Q/321202HDT001-2023Q/321202HDT001-20231太陽能級單晶硅片范圍本標準規(guī)定了太陽能級單晶硅片的術語和定義、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)章、標志、包裝、運輸和貯存。本標準適用于太陽能電池用的太陽能級單晶硅片〔以下簡稱單晶硅片。標準性引用文件修改單〔不包括訂正的內(nèi)容〕是否可以使用這些文件的最版本。但凡不注日期的引用文件，其最版本適用于本標準。GB/T2828.1-2023計數(shù)抽樣檢驗程序第1〔AQL〕檢索的逐批檢驗抽樣打算術語和定義3.1本產(chǎn)品導電類型為p-型半導體硅片導電類型是指半導體材料中多數(shù)載流子的性質(zhì)所打算的導電特性，本產(chǎn)品導電類型是p-型半導體，其多數(shù)載流子為空穴的半導體。3.2雜質(zhì)濃度單位體積內(nèi)雜質(zhì)原子的數(shù)目。本產(chǎn)品的主要雜質(zhì)是指氧含量、碳含量。3.3體電阻率場強度與電流密度之比。符號為ρ，單位為Ω·cm。3.4四探針上，使電流從兩外探針之間通過，測量兩內(nèi)探針的電位差。3.5壽命晶體中非平衡載流子由產(chǎn)生到復合存在的平均時間間隔值的1/e(e=2.718)所需的時間。又稱少數(shù)載流子壽命，簡稱少子壽命。壽命符號τ，單位為μs。3.6孿晶金剛石構(gòu)造中，例如硅，孿晶面為〔111〕面。3.7單晶不含大角晶界或?qū)\晶界的晶體。3.8直拉法〔CZ〕勞斯基法，表示符號為CZ。3.9對角線橫穿圓片外表，通過晶片中心點且不與參考面或圓周上其他基準區(qū)相交的直線長度。3.10硅片中心厚度硅片中心點垂直于外表方向穿過硅片的距離為硅片中心厚度。3.11厚度允許偏差硅片厚度的測量值與標稱值的最大允許差值。3.12總厚度變化(TTV)在厚度掃描或一系列點的厚度測量中，所測量的硅片的最大厚度與最小厚度確實定差值。3.13翹曲度硅片中心面與基準片面之間的最大和最小距離的差值。翹曲度是硅片一種體性質(zhì)而不是外表特性。3.14崩邊弦長給出。3.15缺角上下貫穿硅片邊緣的缺損。3.16裂紋、裂痕延長到硅片外表，有可能貫穿，也可能不貫穿整個硅片厚度的解理或裂紋或裂痕。3.17C單晶方棒四個角用滾磨機滾出圓弧形。3.18晶向同一個格子可以形成方向不同的晶列，每一個晶列定義了一個反向，稱為晶向。3.19晶向偏離度晶體的軸與晶體方向不吻合時，其偏離的角度稱為晶向偏離度。技術要求外觀要求1。品等要求A品等要求A外表清潔沒有油污，不允許有裂紋、氣孔、孿晶、未滾磨以及缺角的現(xiàn)象B允許有稍微白色、斑點及水印，不允許有裂紋、氣孔、孿晶、未滾磨以及缺角的現(xiàn)象不允許有“V”形缺口不允許有“V”形缺口規(guī)格尺寸及極限偏差234指標項目2：6指標項目A等B等200±20200±20≤30≤40邊長/〔mm〕125±0.5125±0.5對角線/〔mm〕150±0.5150±0.5C/〔mm〕21±0.821±0.8≤200um75-200um75≤翹曲度≤2001%﹤1515≤深度≤20崩邊深度≤0.5mm，邊緣崩邊不允許長度≤0.8mm，Max3/片，不允許有“V”形缺口3：6.5指標項目A等B等200±20200±20≤30≤40邊長/〔mm〕125±0.5125±0.5對角線/〔mm〕165±0.5165±0.5C/〔mm〕8.65±0.658.65±0.65≤200um75-200um75≤翹曲度≤2001%﹤1515≤深度≤20崩邊深度≤0.5mm，邊緣崩邊不允許長度≤0.8mmMax3/片，不允許有“V”形缺口4：8指標項目A等B等200±20200±20≤30≤40邊長/〔mm〕156±0.5156±0.5對角線/〔mm〕200±0.5200±0.5C/〔mm〕15.4±0.615.4±0.6≤200um75-200um75≤翹曲度≤2001%﹤1515≤深度≤20崩邊深度≤0.5mm，邊緣崩邊不允許長度≤0.8mmMax3/片，Q/321202HDT001-2023單晶硅片對角線〔Φ、邊長W、C角尺寸C〕見圖。1理化指標55：理化指標指標AAB生長方式晶向CZ〈100〉CZ〈100〉晶向偏離度/〔°〕﹤±1.5±1.5摻雜劑氧含量/〔atoms/cm3〕≤PBoron〔B〕1.0118PBoron〔B〕1.01018碳含量/〔atoms/cm3〕電阻率范圍〔ρ〕/〔Ω·cm〕≤5.01171.0～3.0，3.0～6.05.010171.0～3.0，3.0～6.0少子壽命〔τd〕/〔μs〕≥10〔鈍化后〕10〔鈍化后〕123456789單晶硅棒編號單晶硅片從該編號的單晶硅棒切割出來，該單晶硅棒的編號含義如下?！