#/204.1.1.2DutyCycle,fT：f=46.8KHzT丿ton=10.15us90V/47Hz1T=21.35usf=46.8KHzT丿ton=3.25us264V/60Hz\t=21.35usIDutyCycle=47.5%IDutyCycle=15.2%Vin(min)=100V(90V/47Hzfullload)Stress(264V/63Hzfullload):Q1MOSFET:D4:4.1.1.5輔助電源（開機，滿載）、短路Pinmax.:開機=0.18A(8.4V)90V/47Hz*滿載=11.26V(4A)i短路=1.2W(max.)開機=0.13A(8.4V)264V/63Hz滿載=11.26V(4A)l短路=8.8W(max.)4.1.1.6Static(fullload)Pin(w)Iin(A)Iout(A)Vout(V)P.F.Ripple(mV)Pout(w)eff90V/47Hz18.70.3643.300.573213.2270.7115V/60Hz18.60..3143.300.522813.2271.1132V/60Hz18.60.2843.300.502913.2271.1180V/60Hz18.70.2143.300.493013.2370.7230V/60Hz18.90.1843.300.462913.2269.9264V/60Hz19.20.1643.300.452913.2368.9廠90V/47Hz=OK115V/60Hz=OK132V/60Hz=OK4.1.1.7FullRange負載4.1.1.7FullRange負載(0.3A-4A)230V/60Hz=OK1-264V/63Hz=OK（驗證是否有振蕩現象）4.1.1.8回授失效(輸出輕載)90V/47Hz□Vout=8.3V264V/63Hz口Vout=6.03VO.C.P.(過電流保護)90V/47Hz=7.2A264V/63Hz=8.4APin(max.)90V/47Hz=24.9W264V/63Hz=27.1WDynamictestH=4A,t1=25ms,slewRate=0.8A/ms(Rise)L=0.3A,t2=25ms,slewRate=0.8A/ms(Full)90V/47Hz264V/63HzHI-POTtest:HI-POTtest一般可分為兩種等級:輸入為3Pin（有FG者）,HI-POTtest為1500Vac/lminute。Y-CAP使用Y2-CAP輸入為2Pin（無FG者）,HI-POTtest為3000Vac/1minute。Y-CAP使用Y1-CAPDA-14B33屬于輸入3PINHI-POTtest為1500Vac/1minute。Groundingtest:輸入為3Pin（有FG者），一般均要測接地阻（Groundingtest），安規(guī)規(guī)定FG到輸出線材（輸出端）的接地電阻不能超過100mQ（25A/3Second）。4.1.1.14溫升記錄設計實驗定案后（暫定），需針對整體溫升及EMI做評估，若溫升或EMI無法符合規(guī)格，則需重新實驗。溫升記錄請參考附件，D5原來使用BYV118（10A/40VSchottky），因溫升較高改為PBYR1540CTX（15A/40V）。4.1.1.15EMI測試:EMI測試分為二類:Conduction（傳導干擾）Radiation（幅射干擾）前者視規(guī)范不同而有差異（FCC:450K-30MHz，CISPR22:150K-30MHz），前者可利用廠內的頻譜分析儀驗證；后者（范圍由30M-300MHz,則因廠內無設備必須到實驗室驗證,Conduction，Radiation測試數據請參考附件）。4.1.1.16機構尺寸:設計階段即應對機構尺寸驗證，驗證的項目包括：PCB尺寸、零件限高、零件禁置區(qū)、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸???.，若設計階段無法驗證，則必須在樣品階段驗證。樣品驗證：樣品制作完成后，除溫升記錄、EMI測試外（是否需重新驗證，視情況而定），每一臺樣品都應經過驗證（包括電氣及機構尺