金剛線wafer相關(guān)技術(shù)與PERC簡介紙上談兵Benson.zhi2017/8For茂迪非技術(shù)部門內(nèi)部員工，最好對常規(guī)工藝有一定的了解篇幅有限，不會(huì)面面俱到技術(shù)更新較快，部分信息已經(jīng)過時(shí)或很快過時(shí)數(shù)據(jù)多來自網(wǎng)上，部分是實(shí)驗(yàn)資料，不得外傳：1、避免不必要的侵權(quán)；2、避免專業(yè)人士笑掉大牙1ppt課件金剛線Wafer

DW相關(guān)工藝

PERC工藝

引言

總結(jié)2ppt課件引言Diamondwire2014年？3ppt課件引言4ppt課件引言5ppt課件

DW相關(guān)工藝

PERC工藝

引言

總結(jié)金剛線Wafer6ppt課件金剛線wafer7ppt課件金剛線wafer砂漿切割與金剛線切割過程8ppt課件金剛線wafer兩種金剛線結(jié)構(gòu)：電鍍金剛線和樹脂金剛線9ppt課件金剛線wafer重點(diǎn)：成本下降幅度10ppt課件金剛線wafer砂漿切割與金剛線切割表面容貌11ppt課件金剛線wafer堿制絨單晶表面形貌與腐蝕時(shí)間的關(guān)系EFF提升0.1%左右12ppt課件金剛線wafer多晶酸制絨金剛線絨面與電性13ppt課件金剛線wafer多晶酸制絨拉力砂漿wafer金剛線wafer14ppt課件金剛線wafer金剛線切割多晶硅片市場份額15ppt課件金剛線wafer金剛線切割多晶硅片市場份額廠商JuneDec(2017endplan)monthlycapa（Mpcs)金剛線產(chǎn)出（Mpcs)占比%monthlycapa（Mpcs)金剛線產(chǎn)出（Mpcs)占比%GCL2607027%30020067%大海40820%6565100%旭陽581119%656092%榮德651523%704057%高佳6058%1005050%南玻27519%301033%環(huán)太50510%803746%晶櫻10660%3030100%Total57012522%74049266%16ppt課件金剛線Wafer

DW相關(guān)工藝

PERC工藝

引言

總結(jié)17ppt課件DW相關(guān)工藝多晶DW（diamondwafer）相關(guān)工藝（包含不限于）：EFFCTM成本添加劑預(yù)處理濕法黑硅干法黑硅SMD18ppt課件DW相關(guān)工藝添加劑：絨面取決于損傷層19ppt課件DW相關(guān)工藝添加劑：蝕刻速度控制中位數(shù)UocIscJscRsRshFFNCellIrev1Irev2BSL0.63608.96536.491.9647179.9318.560%0.040.05TEST0.63768.90136.231.8731880.1618.527%0.040.05動(dòng)起來慢下來節(jié)奏基本一致挖孔促進(jìn)劑黑絲抑制劑20ppt課件DW相關(guān)工藝預(yù)處理：時(shí)創(chuàng)SMD21ppt課件DW相關(guān)工藝SMD預(yù)處理：貴，增加一站，未知是否成熟22ppt課件DW相關(guān)工藝時(shí)創(chuàng)預(yù)處理：增加一站，破片率高，0.5%以上，甚至1%PC吸筆吸破HF上貨手放時(shí)破裂PC爐管內(nèi)破裂23ppt課件DW相關(guān)工藝濕法黑硅：24ppt課件DW相關(guān)工藝濕法黑硅：MAE/MACE：metal-assistedchemicaletching；MCCE：Metal-CatalyzedChemicalEtching通道25ppt課件DW相關(guān)工藝濕法黑硅：26ppt課件DW相關(guān)工藝濕法黑硅：27ppt課件DW相關(guān)工藝濕法黑硅：濕法制程調(diào)整(AgNO3)效率:+0.1%↑+0.4%↑外觀:均勻絨面明顯花片28ppt課件DW相關(guān)工藝濕法黑硅設(shè)備替代TX：槽式Total27槽(長度24m)29ppt課件DW相關(guān)工藝濕法黑硅設(shè)備替代TX：鏈?zhǔn)?0ppt課件DW相關(guān)工藝濕法黑硅之太湖條例：第二條本條例適用于本省行政區(qū)域內(nèi)太湖流域地表水體的污染防治。太湖流域包括太湖湖體，蘇州市、無錫市、常州市和丹陽市的全部行政區(qū)域，以及句容市、高淳縣、溧水縣行政區(qū)域內(nèi)對太湖水質(zhì)有影響的河流、湖泊、水庫、渠道等水體所在區(qū)域。第四十五條太湖流域一、二、三級保護(hù)區(qū)禁止下列行為：（一）新建、改建、擴(kuò)建化學(xué)制漿造紙、制革、釀造、染料、印染、電鍍以及其他排放含磷、氮等污染物的企業(yè)和項(xiàng)目；（二）銷售、使用含磷洗滌用品；（三）向水體排放或者傾倒油類、酸液、堿液、劇毒廢渣廢液、含放射性廢渣廢液、含病原體污水、工業(yè)廢渣以及其他廢棄物；（四）在水體清洗裝貯過油類或者有毒有害污染物的車輛、船舶和容器等；（五）使用農(nóng)藥等有毒物毒殺水生生物；（六）向水體直接排放人畜糞便、傾倒垃圾；（七）圍湖造地；（八）違法開山采石，或者進(jìn)行破壞林木、植被、水生生物的活動(dòng)；（九）法律、法規(guī)禁止的其他行為。31ppt課件DW相關(guān)工藝濕法黑硅其他：32ppt課件DW相關(guān)工藝干法黑硅：增加兩站1、DW原硅片2、酸制絨后4、后清洗3、RIE后33ppt課件DW相關(guān)工藝干法黑硅：增加兩站topviewsideview(viewedat30°tothenormal)SF6等離子含有F+，SF+，SF3+，SF5+等，加入O2后，等離子中含有O*。負(fù)壓下，SFx+