酢酢酢酢酢醭鰻t總數(shù)202389322B2。頭 A段 B段 C段 尾24Q/321202HDT001-2023Q/321202HDT001-20235試驗方法感官要求在室溫下，光線光明的室內(nèi)手感、目測檢查。規(guī)格尺寸中心厚度和總厚度變化〔TTV〕中心厚度和總厚度變化使用相應精度的千分表測量。邊長和對角線邊長和對角線使用相應精度的游標卡尺測量。CC90°角尺測量。翹曲度翹曲度使用塞尺測量。線痕線痕使用粗糙度測量儀測量。崩邊崩邊長度和深度使用相應精度的游標卡尺測量并目測。理化指標生長方式生長方式由單晶硅棒生長爐而打算，因此檢查單晶硅棒生長爐是否符合要求。晶向和晶向偏離度晶向和晶向偏離度使用晶向儀測量。導電類型和摻雜劑導電類型使用型號測試儀測量，摻雜劑用電阻率測試儀測量。氧含量和碳含量氧含量和碳含量使用氧碳含量測試儀測量。電阻率電阻率使用四探針電阻率測試儀測量。少子壽命少子壽命使用少子壽命測量儀測量。檢驗規(guī)章單晶硅片應經(jīng)生產(chǎn)廠質(zhì)檢部門檢驗合格后，并附產(chǎn)品合格證方可出廠發(fā)貨。檢驗應逐批進展，承受GB/T2828.1-2023檢驗組批：以同一種型號、規(guī)格和等級的合格硅片組成一個檢驗批次。單位產(chǎn)品：單晶硅片的單位產(chǎn)品為片。批質(zhì)量：以每百單位產(chǎn)品的不合格品數(shù)〔即片〕計算。抽樣方法：實行隨機抽樣的方法抽取。4.1、4.2、4.3抽樣方案：承受正常檢驗一次抽樣方案。檢驗水平、接收質(zhì)量限〔AQL〕見表6。6：檢驗水平、接收質(zhì)量限〔AQL〕檢驗工程本標準章、條檢驗水平接收質(zhì)量限〔AQL〕外觀要求4.1規(guī)格尺寸及極限偏差4.2Ⅱ1.5理化指標4.3Q/321202HDT001-2023Q/321202HDT001-20236逐批檢驗時，正常檢驗一次抽樣方案按GB/T2828.1-20232-A7序號1序號1234中心厚度/每棒/每棒水平測試臺、千分表千分表塞尺、目視儀、目視200±20um5TTV≤30umA40umB6翹曲度/每棒≤75umA75um＜翹曲度≤200umB7刀痕全檢深度＜15um判定為A15um≤深度≤20um判定為B0.5mm≤0.8mm，MAX3/檢驗工程抽樣方案檢驗設備、方法檢驗標準邊長尺寸3/每棒游標卡尺、目視￠125±0.5mm￠125±0.5mm￠156±0.5mm對角線尺寸3/每棒游標卡尺、目視￠150±0.5mm￠165±0.5mm￠200±0.5mmC3/每棒寬座角尺、目視:21±0.8mm:8.65±0.65mm:15.4±0.6mm8崩邊全檢限度樣片、目視片，不允許有“VB9外觀全檢限度樣片、目視AB全部硅片不允許有裂紋、氣孔、未滾磨、孿晶、缺角現(xiàn)象序序號檢驗工程抽樣方案檢驗設備、方法檢驗標準1氧含量.碳含量子壽命抽樣水平Ⅱ，AQL=1.5AQL=1.5氧.碳含量測試儀2電阻率測試儀.少子壽命測量儀氧≤1.01018atoms/c3碳≤5.01017atoms/c3少子壽命≥10μs(鈍化后)3堆放高度全檢目測≤44包裝箱外觀AQL=1.5目測完好.無破損.涂改5邊長尺寸AQL=1.5游標卡尺、目視6對角線尺寸AQL=1.5游標卡尺、目視￠125±0.5mm￠156±0.5mm:21±0.8mm:15.4±0.6mmC中心厚度

AQL=1.5AQL=1.5抽樣水平Ⅱ，

角尺、目視千分表水平測試臺、

:21±0.8mm:8.65±0.65mm:15.4±0.6mm200±20umTTV ≤30umA40umB翹曲度

AQL=1.5AQL=1.5抽樣水平Ⅱ，

千分表塞尺、目視

≤75umA75um＜翹曲度≤200umB刀痕 深度＜15um判定為A等品，15um≤深度≤20um判定為B等品崩邊

AQL=1.5AQL=1.5抽樣水平Ⅱ，

儀、目視限度樣片、目視

B1. A外觀 限度樣片、目視 2. AQL=1.5接收質(zhì)量限〔AQL〕1.5批量范圍接收質(zhì)量限〔AQL〕1.5批量范圍樣本大小AcRe3201～100002007810001～35000315101135001～1500005001415150001～50000080021226.10檢驗結(jié)果判定〔Ac〕樣