表面形貌襯度原理及其應(yīng)用選自第十二章：掃描電子顯微鏡第4節(jié):表面形貌襯度原理及其應(yīng)用表面形貌襯度原理及其應(yīng)用選自第十二章：掃描電子顯微鏡1表面形貌襯度原理及其應(yīng)用表面形貌襯度的形成是由于某些信號(hào)的強(qiáng)度是試樣表面傾角的函數(shù)，而試樣表面微區(qū)形貌差別實(shí)際上就是各微區(qū)表面相對(duì)于入射電子束的傾角不同，因此電子束在試樣上掃描時(shí)任何兩點(diǎn)的形貌差別，表現(xiàn)為信號(hào)強(qiáng)度的差別，從而在圖像中形成顯示形貌的襯度。由于二次電子信號(hào)主要來自樣品表層5-l0nm深度范圍，它的強(qiáng)度與原子序數(shù)沒有明確的關(guān)系，而僅對(duì)微區(qū)表面相對(duì)于入射電子束的位向十分敏感，且二次電子像分辨率比較高，所以特別適用于顯示形貌襯度。表面形貌襯度原理及其應(yīng)用表面形貌襯度的形成是由于某些信號(hào)的強(qiáng)2a)θ=0°L=5~10nmθ=45°b)θ=60°2Lc)入射電子束與試樣表面法線間夾角愈大，二次電子產(chǎn)額愈大。

二次電子成像原理Aa)θ=0°L=5~10nmθ=45°b)θ=603二次電子形貌襯度樣品上B處傾斜度最小，A次之，C處傾斜度最大；所以C處二次電子產(chǎn)額最大，亮度最大，B處亮度最小。凸出的尖棱、小粒子以及比較陡的斜面處二次電子產(chǎn)額較多，這些部位亮度較大；平面上二次電子產(chǎn)額較少；深的凹槽底部雖然也能產(chǎn)生較多的二次電子，但這些二次電子不易被檢測(cè)器收集到，因此槽底的襯度也會(huì)顯得較暗。ABCA樣品二次電子產(chǎn)額圖像襯度二次電子形貌襯度示意圖二次電子形貌襯度樣品上B處傾斜度最小，A次之，C處傾斜度最大4探測(cè)效果在檢測(cè)器收集柵極加以一定大小的正電壓（一般為250~500V）來吸引能量較低的二次電子，使他們以弧形路線進(jìn)入檢測(cè)器。在樣品表面某些背向檢測(cè)器或凹坑等部位上逸出的二次電子也能對(duì)成像有所貢獻(xiàn)，圖像層次（景深）增加，細(xì)節(jié)清楚。探測(cè)效果在檢測(cè)器收集柵極加以一定大小的正電壓（一般為250~5表面形貌襯度的應(yīng)用

由于具有分辨率比較高且不易形成陰影等諸多優(yōu)點(diǎn)，二次電子成像（表面形貌襯度）成為掃描電鏡應(yīng)用最廣的一種成像方式，尤其在失效工件的斷口檢測(cè)、磨損表面觀察以及各種材料形貌特征觀察方面，已成為目前最方便、最有效的手段。二次電子形貌襯度的的最大用途是觀察斷口形貌，也可用作拋光腐蝕后的金相表面及燒結(jié)樣品的自然表面分析，并可用于斷裂過程的動(dòng)態(tài)原位觀察。表面形貌襯度的應(yīng)用由于具有分辨率比較高且不易形成陰影等諸多61.材料表面形態(tài)（組織）觀察1.材料表面形態(tài)（組織）觀察7單斜BZT材料中摻入玻璃包覆的TiO2TiO2金紅石棒狀晶粒異常的BZT立方晶粒單斜BZT材料中摻入玻璃包覆的TiO2TiO2金紅石棒狀晶粒8單斜BZT材料中摻入玻璃包覆的TiO2單斜BZT材料中摻入玻璃包覆的TiO292．?dāng)嗫谛蚊灿^察碳纖維增強(qiáng)陶瓷復(fù)合材料斷口解理斷口沿晶斷口解理斷口2．?dāng)嗫谛蚊灿^察碳纖維增強(qiáng)陶瓷復(fù)合材料斷口解理斷口沿晶斷口解102．?dāng)嗫谛蚊灿^察解理斷口沿晶斷口韌窩斷口2．?dāng)嗫谛蚊灿^察解理斷口沿晶斷口韌窩斷口113．磨損表面形貌觀察3．磨損表面形貌觀察124．納米結(jié)構(gòu)材料形態(tài)觀察4．納米結(jié)構(gòu)材料形態(tài)觀察135．生物樣品的形貌