(x≤5)、F+注入Si中，生成SiF4揮發(fā)掉。加入O2，O*與Si反應(yīng)生成SiOx，由于Si–F鍵能(129.3kcal/mol)比Si–O(88.2kcal/mol)大，SiOx與SFx+(x≤5)、F+反應(yīng)生成SixOyFz。離子轟擊下，一些SixOyFz離開Si，隨后Si被SFx+(x≤5)和F+刻蝕。黑硅的多孔和針狀結(jié)構(gòu)在SFx+(x≤5)和F+離子刻蝕、SixOyFz鈍化以及離子轟擊的競爭下形成。34ppt課件DW相關(guān)工藝外觀對比：35ppt課件DW相關(guān)工藝組件對比：36ppt課件DW相關(guān)工藝工藝對比solution優(yōu)勢劣勢additive1、無需再投入設(shè)備

2、TX僅需要增加添加劑

3、不存在環(huán)評問題

4、較多公司已經(jīng)量產(chǎn)1、效率會(huì)低0.05~0.15%

2、部分客戶僅收自己Cell廠產(chǎn)品

3、GCL僅要18.4%以上，低效部分需要處理

4、偏亮有輕微晶花

5、后續(xù)產(chǎn)生使用添加劑的額外costSMD

pre-treatment1、外觀佳，與常規(guī)工藝相近

2、無環(huán)評問題

3、后續(xù)制程工藝與常規(guī)相同，生產(chǎn)較好銜接及控制

4、后續(xù)制程無額外耗材或添加劑使用1、需要投入新設(shè)備，95W歐元/臺(tái)

2、大陸沒有量產(chǎn)設(shè)備

3、無效率增益

4、增加runingcost時(shí)創(chuàng)Pre-treatment1、效率提高-0.05~+0.2%2、外觀介于additive與砂漿片3、應(yīng)不存在過高投入問題1、破片率高，待克服2、具體技術(shù)處于保密階段，需要持續(xù)跟進(jìn)購買黑硅wafer1、無需再投入設(shè)備

2、無環(huán)評問題

3、可提高效率0.1~0.4%

4、GCL（RCTtank-type設(shè)備&納鑫添加劑）已量產(chǎn)

5、輕微晶花，比NK直接法接近常規(guī)電池

6、后續(xù)制程無額外耗材或添加劑使用1、CTM稍大，組件未見明顯功率效益

2、wafer價(jià)格與砂漿片一致

3、GCL產(chǎn)能較?。?臺(tái)），大量采購需要提前預(yù)定

4、部分客戶僅收自己Cell廠產(chǎn)品

5、稍亮有輕微晶花

6、來料檢驗(yàn)未找到合適方法，批次間效率波動(dòng)稍大tank-type1、部分公司已經(jīng)量產(chǎn)

2、可提高效率0.1~0.5%

3、輕微晶花，比NK直接法接近常規(guī)電池

1、需要投入新設(shè)備￥420W/臺(tái)，投入高

2、運(yùn)行成本較高：能耗、用水量

3、需考慮銀離子、氨氮排放等相關(guān)環(huán)保問題(需增加額外處理費(fèi)用)

