本融資，光旸科技aer宣布獲得數(shù)千萬元的e-A輪融資本輪融資由小苗程領(lǐng)投，蘇高新金控跟投

中芯聚源元禾璞華江北科投、紅杉資本和華登國際弘卓資本領(lǐng)投、銀資本、南京信達(dá)誠和合肥眾余中芯聚源、微崇半體深圳高新投、正軒資、鵬瑞集團(tuán)小苗朗程領(lǐng)投，蘇新金控資料來源：公司官網(wǎng)，6氪人和：越來越多專家和行業(yè)領(lǐng)軍人物回國擁抱半導(dǎo)體浪潮，工程師紅利有利于解決上游理化層面know-how越來越多專家人才回國擁抱半導(dǎo)體浪潮隨著更多半導(dǎo)體量測領(lǐng)域人才加入成為半導(dǎo)體量測設(shè)備國產(chǎn)化重要動力越來越多的工程師解決上游理化層面no-hw從幾家國內(nèi)半體檢測與量測設(shè)備的董監(jiān)高資料來看，許多掌握量測設(shè)備核心技術(shù)的高精尖人才創(chuàng)業(yè)或者加盟，這些將轉(zhuǎn)化為國產(chǎn)設(shè)備彎道超車強(qiáng)大動力之一。此外國內(nèi)的工程師紅利凸顯，越來越多的工程解決上游理化層面kno-ho。表：行業(yè)頂尖人物通過創(chuàng)業(yè)或者加盟的方式擁抱半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化浪潮姓名現(xiàn)任職務(wù)簡介陳魯中科飛測董畢業(yè)于中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)少年班物理學(xué)專業(yè)學(xué)士學(xué)位美國布朗大學(xué)物理學(xué)專業(yè)博士研究生學(xué)事長位。2003年1月至005年10月，任lhecles（現(xiàn)創(chuàng)新科技）系統(tǒng)科學(xué)家；2005年1月至200年2月，任科磊半導(dǎo)體資深科學(xué)家；010年3月至216年8任中科院微電子所研究員博士生導(dǎo)師2014年12月至207年5月任公司董事兼總經(jīng)理；2017年5月至222年0月，任公司董事長兼總經(jīng)理；222年0月至今，任公司董事長。俞宗強(qiáng)東方晶源董俞宗強(qiáng)于212年從SML離職并于014年1月在美國辦公園區(qū)成立了X一個月后他事長在北京的工業(yè)區(qū)創(chuàng)立了東方晶源。資料來源：鳳凰網(wǎng)，公司公告、整理國內(nèi)半導(dǎo)體測設(shè)備司有望現(xiàn)彎道車隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)快速發(fā)展質(zhì)量控制設(shè)備也向更小的工藝節(jié)點發(fā)展研發(fā)難度逐漸提高當(dāng)前國際巨頭普遍能夠覆蓋2nm以下制程，先進(jìn)產(chǎn)已經(jīng)應(yīng)用在7nm以下制程國內(nèi)公司產(chǎn)品雖然已能夠覆蓋2nm及以上制程但對于應(yīng)用于2nm以下制程的質(zhì)量控制設(shè)備仍在研發(fā)或驗證中與科磊半導(dǎo)體應(yīng)用材料、創(chuàng)新科技等國際巨尚存在較大差距。不同型號的國產(chǎn)量測設(shè)備已經(jīng)陸續(xù)開始驗證，隨著技術(shù)no-how得以解，我們預(yù)計未來量測設(shè)備的行業(yè)將迎來彎道超車的機(jī)遇隨著工藝不斷進(jìn)步，產(chǎn)品制程步驟越來越多，微觀結(jié)構(gòu)逐漸復(fù)雜，生產(chǎn)成本呈指數(shù)級提未來檢測和量測設(shè)備需在靈敏度、準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性、吞吐量等指標(biāo)上進(jìn)一步提升未來檢測和量測設(shè)備需在靈敏度、準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性、吞吐量等指標(biāo)上進(jìn)一步提升，保證每道工藝均落在容許的工藝窗口內(nèi)，保