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1-3-半導(dǎo)體封裝件的牢靠性評價方法半導(dǎo)體封裝件的可靠性評價方法LunasusLunasus 豐本章將依據(jù)半導(dǎo)體封裝件牢靠性評價的根本考慮方法，以故障機(jī)〔產(chǎn)品〕壽命推導(dǎo)方法。封裝件開發(fā)及材料變化過程中的牢靠性評價方法為實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體封裝件功能和電氣特性的提高，在推動多引腳化的同時，也要進(jìn)展高密度封裝化下的小型、薄型化。最近，搭載多個芯SiP〔SysteminPackage，系統(tǒng)級封裝〕和芯片尺寸〔與封裝尺寸CSP〔ChipSizePackage，芯片級封裝已開頭量產(chǎn)，型封裝件的開發(fā)和材料轉(zhuǎn)變下的牢靠性評價方法進(jìn)展講解。最近的半導(dǎo)體封裝件多數(shù)屬于樹脂灌封型，對半導(dǎo)體單體的牢靠〔水分是造成硅芯片上金屬線路受到腐蝕〔圖1〕的主要緣由之一，而溫度可以加快水分浸入封裝件內(nèi)的速因的場合，有必要進(jìn)展高溫、高濕下的通電試驗(yàn)。如上所述，對于封裝件相關(guān)的各種故障，通過對機(jī)理的解析，找性評價的根底。針對封裝件構(gòu)造的牢靠性試驗(yàn)正如開頭所述，為實(shí)現(xiàn)封裝件的高功能、高密度化，封裝件的外觀外形的主流是QFP〔QuadFlatPackage，四周扁平封裝〕和BGA鋁/金連接部故障的牢靠性評價很多的牢靠性試驗(yàn)是針對磨損故障的，牢靠性試驗(yàn)的最終推斷目〔斷線〕的故障現(xiàn)象的Au4Al與樹脂中的溴元素〔Br〕會產(chǎn)生高溫氧化腐蝕。3Au5Al2，與金相連接的上層形成Au4Al共晶層，此共晶層Al2O3，從而導(dǎo)致斷線。依據(jù)該故障的機(jī)理，可以通過實(shí)施高溫保存試驗(yàn)這種加速評估的3種高溫條件下〔150℃、175200℃〕的產(chǎn)24是試驗(yàn)韋布圖。阿侖尼烏斯方程式，L表示故障消滅的時間〔壽命。L=Aexp〔Ea/kT〕……………(1)：常數(shù)，E：活化能〔e，k：波爾曼常數(shù)〔8.6157ⅹ10E5〈Ev/K〕,T：確定溫度〔K〕公式1的兩邊取對數(shù)可以得到公式2.LnL=A+Ea/kT……………..(2)L1T1下的壽命，L2T2下的壽命，即得出：3)4)〔3〕—〔4〕A的公式5.=kT2〕……..(5)因此，Ea的方程式如下：Ln(L1/L2)/〔1/kT1—1/kT2〕…………..(6)0.1的故障率所對應(yīng)的時間〔定義為壽命在溫度為200℃時的壽命是136小時，175℃時的壽命是581小時，以此類推，150℃時的壽命將是24426，0.9—1.1eV。圖5

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