湖南省懷化市錦濱一貫制中學(xué)高二物理聯(lián)考試題含解析一、選擇題：本題共5小題，每小題3分，共計(jì)15分．每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意1.(多選)（2014秋?柯城區(qū)校級(jí)期中）如圖所示，兩個(gè)橫截面分別為圓和正方形，但磁感應(yīng)強(qiáng)度均相同的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，圓的直徑D等于正方形的邊長(zhǎng)，兩個(gè)電子以相同的速度分別飛入兩個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域，速度方向均與磁場(chǎng)方向垂直．進(jìn)入圓形區(qū)域的電子速度方向?qū)?zhǔn)了圓心，進(jìn)入正方形區(qū)域的電子是沿一邊的中心且垂直于邊界線(xiàn)進(jìn)入的，則（） A． 兩個(gè)電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑一定相同 B． 兩電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間有可能相同 C． 進(jìn)入圓形區(qū)域的電子一定先飛離磁場(chǎng) D． 進(jìn)入圓形區(qū)域的電子一定不會(huì)后飛離磁場(chǎng)參考答案：ABD解：A、電子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，洛倫茲力提供向心力：qvB=m，整理得R=，兩過(guò)程電子速度v相同，所以半徑相同，故A正確．B、C、D、粒子在磁場(chǎng)中的可能運(yùn)動(dòng)情況如圖所示：電子從O點(diǎn)水平進(jìn)入，由于它們進(jìn)入圓形磁場(chǎng)和矩形磁場(chǎng)的軌道半徑、速度是相同的，我們把圓形磁場(chǎng)和矩形磁場(chǎng)的邊界放到同一位置如圖所示，由圖可以看出進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域的電子的軌跡1，先出圓形磁場(chǎng)，再出矩形磁場(chǎng)；進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域的電子的軌跡2，同時(shí)從圓形與矩形邊界處磁場(chǎng)；進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域的電子的軌跡3，先出圓形磁場(chǎng)，再出矩形磁場(chǎng)；所以電子不會(huì)先出矩形的磁場(chǎng)；故B正確，C錯(cuò)誤，D正確．故選：ABD．2.（單選）如圖所示，一簇電場(chǎng)線(xiàn)的分布關(guān)于y軸對(duì)稱(chēng)，O是坐標(biāo)原點(diǎn)，M、N、P、Q是以O(shè)為圓心的一個(gè)圓周上的四個(gè)點(diǎn)，其中M、N在y軸上，Q點(diǎn)在x軸上，則下列說(shuō)法正確的是（）A．M點(diǎn)的電勢(shì)比P點(diǎn)的電勢(shì)高B．OM間的電勢(shì)差小于NO間的電勢(shì)差C．一正電荷在O點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能小于在Q點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能D．將一負(fù)電荷由M點(diǎn)移到P點(diǎn)，電場(chǎng)力不做功參考答案：解：A、根據(jù)電場(chǎng)線(xiàn)與等勢(shì)線(xiàn)垂直特點(diǎn)，在M點(diǎn)所在電場(chǎng)線(xiàn)上找到p點(diǎn)的等勢(shì)點(diǎn)，根據(jù)沿電場(chǎng)線(xiàn)電勢(shì)降低可知，P點(diǎn)的電勢(shì)比M點(diǎn)的電勢(shì)高，故A錯(cuò)誤；B、根據(jù)電場(chǎng)分布可知，OM間的平均電場(chǎng)強(qiáng)度比NO之間的平均電場(chǎng)強(qiáng)度小，故由公式U=Ed可知，OM間的電勢(shì)差小于NO間的電勢(shì)差，故B正確；C、O點(diǎn)電勢(shì)高于Q點(diǎn)，根據(jù)Ep=φq可知，正電荷在O點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能大于在Q點(diǎn)時(shí)的電勢(shì)能，故C錯(cuò)誤；D、M點(diǎn)的電勢(shì)比P點(diǎn)的電勢(shì)低，負(fù)電荷從低電勢(shì)移動(dòng)到高電勢(shì)電場(chǎng)力做正功，故D錯(cuò)誤．故選：B．3.如圖所示，兩根平行的光滑長(zhǎng)直金屬導(dǎo)軌，其電阻不計(jì)，導(dǎo)體棒ab、cd跨在導(dǎo)軌上，ab的電阻R大于cd的電阻r，當(dāng)cd在大小為F1的外力作用下勻速向右滑動(dòng)時(shí)，ab在大小為F2的外力作用下保持靜止，那么以下說(shuō)法中正確的是()A.Uab>Ucd，F(xiàn)1>F2B.Uab＝Ucd，F(xiàn)1<F2C.Uab＝Ucd，F(xiàn)1＝F2D.Uab>Ucd，F(xiàn)1＝F2參考答案：C【詳解】cd在外力F1作用下向右勻速運(yùn)動(dòng)，則外力F1與安培力二力平衡，大小相等；ab在外力F2作用下保持靜止，外力F2與所受的安培力二平衡，大小相等.由安培力公式F=BIL，可知兩棒所受的安培力大小相等，則F1=F2.cd棒切割磁感線(xiàn)相當(dāng)于電源，而ab相當(dāng)于外電路，導(dǎo)軌電阻不計(jì)，ab兩端與cd兩端的電壓都是路端電壓，大小相等，故有Uab=Ucd.故C正確，A、B、D錯(cuò)誤.故選C.4.(單選)火星的質(zhì)量和半徑分別為地球的和地球表面重力加速度為g，火星表面重力加速度約為（

