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文檔簡介
學生物理實驗報告實驗名稱霍爾效應及其應用學院專業(yè)班級報告人學號同組人學號理論課任課教師實驗課指導教師實驗日期報告日期實驗成績批改日期實驗目的了解霍爾效應實驗原理以及有關霍爾器材對材料要求的知識學習用“對稱測量法”消除負效應的影響,測量試樣Vh-Is和Vh-Im曲線確定試樣的導電類型,載流子濃度以及遷移率實驗儀器1.TH-H型霍爾效應實驗儀,主要由規(guī)格為>3.00kGS/A電磁鐵、N型半導體硅單晶切薄片式樣、樣品架、IS和IM換向開關、VH和Vσ(即VAC)測量選擇開關組成。2.TH-H型霍爾效應測試儀,主要由樣品工作電流源、勵磁電流源和直流數(shù)字毫伏表組成。實驗數(shù)據(jù)與結果(1)測繪VH-Is曲線,數(shù)據(jù)記錄如下Is(mA)V1(mV)V2(mV)V3(mV)V4(mV)+Is﹑+B+Is﹑-B-Is﹑-B-Is、+B1.003.21-3.012.80-3.4214.111.504.88-4.474.26-5.0920.362.006.54-5.935.72-6.7526.572.508.17-7.367.15-8.3832.743.009.85-8.838.62-10.0640.684.0013.17-11.7411.52-13.3836.43其中電流范圍:IM=0.6A;Is取值:1.00-4.00mA。圖形如下(橫坐標為IS/mA,縱坐標為VH/mV)(2)繪測VH-IM曲線,數(shù)據(jù)記錄如下IM(A)V1(mV)V2(mV)V3(mV)V4(mV)+Is﹑+B+Is﹑-B-Is﹑-B-Is、+B0.3005.19-4.153.94-5.414.67250.4006.75-5.725.50-6.976.2350.5008.30-7.287.07-8.537.7950.6009.87-8.858.64-10.089.360.70011.40-10.4010.18-11.6310.9020.80012.95-11.9511.73-13.1612.44其中電流范圍:Is=3.00mA;IM取值:0.300-0.800A。圖形如下(橫坐標為IM/mA,縱坐標為VH/mV)(3)確定樣品的導電類型.將實驗儀三組雙刀均投向上方,即延X方向,B延Z方向,毫伏表測量電壓為Vaa.取Is=2mA,Im=0.6A,測量Vh大小及極性,判斷樣品導電類型.解:Vh=6.54mA,所以導電類型為P型.(4)求樣品的Rh,n,σ和μ值.解:由代入數(shù)據(jù)算的RH=5.713,由代入數(shù)據(jù)算的n=1.09×1018,由代入數(shù)據(jù)算的σ=21.05S/m,由μ=|RH|σ代入數(shù)據(jù)的μ=120.26。實驗結果分析1、如何精確測量霍爾電壓?本實驗采用什么辦法消除各種附加電壓?答:多次測量取平均值。本實驗通過對稱測量法求的霍爾電壓。
2、磁場不恰好與霍爾片的法線一致,對測量效果有什么影響?答:磁場與霍爾片的法線不一致,會造成有效磁場變小,則對應測得霍爾系數(shù)變大。3、能否用霍爾片元件測量交變磁場?若能,怎么測量?答:可以,因為霍爾效應建立的時間極短,使用交流磁場時,所得的霍爾電壓也是交變的,此時的IM和VH應理解為有效值,上下板交替累積載流子無穩(wěn)定的電勢差。4、如何根據(jù)I、B和VH的方向,判斷所測樣品為N型半導體還是P型半導體?答:由QUOTE錯誤!未找到引用源??傻谩?、請根據(jù)歐姆定律推導出QUOTE錯誤!未找到引用源。(電導率δ為電阻率ρ的倒數(shù))。答:由QUOTE錯誤!未找到引用源。和QUOTE錯誤!未找到引用源。可得。6、本實驗的主要誤差有哪些,這些誤差對實驗有何影響?答:產(chǎn)生霍爾效應的同時,伴隨著多種副效應,以導致實驗測得的A、A’兩級之間的電壓并
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