證整條生產(chǎn)線平穩(wěn)連續(xù)的運行上睿勵自主研發(fā)的12英光學(xué)測量設(shè)備F3000系列產(chǎn)品，正在14納米芯片生產(chǎn)線進(jìn)行驗上海精測推出的首款半導(dǎo)體電子束檢測設(shè)備正在進(jìn)行1nm驗證根據(jù)中科飛測招股書披露，中科飛測已有多臺設(shè)備在28nm產(chǎn)線通過驗收，另有對應(yīng)1nm產(chǎn)線的SR900型號設(shè)備正在研發(fā)中，對應(yīng)2nm以下產(chǎn)線的RGOLOOD-600型號設(shè)備正在產(chǎn)線進(jìn)行驗證，并已取得兩家客戶的訂單。受益于國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的快速發(fā)展和供應(yīng)鏈自主可控要求，參考A公司的成長之路，國內(nèi)量測設(shè)備國產(chǎn)化需要率先在特定領(lǐng)域突圍在細(xì)分市場建立客戶優(yōu)勢之后開啟橫向和縱向擴(kuò)張以中科飛測上海睿勵、上海精測為代表的的國產(chǎn)廠商開始發(fā)力，打破在質(zhì)量控制設(shè)備領(lǐng)域國際設(shè)備廠商對國內(nèi)市場的長期壟斷局面然而相較于海外龍企業(yè)，國內(nèi)企業(yè)對于檢測和量測設(shè)備的產(chǎn)品種類覆蓋并不廣泛，未來在產(chǎn)品范圍廣度上，仍有較大的發(fā)展空間。表：國內(nèi)檢測和量測設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)品覆蓋度對比主要產(chǎn)品科磊半導(dǎo)體中微公司精測電子中科飛測檢測設(shè)備掩膜版缺陷檢測設(shè)備√無圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備√√圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備√√√√納米圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備√電子束缺陷檢測設(shè)備√電子束缺陷復(fù)查設(shè)備√√量測設(shè)備光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備√√√套刻精度量測設(shè)備√晶圓介質(zhì)薄膜量測設(shè)備√√√√X光量測設(shè)備掩膜版關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備√電子束關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備三維形貌量測設(shè)備√√√晶圓金屬薄膜量測設(shè)備公司官網(wǎng)，中科飛測招股書，順應(yīng)天時地利人和我們認(rèn)為半導(dǎo)體量測設(shè)備行業(yè)將迎來向上景氣周期建議積極把握投資機(jī)遇國內(nèi)半導(dǎo)體量測設(shè)領(lǐng)軍企業(yè)精測電子、中科飛測、賽騰股份有望把握住行業(yè)發(fā)展機(jī)遇實現(xiàn)彎道超，成長進(jìn)入快車道。精測電子：國內(nèi)半導(dǎo)體檢測龍頭企業(yè)，產(chǎn)品類別覆蓋面廣武漢精測電子集團(tuán)股份有限公司創(chuàng)立于2006年4月，是一家致力于為半導(dǎo)體、顯示以及新能源測試等領(lǐng)域提供卓越產(chǎn)品和服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)2018年公司先后成立武漢精鴻、武漢精能、上海精測等子公司，正式切入新能源、半導(dǎo)體量測領(lǐng)域，形“平板顯半導(dǎo)體新能源”的業(yè)務(wù)布局。圖：精測電子發(fā)展歷程公司官網(wǎng)，精測電子在膜厚量測和OD領(lǐng)域具備較強(qiáng)市場競爭力，產(chǎn)品類別方面在國內(nèi)占據(jù)優(yōu)勢。