）

A、0.2g

B、0.4g

C、2.5g

D、5g參考答案：B5.在如圖所示電路中，R1、R2、R3三個(gè)電阻消耗的電功率都相等。由此可知(

)A．電阻R1=R2=4R3

B．電阻R1+R2=R3C．電流I1=I2=2I3

D．電流I1+I2=I3參考答案：AD二、填空題：本題共8小題，每小題2分，共計(jì)16分6.如圖所示，理想變壓器的原．副線(xiàn)圈匝數(shù)之比為n1∶n2=4∶1，原線(xiàn)圈回路中的電阻A與副線(xiàn)圈回路中的負(fù)載電阻B的阻值相等。a、b端加一交流電壓后，兩電阻消耗的電功率之比PA∶PB=________；兩電阻兩端的電壓之比UA∶UB=_________。

參考答案：（1）2000v（2）99.5%（3）199：227.已知水分子直徑為4×10-10m，由此估算阿伏伽德羅常數(shù)為_(kāi)_________。參考答案：8.如圖所示在豎直平面xOy內(nèi)存在著豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)，帶電小球以初速度v0，從O點(diǎn)沿Ox軸水平射入，恰好通過(guò)平面中的A點(diǎn)，OA連線(xiàn)與Ox軸夾角為60°，已知小球的質(zhì)量為m，則帶電小球通過(guò)A點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能為

。參考答案：水平方向

豎直方向由題意聯(lián)立求解得全程由動(dòng)能定理得得9.有一充電的平行板電容器，兩板間電壓為3V?，F(xiàn)使它的電荷量減少3×10—4C，于是電容器兩板間的電壓降為原來(lái)的。則電容器的電容為

μF。參考答案：150μF10.（4分）一列波在介質(zhì)I中1s可傳播lOm，相應(yīng)于波源質(zhì)點(diǎn)剛好振動(dòng)100次，若此波進(jìn)入介質(zhì)Ⅱ，波速變?yōu)?．5m／s，那么它在介質(zhì)Ⅱ中的頻率為_(kāi)____。這列波在介質(zhì)I和介質(zhì)II的波長(zhǎng)之比為_(kāi)______________。參考答案：100Hz，4：311.（6分物體做勻減速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)，其加速度的方向與速度方向

；物體做平拋運(yùn)動(dòng)時(shí)，其加速度的大小為

m/s2，方向

。參考答案：相反，9.8，豎直向下12.在磁感強(qiáng)度為0.48T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，有一個(gè)長(zhǎng)為20cm、寬為10cm的矩形線(xiàn)圈。則穿過(guò)線(xiàn)圈平面的磁通量最大值為_(kāi)_______Wb，最小值為_(kāi)_______Wb。參考答案：9.6×10-3；013.一個(gè)物體做自由落體運(yùn)動(dòng)，取g=10m/s2，則第二秒末物體的速度大小為

