ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T42905—2023

碳化硅外延層厚度的測(cè)試紅外反射法

Testmethodforthicknessofsiliconcarbideepitaxiallayer—

Infraredreflectancemethod

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T42905—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司安徽芯樂半導(dǎo)體有限公司河北普興電子科技股

:、、

份有限公司廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司南京國(guó)盛電子有限公司浙江芯科半導(dǎo)體有限公司布魯克

、、、、

北京科技有限公司中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司

()、、。

本文件主要起草人鈕應(yīng)喜劉敏袁松趙麗霞丁雄杰吳會(huì)旺仇光寅李素青李京波張會(huì)娟

:、、、、、、、、、、

趙躍彭鐵坤雷浩東閆果果

、、、。

Ⅰ

GB/T42905—2023

碳化硅外延層厚度的測(cè)試紅外反射法

1范圍

本文件描述了采用紅外反射法測(cè)試碳化硅外延層厚度的方法

。

本文件適用于型摻雜濃度大于18-3的碳化硅襯底上同質(zhì)摻雜濃度小于16-3的

n1×10cm1×10cm

同質(zhì)碳化硅外延層厚度的測(cè)試測(cè)試范圍為

,3μm~200μm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

測(cè)量方法與結(jié)果的準(zhǔn)確度正確度與精密度第部分確定標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量方法重復(fù)

GB/T6379.2()2:

性與再現(xiàn)性的基本方法

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

碳化硅襯底與外延層光學(xué)常數(shù)的差異導(dǎo)致試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)連續(xù)極大極小特征譜的光學(xué)干涉

現(xiàn)象根據(jù)反射譜中干涉條紋的極值波數(shù)外延層與襯底光學(xué)常數(shù)和紅外光束在試樣上的入射角計(jì)算

,、,

出相應(yīng)的