公司主營產(chǎn)品包括平板顯示檢測半導(dǎo)體檢測和新能源檢測設(shè)備三大類其中半導(dǎo)體領(lǐng)域覆蓋前道/檢測和后道測試設(shè)備主要包括：覆蓋膜厚量測、光學(xué)關(guān)鍵尺寸檢測O、電子束缺陷復(fù)查和檢測設(shè)備、光學(xué)缺陷檢測設(shè)備、老化（urn-n）測試設(shè)備、晶圓探測設(shè)備PT）和終測設(shè)備FTT）等。圖：精測電子主要產(chǎn)品類別公司年報，半導(dǎo)體領(lǐng)域收入快增，202年精測電子在半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)營收183億元同比增長34.12。自2019年精測電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的營業(yè)收入實零的突破以半導(dǎo)體檢測業(yè)務(wù)的營業(yè)收入逐年上升所占總營業(yè)收入的比例也逐年上升2022年精測電在半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)營收1.3億元，同增長34.12，占總營業(yè)入的6.69。圖：公司半導(dǎo)體領(lǐng)域營業(yè)收入高速增長 圖：半導(dǎo)體領(lǐng)域營業(yè)收入占比顯著提升iin， iin，公司持續(xù)加大研發(fā)投入力度研發(fā)投入持續(xù)提升202年公司研投入約5.89億元占總營業(yè)收的21.58，同比增加29.70201-201公司研發(fā)投入分別為2.883.2和4.4億元公司持續(xù)加大研發(fā)投入力。圖：公司研發(fā)投入保持較快增長 圖：研發(fā)投入占總營業(yè)收入比例持續(xù)提升iin， iind，賽騰股份：并購龍企業(yè)pa，打造平臺型檢設(shè)備公司公司通過不斷并購橫向擴(kuò)張持續(xù)拓展應(yīng)用領(lǐng)域公司成于201年在201年成為北美大客戶合格供應(yīng)商后進(jìn)入快車道，并于2017年成功上市2019年公司收購日本企業(yè)Opta，進(jìn)入半導(dǎo)檢測設(shè)領(lǐng)。圖：賽騰股份發(fā)展歷程公司官網(wǎng)，公司營收穩(wěn)定增長盈水平快速增222年公司營業(yè)收為29.4億同比增長2.55217-022年公司營收整體增長迅速在利潤端公司利水平明顯有所改善2022年實現(xiàn)2.93億元歸母凈利潤同比增長63.54。圖：公司營業(yè)收入穩(wěn)健增長 圖：公司歸母凈利潤實現(xiàn)快速增長iin， iin，公司通過收購全球領(lǐng)先的晶圓檢測設(shè)備供應(yīng)商日本OMA涉足晶圓檢測裝備領(lǐng)域研發(fā)費用快速增，實現(xiàn)了在國內(nèi)高端成電路設(shè)備市場的進(jìn)一步突破。通過“全球技中國市”戰(zhàn)略，迅速打開國內(nèi)市場空間。公司還將繼續(xù)大力提升在高端半導(dǎo)體智能裝備、新能源智能裝備等領(lǐng)域的研發(fā)能力，擴(kuò)大公司產(chǎn)品的應(yīng)用規(guī)模完善產(chǎn)品結(jié)構(gòu)實現(xiàn)公司的多元化發(fā)公司堅持研發(fā)重視研發(fā)研發(fā)投入持續(xù)增202年公司研發(fā)費用為3億，同比增長20.89。圖：公司歷年研發(fā)投入情況 圖：公司歷年費用支出情況iin， iin，中科飛：深耕半導(dǎo)體量測設(shè)備，多類產(chǎn)品與國際競品性能相當(dāng)中科飛自2014年成立以來始終專注于檢測和量測兩大類集成電路專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品主要包括無圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備系列、圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備系列、三維形貌量測設(shè)備系列、薄膜膜厚量測設(shè)備系列等產(chǎn)品，已應(yīng)用于國內(nèi)28nm及以上制程的集電路制造產(chǎn)線。表：公司主要產(chǎn)品類別產(chǎn)品名稱 圖示 產(chǎn)品性能 應(yīng)用領(lǐng)域無圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備列