，方向

，2秒內(nèi)下落的高度為

。參考答案：三、簡(jiǎn)答題：本題共2小題，每小題11分，共計(jì)22分14.(10分)“玻意耳定律”告訴我們：一定質(zhì)量的氣體．如果保持溫度不變，體積減小，壓強(qiáng)增大；“查理定律”指出：一定質(zhì)量的氣體，如果保持體積不變，溫度升高．壓強(qiáng)增大；請(qǐng)你用分子運(yùn)動(dòng)論的觀點(diǎn)分別解釋上述兩種現(xiàn)象，并說(shuō)明兩種增大壓強(qiáng)的方式有何不同。參考答案：一定質(zhì)量的氣體．如果溫度保持不變，分子平均動(dòng)能不變，每次分子與容器碰撞時(shí)平均作用力不變，而體積減小，單位體積內(nèi)分子數(shù)增大，相同時(shí)間內(nèi)撞擊到容器壁的分子數(shù)增加，因此壓強(qiáng)增大，（4分）一定質(zhì)量的氣體，若體積保持不變，單位體積內(nèi)分子數(shù)不變，溫度升高，分子熱運(yùn)動(dòng)加劇，對(duì)容器壁碰撞更頻繁，每次碰撞平均作用力也增大，所以壓強(qiáng)增大。（4分）第一次只改變了單位時(shí)間內(nèi)單位面積器壁上碰撞的分子數(shù)；而第二種情況下改變了影響壓強(qiáng)的兩個(gè)因素：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)單位面積上碰撞的次數(shù)和每次碰撞的平均作用力。（2分）15.（6分）圖所示是電場(chǎng)中某區(qū)域的電場(chǎng)線(xiàn)分布圖，P、Q是電場(chǎng)中的兩點(diǎn)。（1）請(qǐng)比較P、Q兩點(diǎn)中電場(chǎng)強(qiáng)度的強(qiáng)弱并說(shuō)明理由。（2）把電荷量為=3.0×C的正點(diǎn)電荷放在電場(chǎng)中的P點(diǎn)，正電荷受到的電場(chǎng)力大小為F=6.0N；如果把移去，把電荷量為=6.0×10C的負(fù)點(diǎn)電荷放在P點(diǎn)，求負(fù)荷電荷受到的電場(chǎng)力F的大小方向。參考答案：(1)Q點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度較強(qiáng)(1分)。因?yàn)镼點(diǎn)處電場(chǎng)線(xiàn)分布較P點(diǎn)密(1分)。(2)P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度E=F/q=6/(3×10)×10（N/C）（2分）方向向左(或與電場(chǎng)強(qiáng)度方向相反)

(1分)四、計(jì)算題：本題共3小題，共計(jì)47分16.在磁感強(qiáng)度B=5T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，放置兩根間距d=0.1m的平行光滑直導(dǎo)軌，一端接有電阻R=9Ω，以及電鍵S和電壓表．垂直導(dǎo)軌擱置一根電阻r=1Ω的金屬棒ab，棒與導(dǎo)軌良好接觸．現(xiàn)使金屬棒以速度v=10m/s勻速向右移動(dòng)，如圖13所示，求：（1）電鍵S閉合前、后電壓表的示數(shù)；（2）閉合電鍵S，外力移動(dòng)棒的機(jī)械功率以及電阻R消耗的熱功率．參考答案：(1)E=BLV=5*0.1*10=5V

(4分)

I==0.5

U=IR=0.5*9=4.5v

(4分)(2)F=BIL=5*0.5*0.1=0.25N

P=FV=0,25*10=2.5W

（4分）Q=I2R=2.25W

(4分)17.如圖所示，相互平行且水平的彼此靠近的金屬板AC，BD，HG，NM分別和變阻器上的觸點(diǎn)a、b、h、f連接，孔O1正對(duì)C，H點(diǎn)，孔O2正對(duì)D，N點(diǎn)，一個(gè)電子以初速度沿AC方向，從A點(diǎn)進(jìn)入電場(chǎng)，恰好穿過(guò)O1和O2后，從M點(diǎn)離開(kāi)電場(chǎng)。變阻器上，和段電阻之比為1：2：3，金屬板間的距離，，，直流電源的路端電壓U=182V，電子質(zhì)量,假設(shè)正對(duì)兩板間為勻強(qiáng)電場(chǎng)，求：（1）電子從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到M點(diǎn)的時(shí)間；（2）電子離開(kāi)M點(diǎn)的動(dòng)能；（3）A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)至M點(diǎn)平位移S。參考答案：解：（1）因?yàn)槿齻€(gè)電場(chǎng)極板電壓之比

2分又因它們極板間間距之比

1分所以三個(gè)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度相等

電子從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到M點(diǎn)的總時(shí)間由豎直方向的運(yùn)動(dòng)性質(zhì)為初速度為零的勻加速運(yùn)動(dòng)。