4、換酸周期、批次差異還有進(jìn)步空間

5、相比常規(guī)電池，CTM稍大

6、設(shè)備產(chǎn)能尚未完全達(dá)到設(shè)計(jì)要求

7、因使用不同現(xiàn)況制程之添加劑，runningcost增加

8、部分客戶僅收自己cell廠產(chǎn)品

9、技術(shù)路線多（Jet、納鑫、時(shí)創(chuàng)、普揚(yáng)科技等）RCT

roller-type1、能耗低、水用量、化學(xué)品用量少：CoO低

2、無雙氧水、氨水，只要一種添加劑AgNO3

3、提高效率0.1~0.2%，效率還不太穩(wěn)定

4、據(jù)說晶花比槽式花一點(diǎn)點(diǎn)1、需要投入新設(shè)備￥450W

2、現(xiàn)有TX設(shè)備改造方案（聚晶）依然不熟

3、用到AgNO3，有銀離子、普氮相關(guān)環(huán)保問題(需增加額外處理費(fèi)用)

4、組件增益不明顯（少量組件）

5、RCT在中節(jié)能剛開始放量測試

6、因使用不同現(xiàn)況制程之添加劑，runningcost增加RIE1、提高效率0.4~0.55%

2、設(shè)備成熟

3、有外框defect問題1、需要投入新設(shè)備，費(fèi)用較高（￥1500W/100MW）

2、CTMloss較高

3、外觀整體較黑、部分客戶僅收自己cell廠產(chǎn)品

4、增加runingcost37ppt課件DW相關(guān)工藝多晶電池制絨方法份額預(yù)測38ppt課件DW相關(guān)工藝多晶電池制絨方法砂漿片金剛線additive@金剛線MACE@金剛線RIE@金剛線39ppt課件金剛線Wafer

DW相關(guān)工藝

PERC工藝

引言

總結(jié)40ppt課件PERC工藝PassivatedEmitterandRearCell：發(fā)射極及背鈍化的太陽能電池41ppt課件PERC工藝內(nèi)量子效率:當(dāng)光子入射到光敏器材（如CCD等）的表面時(shí)，被吸收的那部分光子會(huì)激發(fā)光敏材料會(huì)產(chǎn)生電子空穴對，形成電流，此時(shí)收集到的電子與被吸收的光子之比，就是內(nèi)量子效率(internalquantumefficiency)。42ppt課件PERC工藝TXDFHFAl2O3PCPCCLaserPT背鋁43ppt課件PERC工藝AL2O3設(shè)備分類：板式：12*3.6*2.5管式：2.8*3.1*2.144ppt課件PERC工藝AL2O3工藝分類：PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)--等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法ALD

(Atomiclayerdeposition)--原子層沉積PECVDALD45ppt課件PERC工藝AL2O3ALD工藝分類：空間ALD時(shí)間ALD開車兜風(fēng)海邊吹風(fēng)46ppt課件PERC工藝PCCPCC與PC相同，均鍍氮化硅膜，因?qū)﹀兡べ|(zhì)量要求不高，一般鍍膜速度較快，國產(chǎn)的設(shè)備也比較劃算47ppt課件PERC工藝Al2O3+PCC梅耶博格：Al2O3+PCC一體機(jī)TXDFHFAl2O3PCPCCLaserPTTXDFHFAl2O3PCCPCLaserPT48ppt課件PERC工藝Al2O3+PCCCentrotherm：Al2O3+PCC一體機(jī)TXDFHFAl2O3PCPCCLaserPTTXDFHFAl2O3PCCPCLaserPT49ppt課件PERC工藝Laser50ppt課件PERC工藝Laser51ppt課件PERC工藝PERC相關(guān)的其他技術(shù)：拋光（HF）52ppt課件PERC工藝PERC相關(guān)的其他技術(shù)：LID之單晶高活性低活性氫（b）（a）硼原子較小53ppt課件PERC工藝PERC相關(guān)的其他技術(shù)：LID之多晶Arrhenius動(dòng)力學(xué)形式

快衰減過程：激活能0.49eVBO復(fù)合體形成過程慢衰減過程：激活能0.60eV未知過程H-和H0的來源：富氫SiNx層Al2O3背鈍化層空間電荷區(qū)的阻礙H-和H0的消耗：轉(zhuǎn)變成H＋H++H-＝H20鋁背層俘獲54ppt課件PERC工藝PERC相關(guān)的其他技術(shù)：CTHEberger55ppt課件PERC工藝PERC相關(guān)的其他技術(shù)：CT