主要應(yīng)用于硅片的出廠品質(zhì)管控晶圓的入廠質(zhì)量控制半導(dǎo)體制程工藝和設(shè)備的污染監(jiān)控。該系列的設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)無圖形晶圓表面的缺陷計數(shù)，識別缺陷的類型和空間分布

集成電路前道制程圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備系列 主要應(yīng)用于晶圓表面亞微量級的二維、三維圖形缺檢測，能夠?qū)崿F(xiàn)在圖形電上的全類型缺陷檢測。擁多模式明暗照明系統(tǒng)、多放大倍率鏡頭，適應(yīng)不同測精度需求，能夠?qū)崿F(xiàn)高自動對焦，可適用于面型化較大翹曲晶圓三維形貌量測設(shè)備系列 主要應(yīng)用于晶圓上的納米三維形貌測量、雙多層薄厚度測量、關(guān)鍵尺寸和偏量測量，配合圖形晶圓智化特征識別和流程控制、圓傳片和數(shù)據(jù)通訊等自動平臺

集成電路前道制程和先進(jìn)裝集成電路前道制程和先進(jìn)裝產(chǎn)品名稱產(chǎn)品名稱圖示產(chǎn)品性能應(yīng)用領(lǐng)域薄膜膜厚量測設(shè)備系列 主要應(yīng)用于晶圓上納米級單多層膜的膜厚測量，采橢圓偏振技術(shù)和光譜反射術(shù)實現(xiàn)高精度薄膜膜厚、值的快速測量3D曲面玻璃量測設(shè)備系列 主要應(yīng)用于3D曲面玻璃構(gòu)件的輪廓、弧高、厚度尺寸測量，采用光譜共焦術(shù)，實現(xiàn)高精度、高速度非接觸式測量。搭載可配的全自動測量軟件工具和整的測試及結(jié)果分析界面

集成電路前道制程精密加工資料來源：中科飛測招股書，公司技術(shù)處于國內(nèi)領(lǐng)先地位，相應(yīng)產(chǎn)品可與國際主流企業(yè)形成競爭。公司C-600和-800設(shè)備可實的最小靈敏度分別為60nm和23n。其中SR-600在靈敏度為102nm時的吞吐量為100phR-800在靈敏度為26nm時的吞吐量為25ph公司設(shè)備靈敏度和吞吐量可以滿足不同客戶需求公司設(shè)備與國際競品整體性能相當(dāng)，已在中芯國際等廠商的產(chǎn)線上實導(dǎo)入。表：中科飛測與科磊半導(dǎo)體無圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備對比公司中科飛測科磊半導(dǎo)體設(shè)備型號SPRUCE-600SurscanSP1B工藝節(jié)點130nm或以上130nm或以上最小靈敏度60nm60nm吞吐量100wph（靈敏度102nm）未披露設(shè)備型號SPRUCE-800SurscanSP3工藝節(jié)點2nm或以上2nm或以上最小靈敏度23nm23nm吞吐量25wph（靈敏度26nm）未披露資料來源：中科飛測招股書，公司設(shè)備靈敏度和吞吐可以滿足不同客戶需求公司設(shè)備與國際競品整體性能相當(dāng)已在長電先進(jìn)華天科技等知名先進(jìn)封裝廠商的產(chǎn)線上實現(xiàn)應(yīng)用。表：中科飛測與創(chuàng)新科技圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備對比公司中科飛測創(chuàng)新科技設(shè)備型號BRCH-100Rudolph30最小靈敏度05μm05μm吞吐量80wph（靈敏度3μm）120wph（靈敏度10μm）缺陷復(fù)查模式支持三種彩色復(fù)查模式支持三種彩色復(fù)查模式資料來源：中科飛測招股書，公司量測設(shè)備與競爭